公开(公告)号：CN1527115A

公开(公告)日：2004-09-08

申请号：CN200310124902.8

申请日：2003-12-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金道映 ,  朴玩濬 ,  朴永洙 ,  李俊冀 ,  闵约赛 ,  权章渊 ,  徐顺爱 ,  崔荣敏 ,  蔡洙杜

IPC: G02F1/136 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78603 ,  G02F1/133305 ,  G02F1/136227 ,  G02F2201/50 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3258 ,  H01L29/66757 ,  H01L51/5253 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2251/5338 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01009 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种在柔性基底上实现的薄膜半导体器件、使用该器件的电子器件、及其制造方法。该薄膜半导体器件包括一柔性基底、一形成在柔性基底上的半导体芯片、以及一密封该半导体芯片的保护盖层。该电子器件包括一柔性基底和形成在柔性基底上的半导体芯片，还包括密封半导体芯片的保护盖层。由于使用了保护盖层，提高了薄膜半导体器件抵抗基底弯曲所产生的应力的耐用性。

公开(公告)号：CN1417849A

公开(公告)日：2003-05-14

申请号：CN02130549.8

申请日：2002-08-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李俊冀 ,  朴永洙

IPC: H01L21/70

Abstract: 铁电电容器的制造方法。该方法包括：在具有晶体管和位线的衬底上形成层间绝缘层，从而晶体管和位线由层间绝缘层覆盖；在层间绝缘层上形成接触孔，以部分地露出衬底；在层间绝缘层上形成具有预定厚度的导电层，导电层填充接触孔；在导电层上形成防氧化层；顺序地在防氧化层上形成下部电极、铁电层、上部电极。因而，彼此面对的用作存储节点的导电层与下部电极的界面的抗氧化性增加，因此形成铁电薄膜的温度也有所增加。因而，可以得到具有优良特性的铁电薄层。

公开(公告)号：CN107658243B

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN201710619640.4

申请日：2017-07-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜三默 ,  金峻渊 ,  卓泳助 ,  金美贤 ,  朴永洙

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/687

Abstract: 本申请提供了一种用于制造衬底的设备，包括：沉积室壳体，其容纳生长衬底；供给喷嘴，其将用于在生长衬底上形成目标大尺寸衬底的沉积气体供应至沉积室壳体中；基座，其支撑生长衬底并且将生长衬底的后表面暴露于蚀刻气体；以及内衬，其连接至基座。内衬将蚀刻气体与沉积气体隔离，并且将蚀刻气体引向生长衬底的后表面。基座包括暴露生长衬底的后表面的中心孔以及支撑生长衬底的支撑突出物，支撑突出物从基座的限定了中心孔的内侧壁朝向中心孔的中心突出。

公开(公告)号：CN105390580B

公开(公告)日：2019-09-24

申请号：CN201510549322.6

申请日：2015-08-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔繁在 ,  朴永洙 ,  柳荣浩 ,  朴泰荣 ,  洪镇基

IPC: H01L33/38

Abstract: 本发明提供了一种半导体发光器件，其包括层叠式半导体结构，该层叠式半导体结构具有彼此相对的第一表面和第二表面、分别形成第一表面和第二表面的第一导电类型的半导体层和第二导电类型的半导体层、以及有源层。第一电极和第二电极分别设置在层叠式半导体结构的第一表面和第二表面上。连接电极延伸至第一表面以连接至第二电极。支承衬底设置在第二电极上，并且绝缘层使连接电极与有源层和第一导电类型的半导体层绝缘。

公开(公告)号：CN107978659A

公开(公告)日：2018-05-01

申请号：CN201710984379.8

申请日：2017-10-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金美贤 ,  姜三默 ,  金峻渊 ,  卓泳助 ,  朴永洙

IPC: H01L33/00

CPC classification number: C30B25/186 ,  C30B25/02 ,  C30B25/10 ,  C30B25/16 ,  C30B25/183 ,  C30B29/06 ,  C30B29/406 ,  C30B33/12 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/7806 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/0075

Abstract: 本申请涉及一种制造GaN衬底的方法。在制造GaN衬底的方法中，可在硅衬底的第一表面上形成覆盖层。可在硅衬底的第二表面上形成缓冲层。第二表面可与第一表面相对。通过执行氢化物气相外延工艺，可在缓冲层上形成GaN衬底。可移除覆盖层和硅衬底。

公开(公告)号：CN107658243A

公开(公告)日：2018-02-02

申请号：CN201710619640.4

申请日：2017-07-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜三默 ,  金峻渊 ,  卓泳助 ,  金美贤 ,  朴永洙

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/687

CPC classification number: C30B25/165 ,  C23C14/0617 ,  C23C14/221 ,  C23C14/54 ,  C23C16/01 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/303 ,  C23C16/455 ,  C23C16/4585 ,  C23C16/52 ,  C30B25/12 ,  C30B25/14 ,  C30B25/183 ,  C30B29/406 ,  H01J37/00 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/68721 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/7806 ,  H01L21/67011 ,  H01L21/68785

Abstract: 本申请提供了一种用于制造衬底的设备，包括：沉积室壳体，其容纳生长衬底；供给喷嘴，其将用于在生长衬底上形成目标大尺寸衬底的沉积气体供应至沉积室壳体中；基座，其支撑生长衬底并且将生长衬底的后表面暴露于蚀刻气体；以及内衬，其连接至基座。内衬将蚀刻气体与沉积气体隔离，并且将蚀刻气体引向生长衬底的后表面。基座包括暴露生长衬底的后表面的中心孔以及支撑生长衬底的支撑突出物，支撑突出物从基座的限定了中心孔的内侧壁朝向中心孔的中心突出。

公开(公告)号：CN107134469A

公开(公告)日：2017-09-05

申请号：CN201710126385.X

申请日：2017-02-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑在烨 ,  林完泰 ,  朴永洙 ,  金定燮 ,  李振燮 ,  H·柳 ,  卢慧锡

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/60 ,  H01L33/48

CPC classification number: H01L25/0753 ,  H01L33/50 ,  H01L33/504 ,  H01L33/60 ,  H01L27/156 ,  H01L33/48

Abstract: 本发明公开了一种发光二极管装置和发光设备。所述发光二极管装置构造为提供多颜色显示，该发光二极管装置包括至少部分地被划分层限定的多个发光单元。该发光二极管装置可构造为减小发光单元之间的光学干扰。该发光二极管装置包括：彼此间隔开的多个发光结构；位于发光结构各自的第一表面上的多个电极层；构造为将发光结构彼此电绝缘的分隔层；位于发光结构各自的第二表面上并且与不同颜色相关联的荧光体层；以及位于荧光体层之间以将荧光体层彼此分离的划分层。每个发光单元可包括单独的发光结构、单独一组一个或多个电极以及单独的荧光体层。

公开(公告)号：CN101751989B

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN200910246683.8

申请日：2009-12-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 皮雄焕 ,  朴永洙 ,  徐顺爱 ,  曹永真 ,  李成喆 ,  裴智莹

IPC: G11C11/15

CPC classification number: G11C19/0841 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675

Abstract: 本发明提供了一种使用磁畴壁移动的信息存储装置及操作该装置的方法。所述信息存储装置包括磁轨和操作单元。磁轨包括通过磁畴壁分离的多个磁畴。操作单元的大小能够覆盖至少两个相邻磁畴。并且，操作单元被配置为可向磁轨的单个磁畴区以及多个磁畴区写入信息/从磁轨的单个磁畴区以及多个磁畴区读取信息。

公开(公告)号：CN101740694B

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：CN200910225274.X

申请日：2009-11-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金庆国 ,  蔡秀熙 ,  朴永洙 ,  金泽 ,  梁炆承 ,  丁亨洙 ,  朴宰彻 ,  金峻渊

IPC: H01L33/12

CPC classification number: H01L33/0079 ,  H01L33/12

Abstract: 本发明公开了一种发光器件及其制造方法。本发明提供一种采用晶片接合方法制造的发光二极管(LED)以及通过采用晶片接合方法制造LED的方法。晶片接合方法可以包括在半导体层和接合基板之间插设由金属形成的应力弛豫层。当采用应力弛豫层时，由于金属的柔性，接合基板和生长基板之间的应力可以被抵消，并且由此可以减少或防止接合基板的弯曲或翘曲。

公开(公告)号：CN101315942B

公开(公告)日：2013-02-20

申请号：CN200810108832.X

申请日：2008-05-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李昌范 ,  朴永洙 ,  鲜于文旭 ,  姜保守 ,  安承彦

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00 ,  G11C13/00 ,  G11C11/56 ,  G11C16/02

Abstract: 本发明可以提供一种电阻随机存取存储器(RRAM)装置。所述电阻随机存取存储器装置可以包括：至少一个第一电极；至少一个第二电极，与所述至少一个第一电极分开；第一结构，包括在所述至少一个第一电极和所述至少一个第二电极之间的第一电阻改变层；第一开关元件，电连接到第一电阻改变层，其中，所述至少一个第一电极和所述至少一个第二电极包括具有贵金属和贱金属的合金层。