公开(公告)号：CN1770476A

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：CN200510114007.7

申请日：2005-10-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 野口隆 ,  鲜于文旭 ,  赵世泳 ,  殷华湘

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/02598 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/66772

Abstract: 提供了一种薄膜晶体管(TFT)和一种制造所述薄膜晶体管的方法。所述TFT包括：透明衬底；覆盖所述透明衬底的预定区域的绝缘层；在所述绝缘层上形成的、包括源极区、漏极区和沟道区的单晶硅层；以及在所述单晶硅层的沟道区上依次形成的栅极绝缘膜和栅电极。所述TFT能够通过快速热辐射高速地稳定运行。并且能够使TFT的尺寸显著降低。

公开(公告)号：CN100490074C

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN200410082255.3

申请日：2004-12-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权章渊 ,  韩民九 ,  赵世泳 ,  朴敬培 ,  金道暎 ,  李旼哲 ,  韩相勉 ,  野口隆 ,  朴永洙 ,  郑智心

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/336 ,  C23C16/24

CPC classification number: H01L21/02532 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02354 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/31608 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

Abstract: 提供了一种制造多晶硅薄膜的方法及用其制造多晶硅TFT的方法。该多晶硅薄膜是使用ICP-CVD在低温时形成的。ICP-CVD后，在能量以预定梯级增加的同时实施ELA。使用ICP-CVD在大约150℃的温度沉积多晶硅有源层和SiO2栅极绝缘层。该多晶硅具有大约3000或更高的大结晶粒度。SiO2的界面阱密度可以高达1011/cm2。可以在低温下制造具有良好电特性的晶体管，并因而能够形成在耐热塑料衬底上。

公开(公告)号：CN1719582A

公开(公告)日：2006-01-11

申请号：CN200510081929.2

申请日：2005-07-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金道暎 ,  野口隆 ,  赵世泳 ,  权章渊

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1296

Abstract: 本发明提供了一种制备多晶硅薄膜的方法和使用该方法制备半导体器件的方法。为了形成多晶硅薄膜，在形成于基板上的非晶硅薄膜中注入中性离子，然后进行退火。非晶硅薄膜可以在高能量密度下退火，并且可以在非耐热塑料基板上形成具有优异特性的多晶硅薄膜。因此，可以在比如Si晶片或玻璃基板的耐热基板，或比如塑料基板的非耐热基板上形成优异的多晶硅薄膜。

公开(公告)号：CN1630099A

公开(公告)日：2005-06-22

申请号：CN200410081934.9

申请日：2004-12-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 殷华湘 ,  野口隆 ,  鲜于文旭 ,  金道暎

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/7855

Abstract: 提供了一种薄膜晶体管及制造该薄膜晶体管的方法，可以减少工序和掩模的数量，从而降低生产成本。该薄膜晶体管包括衬底；在衬底上形成的缓冲层；在缓冲层上彼此间隔开的源极和漏极；在缓冲层上形成的使源极和漏极彼此连接起来的沟道层；及在缓冲层上形成的与源极、漏极和沟道层间隔开的栅极。

公开(公告)号：CN1770472A

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：CN200410075872.0

申请日：2004-11-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴敬培 ,  野口隆 ,  赵世泳 ,  金道暎 ,  权章渊

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78606

Abstract: 本发明提供了形成多晶硅薄膜的方法、包括多晶硅薄膜的薄膜晶体管及制造薄膜晶体管的方法。所述晶体管包括堆叠在衬底上的第一热导薄膜，热导率低于第一热导薄膜、并在第一热导薄膜上形成的第二热导薄膜，在第二热导薄膜和第二热导薄膜两侧面上的第一热导薄膜上形成的多晶硅薄膜，以及堆叠在覆盖于第二热导薄膜之上的多晶硅薄膜上的栅叠层。第二热导薄膜可以代替部分第一热导薄膜，而不是形成在第一热导薄膜上。通过使一束受激准分子激光照射在于第一和第二热导薄膜上形成的非晶硅薄膜上形成多晶硅薄膜。栅叠层可以沉积在作为通道区的部分多晶硅薄膜的下面。

公开(公告)号：CN1753156A

公开(公告)日：2006-03-29

申请号：CN200510081936.2

申请日：2005-07-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 殷华湘 ,  鲜于文旭 ,  野口隆 ,  赵世泳 ,  郑智心

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L21/02675 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明提供一种制造薄膜晶体管的方法。该方法包括：在衬底上形成非晶硅；在衬底上通过对该非晶硅构图形成源极、漏极、以及电地置于该源极与漏极之间的多个沟道的区域；对沟道的区域进行退火；在该沟道表面上顺序形成栅极氧化物膜和栅极电极；以及使用预定的离子元素掺杂该源极区域和漏极区域。

公开(公告)号：CN1638043A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN200410082255.3

申请日：2004-12-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权章渊 ,  韩民九 ,  赵世泳 ,  朴敬培 ,  金道暎 ,  李旼哲 ,  韩相勉 ,  野口隆 ,  朴永洙 ,  郑智心

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/336 ,  C23C16/24

CPC classification number: H01L21/02532 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02354 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/31608 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

Abstract: 提供了一种制造多晶硅薄膜的方法及用其制造多晶硅TFT的方法。该多晶硅薄膜是使用ICP－CVD在低温时形成的。ICP－CVD后，在能量以预定梯级增加的同时实施ELA。使用ICP－CVD在大约150℃的温度沉积多晶硅活性层和SiO2栅极绝缘层。该多晶硅具有大约3000或更高的大结晶粒度。SiO2的界面阱密度可以高达1011/cm2。可以在低温下制造具有良好电特性的晶体管，并因而能够形成在耐热塑料衬底上。

公开(公告)号：CN1770392A

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：CN200510106861.9

申请日：2005-09-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 鲜于文旭 ,  野口隆 ,  赵世泳 ,  权章渊 ,  殷华湘

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/31 ,  H01L21/02 ,  H01L21/8239

CPC classification number: H01L21/02356 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/31691 ,  H01L21/84 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/12

Abstract: 提供了一种形成铁电膜的方法及使用该形成铁电膜的方法制造电容器和半导体存储器件的方法。形成铁电膜的方法包括制备基底、在该基底上碘淀积非晶铁电膜、和通过照射激光束到非晶铁电膜而结晶该非晶铁电膜。由于铁电膜可以在低于500℃的温度形成，因此形成铁电膜的方法可以减少对其他元件的热破坏。

公开(公告)号：CN1674284A

公开(公告)日：2005-09-28

申请号：CN200410103753.1

申请日：2004-12-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 鲜于文旭 ,  野口隆 ,  柳寅儆 ,  朴永洙

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8239 ,  G11C11/22

CPC classification number: H01L27/11507 ,  H01L21/84 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明提供一种电子器件和一种制造该种电子器件的方法。该电子器件包括第一衬底、在第一衬底上提供的第一下电容器、在第一下电容器上提供的第一下开关元件和在第一下开关元件上提供的第二衬底。该电子器件还包括与所述第一下电容器不接触的第二下开关元件和该第二衬底上的上电容器，其中上电容器的下电极连接第二下开关元件。