公开(公告)号：US4591401A

公开(公告)日：1986-05-27

申请号：US625722

申请日：1984-06-28

申请人： Arno Neidig ,  Klaus Bunk ,  Karl-Heinz Thiele ,  Georg Wahl ,  Jens Gobrecht

发明人： Arno Neidig ,  Klaus Bunk ,  Karl-Heinz Thiele ,  Georg Wahl ,  Jens Gobrecht

IPC分类号： B23K1/19 ,  C04B37/02 ,  H05K1/03 ,  H05K3/38 ,  B32B31/06 ,  B32B31/12 ,  B32B31/22

CPC分类号： H05K3/385 ,  C04B35/653 ,  C04B37/021 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/6583 ,  C04B2237/34 ,  C04B2237/40 ,  C04B2237/54 ,  H05K1/0306 ,  Y10S228/903 ,  Y10T156/1064

摘要： In directly bonding a metal to ceramics, in accordance with the invention, that surface of a metal component which is to be bonded by heating to a ceramic substrate is provided with parallel-running grooves before the preoxidation. The grooves make it possible to optimize the quantity of oxygen available at the bonding location and provide good flow behavior of the melt. As a result, a bond with good adhesion is obtained. Moreover, there is no formation of a thicker oxide layer on the free smooth surface of the metal component.

摘要翻译： 在将金属直接接合到陶瓷中时，根据本发明，通过加热到陶瓷基板而被接合的金属成分的表面在预氧化之前设置有平行的槽​​。 凹槽使得可以优化在接合位置处可用的氧气量并且提供熔体的良好的流动行为。 结果，获得了具有良好粘附性的粘结。 此外，在金属组分的自由光滑表面上没有形成更厚的氧化物层。

公开(公告)号：US4292566A

公开(公告)日：1981-09-29

申请号：US65733

申请日：1979-08-10

申请人： Hinrich Heynisch ,  Erwin Huebner ,  Heinz Barth

发明人： Hinrich Heynisch ,  Erwin Huebner ,  Heinz Barth

IPC分类号： C04B37/02 ,  H01J23/26 ,  H01J25/34

CPC分类号： C04B37/026 ,  H01J23/26 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2237/124 ,  C04B2237/126 ,  C04B2237/34 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/407 ,  C04B2237/54 ,  C04B2237/765 ,  C04B2237/78

摘要： A traveling wave tube having a helical delay line has a plurality of dielectric holding rods for supporting the delay line relative to a vacuum envelope. The holding rods are firmly adhered to the delay line and the envelope by means of solid-state reactions.

摘要翻译： 具有螺旋延迟线的行波管具有用于相对于真空外壳支撑延迟线的多个电介质保持杆。 固定杆通过固态反应牢固地粘附到延迟线和外壳上。

公开(公告)号：US3993411A

公开(公告)日：1976-11-23

申请号：US549440

申请日：1975-02-12

申请人： Guy L. Babcock ,  Walter M. Bryant ,  Constantine A. Neugebauer ,  James F. Burgess

发明人： Guy L. Babcock ,  Walter M. Bryant ,  Constantine A. Neugebauer ,  James F. Burgess

IPC分类号： C04B37/02 ,  H05K1/03 ,  H05K3/38

CPC分类号： C04B37/02 ,  C04B37/021 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6586 ,  C04B2237/06 ,  C04B2237/08 ,  C04B2237/34 ,  C04B2237/341 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/40 ,  C04B2237/403 ,  C04B2237/405 ,  C04B2237/406 ,  C04B2237/407 ,  C04B2237/408 ,  C04B2237/54 ,  C04B2237/60 ,  C04B2237/706 ,  C04B2237/708 ,  C04B2237/74 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/38 ,  Y10S228/903 ,  Y10T403/478 ,  Y10T403/74

摘要： A direct bond between metallic members and non-metallic members is achieved at elevated temperatures in a controlled reactive atmosphere without resorting to the use of electroless plating, vacuum deposition or intermediate metals. A metal member such as copper, for example, is placed in contact with a non-metallic substrate, such as alumina, the metal member and the substrate are heated to a temperature slightly below the melting of the metal, e.g., between approximately 1065.degree. and 1080.degree. C. for copper, with the heating being performed in a reactive atmosphere, such as an oxidizing atmosphere, for a sufficient time to create a copper-copper oxide eutectic melt which, upon cooling, bonds the copper to the substrate. Various metals, non-metals and reactive gases are described for direct bonding.

