公开(公告)号：CN100490074C

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN200410082255.3

申请日：2004-12-06

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 权章渊 ,  韩民九 ,  赵世泳 ,  朴敬培 ,  金道暎 ,  李旼哲 ,  韩相勉 ,  野口隆 ,  朴永洙 ,  郑智心

IPC分类号： H01L21/205 ,  H01L21/336 ,  C23C16/24

CPC分类号： H01L21/02532 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02354 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/31608 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

摘要： 提供了一种制造多晶硅薄膜的方法及用其制造多晶硅TFT的方法。该多晶硅薄膜是使用ICP-CVD在低温时形成的。ICP-CVD后，在能量以预定梯级增加的同时实施ELA。使用ICP-CVD在大约150℃的温度沉积多晶硅有源层和SiO2栅极绝缘层。该多晶硅具有大约3000或更高的大结晶粒度。SiO2的界面阱密度可以高达1011/cm2。可以在低温下制造具有良好电特性的晶体管，并因而能够形成在耐热塑料衬底上。

公开(公告)号：CN1719582A

公开(公告)日：2006-01-11

申请号：CN200510081929.2

申请日：2005-07-08

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金道暎 ,  野口隆 ,  赵世泳 ,  权章渊

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1296

摘要： 本发明提供了一种制备多晶硅薄膜的方法和使用该方法制备半导体器件的方法。为了形成多晶硅薄膜，在形成于基板上的非晶硅薄膜中注入中性离子，然后进行退火。非晶硅薄膜可以在高能量密度下退火，并且可以在非耐热塑料基板上形成具有优异特性的多晶硅薄膜。因此，可以在比如Si晶片或玻璃基板的耐热基板，或比如塑料基板的非耐热基板上形成优异的多晶硅薄膜。

公开(公告)号：CN100462823C

公开(公告)日：2009-02-18

申请号：CN200310124902.8

申请日：2003-12-31

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金道映 ,  朴玩濬 ,  朴永洙 ,  李俊冀 ,  闵约赛 ,  权章渊 ,  徐顺爱 ,  崔荣敏 ,  蔡洙杜

IPC分类号： G02F1/136 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L29/78603 ,  G02F1/133305 ,  G02F1/136227 ,  G02F2201/50 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3258 ,  H01L29/66757 ,  H01L51/5253 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2251/5338 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01009 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

摘要： 提供一种在柔性基底上实现的薄膜半导体器件、使用该器件的电子器件、及其制造方法。该薄膜半导体器件包括一柔性基底、一形成在柔性基底上的半导体芯片、一密封该半导体芯片的保护盖层、以及一形成在该保护盖层上的绝缘区。该电子器件包括一柔性基底和形成在柔性基底上的半导体芯片，还包括密封半导体芯片的保护盖层和形成在该保护盖层上的绝缘区。由于使用了保护盖层，提高了薄膜半导体器件抵抗基底弯曲所产生的应力的耐用性。

公开(公告)号：CN1770392A

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：CN200510106861.9

申请日：2005-09-26

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 鲜于文旭 ,  野口隆 ,  赵世泳 ,  权章渊 ,  殷华湘

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/31 ,  H01L21/02 ,  H01L21/8239

CPC分类号： H01L21/02356 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/31691 ,  H01L21/84 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/12

摘要： 提供了一种形成铁电膜的方法及使用该形成铁电膜的方法制造电容器和半导体存储器件的方法。形成铁电膜的方法包括制备基底、在该基底上碘淀积非晶铁电膜、和通过照射激光束到非晶铁电膜而结晶该非晶铁电膜。由于铁电膜可以在低于500℃的温度形成，因此形成铁电膜的方法可以减少对其他元件的热破坏。

公开(公告)号：CN1527115A

公开(公告)日：2004-09-08

申请号：CN200310124902.8

申请日：2003-12-31

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金道映 ,  朴玩濬 ,  朴永洙 ,  李俊冀 ,  闵约赛 ,  权章渊 ,  徐顺爱 ,  崔荣敏 ,  蔡洙杜

IPC分类号： G02F1/136 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L29/78603 ,  G02F1/133305 ,  G02F1/136227 ,  G02F2201/50 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3258 ,  H01L29/66757 ,  H01L51/5253 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2251/5338 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01009 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

摘要： 提供一种在柔性基底上实现的薄膜半导体器件、使用该器件的电子器件、及其制造方法。该薄膜半导体器件包括一柔性基底、一形成在柔性基底上的半导体芯片、以及一密封该半导体芯片的保护盖层。该电子器件包括一柔性基底和形成在柔性基底上的半导体芯片，还包括密封半导体芯片的保护盖层。由于使用了保护盖层，提高了薄膜半导体器件抵抗基底弯曲所产生的应力的耐用性。

公开(公告)号：CN101150142A

公开(公告)日：2008-03-26

申请号：CN200710154785.8

申请日：2007-09-19

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 郑智心 ,  金钟万 ,  权章渊 ,  朴敬培

IPC分类号： H01L27/32 ,  H01L21/82

CPC分类号： H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/3244

摘要： 本发明提供一种有机电致发光显示器以及制造其的方法，该有机电致发光显示器包括：有机发光二极管；驱动晶体管，其驱动所述有机发光二极管；以及开关晶体管，其控制所述驱动晶体管的操作，其中所述开关晶体管以及所述驱动晶体管的有源层使用具有不同密度的硅化物来晶化，从而所述驱动晶体管的所述有源层比所述开关晶体管的所述有源层具有更大的晶粒尺寸。

公开(公告)号：CN1770472A

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：CN200410075872.0

申请日：2004-11-04

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 朴敬培 ,  野口隆 ,  赵世泳 ,  金道暎 ,  权章渊

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L29/66757 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78606

摘要： 本发明提供了形成多晶硅薄膜的方法、包括多晶硅薄膜的薄膜晶体管及制造薄膜晶体管的方法。所述晶体管包括堆叠在衬底上的第一热导薄膜，热导率低于第一热导薄膜、并在第一热导薄膜上形成的第二热导薄膜，在第二热导薄膜和第二热导薄膜两侧面上的第一热导薄膜上形成的多晶硅薄膜，以及堆叠在覆盖于第二热导薄膜之上的多晶硅薄膜上的栅叠层。第二热导薄膜可以代替部分第一热导薄膜，而不是形成在第一热导薄膜上。通过使一束受激准分子激光照射在于第一和第二热导薄膜上形成的非晶硅薄膜上形成多晶硅薄膜。栅叠层可以沉积在作为通道区的部分多晶硅薄膜的下面。

公开(公告)号：CN1638043A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN200410082255.3

申请日：2004-12-06

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 权章渊 ,  韩民九 ,  赵世泳 ,  朴敬培 ,  金道暎 ,  李旼哲 ,  韩相勉 ,  野口隆 ,  朴永洙 ,  郑智心

IPC分类号： H01L21/205 ,  H01L21/336 ,  C23C16/24

CPC分类号： H01L21/02532 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02354 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/31608 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

摘要： 提供了一种制造多晶硅薄膜的方法及用其制造多晶硅TFT的方法。该多晶硅薄膜是使用ICP－CVD在低温时形成的。ICP－CVD后，在能量以预定梯级增加的同时实施ELA。使用ICP－CVD在大约150℃的温度沉积多晶硅活性层和SiO2栅极绝缘层。该多晶硅具有大约3000或更高的大结晶粒度。SiO2的界面阱密度可以高达1011/cm2。可以在低温下制造具有良好电特性的晶体管，并因而能够形成在耐热塑料衬底上。