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公开(公告)号：CN1198328C
公开(公告)日：2005-04-20
申请号：CN02130549.8
申请日：2002-08-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/70 , H01L21/8242 , H01L27/108
Abstract: 铁电电容器的制造方法。该方法包括：在具有晶体管和位线的衬底上形成层间绝缘层，从而晶体管和位线由层间绝缘层覆盖；在层间绝缘层上形成接触孔，以部分地露出衬底；在层间绝缘层上形成具有预定厚度的导电层，导电层填充接触孔；在导电层上形成防氧化层；顺序地在防氧化层上形成下部电极、铁电层、上部电极。因而，彼此面对的用作存储节点的导电层与下部电极的界面的抗氧化性增加，因此形成铁电薄膜的温度也有所增加。因而，可以得到具有优良特性的铁电薄层。
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公开(公告)号：CN1495867A
公开(公告)日：2004-05-12
申请号：CN03147080.7
申请日：2003-08-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/316
CPC classification number: H01L21/28185 , C01G29/006 , C01P2002/36 , C01P2002/72 , C01P2002/77 , C01P2002/85 , C01P2002/89 , C01P2004/03 , C01P2004/04 , C01P2004/80 , C01P2006/40 , C04B35/16 , C04B35/475 , C04B35/6264 , C04B2235/3232 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/441 , C04B2235/444 , C04B2235/658 , C04B2235/6581 , C04B2235/76 , H01L21/28194 , H01L21/31691 , H01L28/55 , H01L29/516 , H01L29/517
Abstract: 本发明提供一种具有烧绿石相的铋钛硅氧化物，一种由铋钛硅氧化物形成的薄膜，以及制备这种铋钛硅氧化物薄膜的方法，用于半导体设备并包含这种铋钛硅氧化物薄膜的电容器和晶体管，采用了这种电容器和/或晶体管的电子设备。铋钛硅氧化物具有良好的介电性质，并且其是热稳定以及化学稳定的。铋钛硅氧化物薄膜可以有效的应用于半导体设备中作为电容器的介电薄膜或者晶体管的门极介电薄膜。应用具有铋钛硅氧化物薄膜的电容器和/或晶体管可以制备出具有良好的电特性的各式电子设备。
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公开(公告)号：CN1412847A
公开(公告)日：2003-04-23
申请号：CN02132147.7
申请日：2002-09-03
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/228 , B82Y10/00
Abstract: 本发明公开了一种单晶体管型磁随机存取存储器及其操作和制造方法。该单晶体管型磁随机存取存储器包括衬底、第一和第二掺杂区、栅极介电层、磁隧穿结、字线、位线和绝缘层。第一和第二掺杂区通过将掺杂剂注入到半导体衬底中形成且彼此隔离。栅极介电层形成在半导体衬底的第一和第二掺杂区之间的部分上。磁隧穿结形成在栅极介电层上。字线形成在MTJ上，并在与第二掺杂区相同方向的第一方向上延伸。位线在垂直于第一方向的第二方向上连接至第一掺杂区。绝缘层覆盖栅极介电层、MTJ和字线，以将栅极介电层、MTJ和字线与位线绝缘开。第一和第二掺杂区、栅极介电层和MTJ构成单晶体管。
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公开(公告)号：CN1527115A
公开(公告)日：2004-09-08
申请号：CN200310124902.8
申请日：2003-12-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/136 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78603 , G02F1/133305 , G02F1/136227 , G02F2201/50 , H01L23/3192 , H01L24/24 , H01L24/82 , H01L27/1214 , H01L27/3248 , H01L27/3258 , H01L29/66757 , H01L51/5253 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2251/5338 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01009 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01018 , H01L2924/01019 , H01L2924/01027 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01058 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种在柔性基底上实现的薄膜半导体器件、使用该器件的电子器件、及其制造方法。该薄膜半导体器件包括一柔性基底、一形成在柔性基底上的半导体芯片、以及一密封该半导体芯片的保护盖层。该电子器件包括一柔性基底和形成在柔性基底上的半导体芯片，还包括密封半导体芯片的保护盖层。由于使用了保护盖层，提高了薄膜半导体器件抵抗基底弯曲所产生的应力的耐用性。
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公开(公告)号：CN1417849A
公开(公告)日：2003-05-14
申请号：CN02130549.8
申请日：2002-08-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/70
Abstract: 铁电电容器的制造方法。该方法包括：在具有晶体管和位线的衬底上形成层间绝缘层，从而晶体管和位线由层间绝缘层覆盖；在层间绝缘层上形成接触孔，以部分地露出衬底；在层间绝缘层上形成具有预定厚度的导电层，导电层填充接触孔；在导电层上形成防氧化层；顺序地在防氧化层上形成下部电极、铁电层、上部电极。因而，彼此面对的用作存储节点的导电层与下部电极的界面的抗氧化性增加，因此形成铁电薄膜的温度也有所增加。因而，可以得到具有优良特性的铁电薄层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1241457A
公开(公告)日：2000-01-19
申请号：CN99110200.2
申请日：1999-07-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: B08B3/08 , H01L21/302
CPC classification number: H01L21/02071 , H01L21/31111 , H01L21/31691
Abstract: 提供了一种采用浸蚀剂清洗PZT薄膜的方法。该方法采用HF(或缓冲氧化物浸蚀剂(BOE)和乙酸的混合物,或HF(BOE)、乙酸和醇的混合物,作为浸蚀剂,从而降低了PZT薄膜的浸蚀速率,该浸蚀速率在很大程度上取决于HF的浓度,进而可以采用这种浸蚀剂把PZT薄膜浸蚀去掉一个较薄的厚度为100埃或更薄。所以,只有PZT薄膜表面上的第二相晶体或浸蚀破坏层能被去除。
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公开(公告)号：CN100462823C
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200310124902.8
申请日：2003-12-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/136 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78603 , G02F1/133305 , G02F1/136227 , G02F2201/50 , H01L23/3192 , H01L24/24 , H01L24/82 , H01L27/1214 , H01L27/3248 , H01L27/3258 , H01L29/66757 , H01L51/5253 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2251/5338 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01009 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01018 , H01L2924/01019 , H01L2924/01027 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01058 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种在柔性基底上实现的薄膜半导体器件、使用该器件的电子器件、及其制造方法。该薄膜半导体器件包括一柔性基底、一形成在柔性基底上的半导体芯片、一密封该半导体芯片的保护盖层、以及一形成在该保护盖层上的绝缘区。该电子器件包括一柔性基底和形成在柔性基底上的半导体芯片，还包括密封半导体芯片的保护盖层和形成在该保护盖层上的绝缘区。由于使用了保护盖层，提高了薄膜半导体器件抵抗基底弯曲所产生的应力的耐用性。
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公开(公告)号：CN1314087C
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：CN03127833.7
申请日：2003-08-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/316 , C01B13/14 , C01G29/00 , H01L27/10
CPC classification number: C04B35/6264 , C01G23/002 , C01G25/006 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2006/40 , C04B35/491 , C04B2235/3227 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3296 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/3427 , C04B2235/44 , C04B2235/441 , C04B2235/449 , C04B2235/483 , H01L21/31691
Abstract: 本发明提供一种形成铁电薄膜的组合物，利用该组合物形成的铁电薄膜，及形成该铁电薄膜的方法。该组合物包含PZT溶胶-凝胶溶液和Bi2SiO5溶胶-凝胶溶液。PZT溶胶-凝胶溶液包括铅(Pb)前体的全部或部分水解产物及Pb前体的全部或部分水解和缩聚的产物中的至少一种；锆(Zr)前体的全部或部分水解产物，Zr前体的全部或部分水解和缩聚的产物，及具有至少一个羟基离子和至少一个不可水解配体的Zr络合物中的至少一种；以及钛(Ti)前体的全部或部分水解产物，Ti前体的全部或部分水解和缩聚的产物，及具有至少一个羟基离子和至少一个不可水解配体的Ti络合物中的至少一种。Bi2SiO5溶胶-凝胶溶液包括硅(Si)前体的全部或部分水解产物及Si前体的全部或部分水解和缩聚的产物中的至少一种；及通过回流铋(Bi)前体三苯基铋(Bi(Ph)3)或Bi(tmhd)3与C1-C10烷氧基醇而得到的产物，其中tmhd为2，2，6，6-四甲基庚烷-3，5-二酮化物(dionate)。
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公开(公告)号：CN1252804C
公开(公告)日：2006-04-19
申请号：CN03147080.7
申请日：2003-08-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/316
CPC classification number: H01L21/28185 , C01G29/006 , C01P2002/36 , C01P2002/72 , C01P2002/77 , C01P2002/85 , C01P2002/89 , C01P2004/03 , C01P2004/04 , C01P2004/80 , C01P2006/40 , C04B35/16 , C04B35/475 , C04B35/6264 , C04B2235/3232 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/441 , C04B2235/444 , C04B2235/658 , C04B2235/6581 , C04B2235/76 , H01L21/28194 , H01L21/31691 , H01L28/55 , H01L29/516 , H01L29/517
Abstract: 本发明提供一种具有烧绿石相的铋钛硅氧化物，一种由铋钛硅氧化物形成的薄膜，以及制备这种铋钛硅氧化物薄膜的方法，用于半导体设备并包含这种铋钛硅氧化物薄膜的电容器和晶体管，采用了这种电容器和/或晶体管的电子设备。铋钛硅氧化物具有良好的介电性质，并且其是热稳定以及化学稳定的。铋钛硅氧化物薄膜可以有效的应用于半导体设备中作为电容器的介电薄膜或者晶体管的门极介电薄膜。应用具有铋钛硅氧化物薄膜的电容器和/或晶体管可以制备出具有良好的电特性的各式电子设备。
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公开(公告)号：CN1208833C
公开(公告)日：2005-06-29
申请号：CN02132147.7
申请日：2002-09-03
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/228 , B82Y10/00
Abstract: 本发明公开了一种单晶体管型磁随机存取存储器及其操作和制造方法。该单晶体管型磁随机存取存储器包括衬底、第一和第二掺杂区、栅极介电层、磁隧穿结、字线、位线和绝缘层。第一和第二掺杂区通过将掺杂剂注入到半导体衬底中形成且彼此隔离。栅极介电层形成在半导体衬底的第一和第二掺杂区之间的部分上。磁隧穿结形成在栅极介电层上。字线形成在MTJ上，并在与第二掺杂区相同方向的第一方向上延伸。位线在垂直于第一方向的第二方向上连接至第一掺杂区。绝缘层覆盖栅极介电层、MTJ和字线，以将栅极介电层、MTJ和字线与位线绝缘开。第一和第二掺杂区、栅极介电层和MTJ构成单晶体管。
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