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公开(公告)号：CN110168698A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201780079463.3
申请日：2017-11-16
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/768
Abstract: 本文中公开的实施方式涉及用于形成存储器器件的方法，且更具体地涉及用于在存储器器件中在存储器材料之上形成电介质封闭层的改进的方法。在一个实施方式中，所述方法包括：在比存储器材料的热预算的温度要低的温度下在存储器材料之上热沉积第一材料；将所述第一材料暴露于氮等离子体以将氮掺入在所述第一材料中；和重复所述热沉积和氮等离子体操作以在所述存储器材料之上形成密封的保形电介质封闭层。因此，形成在所述存储器材料之上的具有密封的保形电介质封闭层的存储器器件。
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公开(公告)号：CN109417022A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201780040172.3
申请日：2017-06-26
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01J37/32 , H01L21/324 , H01L27/11551
Abstract: 本文描述的实现大体涉及一种用于形成金属层的方法和一种用于在金属层上形成氧化物层的方法，在一个实现中，在种晶层上形成所述金属层，并且所述种晶层有助于所述金属层中的金属以小粒度成核而不影响所述金属层的导电性。可以使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)形成所述金属层，并且氮气可以与前驱物气体一起流入处理腔室中，在另一个实现中，在所述金属层上形成阻挡层，以便防止所述金属层在随后的氧化物层沉积工艺期间氧化，在另一个实现中，在沉积所述氧化物层之前处理所述金属层，以防止所述金属层氧化。
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公开(公告)号：CN108807264A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810410364.5
申请日：2018-05-02
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/0338 , H01L21/0332 , H01L21/0335 , H01L21/0337 , H01L21/3215 , H01L21/76877 , H01L21/76889 , H01L21/76802 , H01L21/76838
Abstract: 描述了形成自对准图案的方法。在图案化膜上沉积膜材料以填充和覆盖由所述图案化膜形成的特征。使所述膜材料凹入到低于所述图案化膜的顶部的水平。通过暴露于金属前驱物来将所述凹入膜转化为金属膜，接着所述金属膜体积膨胀。
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公开(公告)号：CN108028172A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201680054413.5
申请日：2016-09-15
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/205 , H01L21/28
CPC classification number: H01L21/0228 , C23C16/04 , C23C16/345 , C23C16/45525 , C23C16/45536 , H01L21/0217 , H01L21/02186 , H01L21/02271 , H01L21/28562 , H01L21/306 , H01L21/32 , H01L21/76826 , H01L21/76829
Abstract: 公开了用于通过原子层沉积选择性地沉积膜的方法。基板表面通过硅氢加成来钝化以防止沉积，并允许在未钝化的表面上选择性沉积。
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公开(公告)号：CN106688078A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201580034916.1
申请日：2015-05-19
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/205
Abstract: 本文所公开的实施方式总体包括一种用于电介质膜的基于自由基的沉积的装置。该装置包括：处理腔室；自由基源，所述自由基源被耦接到处理腔室；基板支撑件，所述基板支撑件设置在处理腔室中；以及双通道喷头，所述双通道喷头设置在自由基源与基板支撑件之间。双通道喷头包括多个管道和内部容积，所述内部容积围绕所述多个管道。多个管道和内部容积被嵌在双通道喷头中的一个或多个环形通道围绕。双通道喷头进一步包括：第一入口，所述第一入口被连接到所述一个或多个通道；以及第二入口，所述第二入口被连接到内部容积。处理腔室可以是PECVD腔室，并且该装置能够执行循环工艺(交替进行基于自由基的CVD和PECVD)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105659366A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201480057976.0
申请日：2014-10-22
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/318 , H01L21/205
Abstract: 本发明的实施例总体上提供用于在基板上形成氮化硅层的方法。在一个实施例中，公开了一种用于在低于300摄氏度的温度下，使用远程等离子体化学气相沉积(CVD)来形成氮化硅层的方法。用于远程等离子体CVD工艺的前体可包括：三(二甲胺基)硅烷(TRIS)、二氯硅烷(DCS)、三硅烷胺(TSA)、双叔丁基胺基硅烷(BTBAS)、六氯二硅烷(HCDS)或六甲基环三硅氮烷(HMCTZ)。
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公开(公告)号：CN112219259B
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN201980035288.7
申请日：2019-06-05
Applicant: 应用材料公司
Inventor： E·文卡塔苏布磊曼聂 , P·曼纳 , A·B·玛里克 , S·冈迪科塔
IPC: H01L21/02 , H01L21/033 , H01L21/3115 , H01L21/265 , H01L21/67 , H01L21/683 , H01J37/32 , H01J37/317
Abstract: 本公开的实施例通常关于沉积用于图案化应用的高密度膜的技术。在一个实施例中，提供了一种处理基板的方法。该方法包括：在基板上形成的膜堆叠上方沉积碳硬模，其中基板被定位在处理腔室中设置的静电夹盘上；将离子植入碳硬模，其中沉积碳硬模和将离子植入碳硬模在相同处理腔室中执行；以及以循环方式重复沉积碳硬模和将离子植入碳硬模，直至达到预定厚度的碳硬模。
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公开(公告)号：CN119487612A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202380047491.2
申请日：2023-05-02
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 半导体处理的示例性方法可以包括向半导体处理腔室的处理区域提供含硅前驱物和含碳前驱物。含碳前驱物可由碳‑碳双键或碳‑碳三键表征。基板可以设置在半导体处理腔室的处理区域内。所述方法可包括向半导体处理腔室的处理区域提供含氧前驱物。所述方法可包括在小于或约700℃的温度下使含硅前驱物、含碳前驱物和含氧前驱物进行热反应。所述方法可包括在基板上形成含硅与碳的层。
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公开(公告)号：CN119365960A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202380045601.1
申请日：2023-05-02
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 示例性半导体处理方法可包括以下步骤：将含碳前驱物提供至半导体处理腔室的处理区域。基板可被设置在半导体处理腔室的处理区域内。基板可限定沿着基板的一个或多个特征。所述方法可包括以下步骤：在处理区域内形成含碳前驱物的等离子体。所述方法可包括以下步骤：将含碳材料沉积到基板上。含碳材料可在沿着基板的一个或多个特征内延伸。所述方法可包括以下步骤：在半导体处理腔室的处理区域内形成含氢前驱物的等离子体。所述方法可包括以下步骤：用含氢前驱物的等离子体流出物处理含碳材料。含氢前驱物的等离子体流出物可导致含碳材料的一部分被从基板去除。
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