摘要翻译： 金属构件和非金属构件之间的直接结合在受控的反应气氛中在升高的温度下实现，而不需要使用无电镀，真空沉积或中间金属。 诸如铜的金属构件例如被放置成与诸如氧化铝的非金属基底接触，金属构件和基底被加热到略低于金属熔化的温度，例如约1065度 对于铜，在反应性气氛如氧化气氛中进行加热足够的时间以产生铜 - 铜 - 氧化物共晶熔体，其在冷却时将铜结合到基底上。 描述了用于直接粘合的各种金属，非金属和反应性气体。

公开(公告)号：US09730310B2

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：US14350661

申请日：2013-02-13

申请人： Curamik Electronics GmbH

发明人： Andreas Meyer ,  Christoph Wehe ,  Jürgen Schulz-Harder ,  Karsten Schmidt

IPC分类号： H05K1/02 ,  H05K3/38 ,  C04B37/00 ,  B32B15/04 ,  B32B15/20 ,  C04B37/02 ,  B32B9/00

CPC分类号： H05K1/0201 ,  B32B9/005 ,  B32B15/04 ,  B32B15/20 ,  C04B37/006 ,  C04B37/008 ,  C04B37/021 ,  C04B37/026 ,  C04B37/028 ,  C04B2237/121 ,  C04B2237/124 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/365 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/368 ,  C04B2237/402 ,  C04B2237/407 ,  C04B2237/54 ,  C04B2237/704 ,  C04B2237/706 ,  C04B2237/86 ,  H05K3/38 ,  Y10T156/10 ,  Y10T428/12535 ,  Y10T428/26 ,  Y10T428/266

摘要： A metal-ceramic substrate having at least one ceramic layer (2), which is provided on a first surface side (2a) with at least one first metallization (3) and on a second surface side (2b), opposite from the first surface side (2a), with a second metallization (4), wherein the first metallization (3) is formed by a film or layer of copper or a copper alloy and is connected to the first surface side (2a) of the ceramic layer (2) with the aid of a “direct copper bonding” process. The second metallization (4) is formed by a layer of aluminum or an aluminum alloy.

公开(公告)号：US09586382B2

公开(公告)日：2017-03-07

申请号：US13354176

申请日：2012-01-19

申请人： Wei-Hsing Tuan ,  Shao-Kuan Lee

发明人： Wei-Hsing Tuan ,  Shao-Kuan Lee

IPC分类号： B32B15/20 ,  H01L23/373 ,  H05K3/38 ,  B32B18/00 ,  C04B37/02 ,  H05K1/03 ,  H05K3/18

CPC分类号： B32B15/20 ,  B32B18/00 ,  B32B2311/00 ,  B32B2315/02 ,  B32B2457/00 ,  C04B37/026 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2237/062 ,  C04B2237/12 ,  C04B2237/122 ,  C04B2237/123 ,  C04B2237/125 ,  C04B2237/34 ,  C04B2237/341 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/368 ,  C04B2237/407 ,  C04B2237/54 ,  C04B2237/56 ,  C04B2237/58 ,  C04B2237/597 ,  C04B2237/60 ,  C04B2237/704 ,  C04B2237/706 ,  C04B2237/708 ,  C04B2237/72 ,  H01L23/3735 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/09701 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/181 ,  H05K3/388 ,  H05K2201/0355 ,  H05K2201/068 ,  H05K2203/072 ,  Y10T428/12479 ,  Y10T428/249984 ,  H01L2924/00014

摘要： A ceramic/metal composite structure includes an aluminum oxide substrate, an interface bonding layer and a copper sheet. The interface bonding layer is disposed on the aluminum oxide substrate. The copper sheet is disposed on the interface bonding layer. The interface bonding layer bonds the aluminum oxide substrate to the copper sheet. Some pores are formed near or in the interface bonding layer. A porosity of the interface bonding layer is substantially smaller than or equal to 25%.

摘要翻译： 陶瓷/金属复合结构包括氧化铝衬底，界面粘合层和铜片。 界面接合层设置在氧化铝基板上。 铜片设置在界面结合层上。 界面结合层将氧化铝基板与铜片结合。 在界面结合层附近或之中形成一些孔。 界面结合层的孔隙率基本上小于或等于25％。

公开(公告)号：US09507062B2

公开(公告)日：2016-11-29

申请号：US14547318

申请日：2014-11-19

申请人： Berliner Glas KGaA Herbert Kubatz GmbH & Co.

发明人： Carsten Pampuch ,  Khaldoun Halalo ,  Volker Schmidt

IPC分类号： H05K3/00 ,  C03C15/00 ,  B01F11/00 ,  G02B5/10 ,  B32B17/06 ,  B32B18/00 ,  B32B38/10 ,  B32B17/00 ,  B32B38/18 ,  C04B37/04 ,  B32B37/10 ,  B32B38/00

CPC分类号： G02B5/10 ,  B32B17/00 ,  B32B17/06 ,  B32B18/00 ,  B32B37/10 ,  B32B38/0008 ,  B32B38/0012 ,  B32B38/10 ,  B32B38/1866 ,  B32B2309/02 ,  B32B2315/02 ,  B32B2551/00 ,  C04B37/042 ,  C04B37/045 ,  C04B2237/062 ,  C04B2237/365 ,  C04B2237/52 ,  C04B2237/54 ,  C04B2237/70 ,  C04B2237/76 ,  C04B2237/84 ,  Y10T156/10 ,  Y10T156/1028 ,  Y10T428/24521

摘要： In a method for solid body joining of a carrier body (10) and a cover layer (20), in particular by anodic bonding, the cover layer (20) is pressed with a pressing force against a curved carrier body surface (11), wherein the pressing force during the solid body joining is distributed by way of a pressure intermediary device (30) areally and simultaneously over the whole cover layer (20) and is directed perpendicularly to the curvature of the carrier body surface (11). A composite component comprising a carrier body (10) and a cover layer (20) is also disclosed, wherein a curved areal joining region (13) is formed between a cover layer surface (21) and a carrier body surface (11).

摘要翻译： 特别是通过阳极接合的承载体（10）和覆盖层（20）的固体接合方法中，覆盖层（20）以对弯曲载体体表面（11）的挤压力被按压， 其中，所述固体接合期间的按压力通过压力中间装置（30）分布并且同时在整个覆盖层（20）上分布，并垂直于载体主体表面（11）的曲率。 还公开了一种包括载体主体（10）和覆盖层（20）的复合部件，其中在覆盖层表面（21）和载体主体表面（11）之间形成弯曲的面接合区域（13）。

公开(公告)号：US09480144B2

公开(公告)日：2016-10-25

申请号：US14387720

申请日：2013-03-29

申请人： MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION

发明人： Yoshiyuki Nagatomo ,  Nobuyuki Terasaki ,  Yoshirou Kuromitsu

IPC分类号： H05K1/02 ,  H05K1/18 ,  H01L23/36 ,  H01L23/373 ,  H01L23/40 ,  H01L23/473 ,  H05K1/09 ,  B23K1/012 ,  B23K1/00 ,  B23K1/008 ,  B23K20/02 ,  B23K20/16 ,  B23K20/233 ,  H01L21/48 ,  C04B37/02 ,  H01L23/00

CPC分类号： B23K1/012 ,  B23K1/0012 ,  B23K1/0016 ,  B23K1/008 ,  B23K20/023 ,  B23K20/16 ,  B23K20/2333 ,  B23K2101/42 ,  B23K2103/10 ,  B23K2103/172 ,  B23K2103/18 ,  C04B37/021 ,  C04B37/026 ,  C04B2237/124 ,  C04B2237/125 ,  C04B2237/128 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/368 ,  C04B2237/407 ,  C04B2237/54 ,  C04B2237/60 ,  H01L21/4882 ,  H01L23/36 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/4006 ,  H01L23/473 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2924/13055 ,  H05K1/0203 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/014

摘要： A power module substrate including an insulating substrate, a circuit layer formed on one surface of the insulating substrate, and a metal layer formed on the other surface of the insulating substrate, wherein the circuit layer is composed of copper or a copper alloy, one surface of this circuit layer functions as an installation surface on which an electronic component is installed, the metal layer is formed by bonding an aluminum sheet composed of aluminum or an aluminum alloy, a thickness t1 of the circuit layer is within a range of 0.1 mm≦t1≦0.6 mm, a thickness t2 of the metal layer is within a range of 0.5 mm≦t2≦6 mm, and the relationship between the thickness t1 of the circuit layer and the thickness t2 of the metal layer satisfies t1

摘要翻译： 一种功率模块基板，包括绝缘基板，形成在绝缘基板的一个表面上的电路层和形成在绝缘基板的另一个表面上的金属层，其中电路层由铜或铜合金构成，一个表面 该电路层作为安装有电子部件的安装面的功能，通过将由铝或铝合金构成的铝板接合而形成金属层，电路层的厚度t1在0.1mm≤ t1≤0.6mm，金属层的厚度t2在0.5mm≤t2≤6mm的范围内，电路层的厚度t1与金属层的厚度t2之间的关系满足t1

公开(公告)号：US09066433B2

公开(公告)日：2015-06-23

申请号：US14238097

申请日：2012-08-10

申请人： Yoshirou Kuromitsu ,  Yoshiyuki Nagatomo ,  Nobuyuki Terasaki ,  Toshio Sakamoto ,  Kazunari Maki ,  Hiroyuki Mori ,  Isao Arai

发明人： Yoshirou Kuromitsu ,  Yoshiyuki Nagatomo ,  Nobuyuki Terasaki ,  Toshio Sakamoto ,  Kazunari Maki ,  Hiroyuki Mori ,  Isao Arai

IPC分类号： H01L23/10 ,  H01L23/34 ,  H05K3/10 ,  H01L23/373 ,  H05K1/09 ,  H05K3/38 ,  H05K1/02 ,  C04B35/645 ,  C04B37/02 ,  H05K1/03 ,  H05K3/00 ,  H01L23/00

CPC分类号： H05K3/103 ,  B23K35/0222 ,  B23K35/0233 ,  B23K35/0238 ,  B23K35/262 ,  B23K35/3006 ,  C04B35/645 ,  C04B37/021 ,  C04B37/025 ,  C04B37/026 ,  C04B2237/064 ,  C04B2237/121 ,  C04B2237/124 ,  C04B2237/125 ,  C04B2237/127 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/402 ,  C04B2237/407 ,  C04B2237/54 ,  C04B2237/60 ,  C04B2237/704 ,  C04B2237/706 ,  C04B2237/708 ,  C04B2237/86 ,  C22C9/00 ,  C22C13/00 ,  C22C21/00 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/3736 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2924/01322 ,  H05K1/0204 ,  H05K1/0306 ,  H05K1/09 ,  H05K3/0061 ,  H05K3/38 ,  Y10T29/49155 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00

摘要： A power module substrate includes an insulating substrate, and a circuit layer that is formed on one surface of the insulating substrate. The circuit layer is formed by bonding a first copper plate onto one surface of the insulating substrate. Prior to bonding, the first copper plate has a composition containing at least either a total of 1 to 100 mol ppm of one or more kinds among an alkaline-earth element, a transition metal element, and a rare-earth element, or 100 to 1000 mol ppm of boron, the remainder being copper and unavoidable impurities.

摘要翻译： 功率模块基板包括绝缘基板和形成在绝缘基板的一个表面上的电路层。 电路层通过将第一铜板接合到绝缘基板的一个表面上而形成。 在接合之前，第一铜板具有在碱土金属元素，过渡金属元素和稀土元素中至少含有1〜100摩尔ppm的一种或多种的组合物，或100〜 1000摩尔ppm的硼，其余为铜和不可避免的杂质。

公开(公告)号：US08876996B2

公开(公告)日：2014-11-04

申请号：US13158190

申请日：2011-06-10

申请人： Werner Weidenauer ,  Thomas Spann ,  Heiko Knoll

发明人： Werner Weidenauer ,  Thomas Spann ,  Heiko Knoll

IPC分类号： C04B37/02 ,  H05K3/38 ,  H05K3/00 ,  H05K1/03

CPC分类号： C04B37/021 ,  C04B37/025 ,  C04B2235/9623 ,  C04B2237/06 ,  C04B2237/341 ,  C04B2237/407 ,  C04B2237/54 ,  C04B2237/56 ,  C04B2237/561 ,  C04B2237/568 ,  C04B2237/62 ,  C04B2237/704 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/007 ,  H05K3/385 ,  H05K2203/016

摘要： The invention relates to a method for the manufacture of double-sided metallized ceramic substrates according to the direct-bonding process. The method enables a ceramic substrate to be bonded to a metal plate or foil on the upper side and the underside in only one process sequence. The composite to be bonded is located on a specially designed carrier structured on the upper side with a plurality of contact points. After the bonding process the composite of metal plates and ceramic substrate can be detached from the carrier free of any residue.

摘要翻译： 本发明涉及根据直接粘合工艺制造双面金属化陶瓷基板的方法。 该方法使得陶瓷基板仅以一个工艺顺序与上侧和下侧的金属板或箔结合。 要结合的复合物位于具有多个接触点的上侧上构造的特别设计的载体上。 在接合工艺之后，金属板和陶瓷基板的复合物可以从没有任何残留物的载体上分离出来。

公开(公告)号：US20140192486A1

公开(公告)日：2014-07-10

申请号：US14238097

申请日：2012-08-10

申请人： Yoshirou Kuromitsu ,  Yoshiyuki Nagatomo ,  Nobuyuki Terasaki ,  Toshio Sakamoto ,  Kazunari Maki ,  Hiroyuki Mori ,  Isao Arai

发明人： Yoshirou Kuromitsu ,  Yoshiyuki Nagatomo ,  Nobuyuki Terasaki ,  Toshio Sakamoto ,  Kazunari Maki ,  Hiroyuki Mori ,  Isao Arai

IPC分类号： H05K1/09 ,  H05K1/02 ,  H05K3/10

CPC分类号： H05K3/103 ,  B23K35/0222 ,  B23K35/0233 ,  B23K35/0238 ,  B23K35/262 ,  B23K35/3006 ,  C04B35/645 ,  C04B37/021 ,  C04B37/025 ,  C04B37/026 ,  C04B2237/064 ,  C04B2237/121 ,  C04B2237/124 ,  C04B2237/125 ,  C04B2237/127 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/402 ,  C04B2237/407 ,  C04B2237/54 ,  C04B2237/60 ,  C04B2237/704 ,  C04B2237/706 ,  C04B2237/708 ,  C04B2237/86 ,  C22C9/00 ,  C22C13/00 ,  C22C21/00 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/3736 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2924/01322 ,  H05K1/0204 ,  H05K1/0306 ,  H05K1/09 ,  H05K3/0061 ,  H05K3/38 ,  Y10T29/49155 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00

摘要： A power module substrate includes an insulating substrate, and a circuit layer that is formed on one surface of the insulating substrate. The circuit layer is formed by bonding a first copper plate onto one surface of the insulating substrate. Prior to bonding, the first copper plate has a composition containing at least either a total of 1 to 100 mol ppm of one or more kinds among an alkaline-earth element, a transition metal element, and a rare-earth element, or 100 to 1000 mol ppm of boron, the remainder being copper and unavoidable impurities.

摘要翻译： 功率模块基板包括绝缘基板和形成在绝缘基板的一个表面上的电路层。 电路层通过将第一铜板接合到绝缘基板的一个表面上而形成。 在接合之前，第一铜板具有在碱土金属元素，过渡金属元素和稀土元素中至少含有1〜100摩尔ppm的一种或多种的组合物，或100〜 1000摩尔ppm的硼，其余为铜和不可避免的杂质。