发明公开
- 专利标题: 薄膜晶体管及其电子器件和制造方法
- 专利标题(英): Thin film transistor and electronic device and producing method thereof
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申请号: CN200310124902.8申请日: 2003-12-31
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公开(公告)号: CN1527115A公开(公告)日: 2004-09-08
- 发明人: 金道映 , 朴玩濬 , 朴永洙 , 李俊冀 , 闵约赛 , 权章渊 , 徐顺爱 , 崔荣敏 , 蔡洙杜
- 申请人: 三星电子株式会社
- 申请人地址: 韩国京畿道
- 专利权人: 三星电子株式会社
- 当前专利权人: 三星电子株式会社
- 当前专利权人地址: 韩国京畿道
- 代理机构: 北京市柳沈律师事务所
- 代理商 李晓舒; 魏晓刚
- 优先权: 87940/2002 2002.12.31 KR
- 主分类号: G02F1/136
- IPC分类号: G02F1/136 ; H01L29/786
摘要:
提供一种在柔性基底上实现的薄膜半导体器件、使用该器件的电子器件、及其制造方法。该薄膜半导体器件包括一柔性基底、一形成在柔性基底上的半导体芯片、以及一密封该半导体芯片的保护盖层。该电子器件包括一柔性基底和形成在柔性基底上的半导体芯片,还包括密封半导体芯片的保护盖层。由于使用了保护盖层,提高了薄膜半导体器件抵抗基底弯曲所产生的应力的耐用性。
公开/授权文献
- CN100462823C 薄膜晶体管及其电子器件和制造方法 公开/授权日:2009-02-18
IPC分类: