公开(公告)号：CN114551465A

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN202111287019.5

申请日：2021-11-02

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 川嶋祥之 ,  井上真雄

IPC分类号： H01L27/1157 ,  H01L29/423 ,  H01L29/51

摘要： 本公开涉及半导体器件。一种作为非易失性存储器单元的存储器单元包括：具有能够保持电荷的电荷存储层的栅极绝缘膜、以及形成在栅极绝缘膜上的存储器栅极电极。电荷存储层包括包含铪和硅的第一绝缘膜、以及形成在第一绝缘膜上并且包含铪和硅的第二绝缘膜。这里，第一绝缘膜的铪浓度低于第二绝缘膜的铪浓度，并且第一绝缘膜的带隙大于第二绝缘膜的带隙。

公开(公告)号：CN105140275A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201510290946.0

申请日：2015-05-29

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 井上真雄 ,  丸山祥辉 ,  齐藤朋也 ,  吉富敦司

IPC分类号： H01L29/51 ,  H01L27/115 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L21/28282 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/792 ,  H01L29/511 ,  H01L21/28 ,  H01L21/823462 ,  H01L27/115

摘要： 本公开涉及半导体器件及其制造方法。实现包括存储器元件的半导体器件的性能的改善。在半导体衬底之上，经由作为用于存储器元件的栅极绝缘膜的绝缘膜，形成用于存储器元件的栅极电极。绝缘膜包括依次远离衬底的第一绝缘膜、第二绝缘膜、第三绝缘膜、第四绝缘膜和第五绝缘膜。第二绝缘膜具有电荷存储功能。第一绝缘膜和第三绝缘膜中的每一个绝缘膜的带隙大于第二绝缘膜的带隙。第四绝缘膜的带隙小于第三绝缘膜的带隙。第五绝缘膜的带隙小于第四绝缘膜的带隙。

公开(公告)号：CN110729301A

公开(公告)日：2020-01-24

申请号：CN201910521429.8

申请日：2019-06-17

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 井上真雄 ,  门岛胜 ,  川嶋祥之 ,  山川市朗

IPC分类号： H01L27/11568 ,  H01L29/423 ,  H01L29/51 ,  H01L21/28

摘要： 本公开的实施例涉及半导体器件及其制造方法。一种作为非易失性存储器单元的存储器单元包括栅极电介质膜，其具有能够保持电荷的电荷存储层，以及存储器栅电极，其形成在栅极电介质膜上。电荷存储层包括绝缘膜，其包含铪、硅和氧插入层，其形成在绝缘膜上并且包含铝，以及绝缘膜，其形成在插入层上并且包含铪、硅和氧。

公开(公告)号：CN107799609A

公开(公告)日：2018-03-13

申请号：CN201710679467.7

申请日：2017-08-10

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 川岛祥之 ,  井上真雄 ,  吉富敦司

IPC分类号： H01L29/792 ,  H01L27/11568 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/792 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11573 ,  H01L29/40117 ,  H01L29/42344 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7856 ,  H01L27/11568

摘要： 本发明涉及半导体器件及其制造方法。一种存储单元，其包括控制栅电极和存储栅电极。控制栅电极被形成在包括半导体衬底一部分的鳍FA的上表面和侧壁上方。存储栅电极在相邻于控制栅电极的一个侧表面的位置中通过ONO膜被形成在控制栅电极的一个侧表面以及鳍的上表面和侧壁上方。而且，控制栅电极和存储栅电极由n型多晶硅形成。第一金属膜被设置在栅电极和控制栅电极之间。第二金属膜被设置在ONO膜和存储栅电极之间。第一金属膜的功函数大于第二金属膜的功函数。

公开(公告)号：CN107799609B

公开(公告)日：2022-08-12

申请号：CN201710679467.7

申请日：2017-08-10

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 川岛祥之 ,  井上真雄 ,  吉富敦司

IPC分类号： H01L29/792 ,  H01L27/11568 ,  H01L21/28

摘要： 本发明涉及半导体器件及其制造方法。一种存储单元，其包括控制栅电极和存储栅电极。控制栅电极被形成在包括半导体衬底一部分的鳍FA的上表面和侧壁上方。存储栅电极在相邻于控制栅电极的一个侧表面的位置中通过ONO膜被形成在控制栅电极的一个侧表面以及鳍的上表面和侧壁上方。而且，控制栅电极和存储栅电极由n型多晶硅形成。第一金属膜被设置在栅电极和控制栅电极之间。第二金属膜被设置在ONO膜和存储栅电极之间。第一金属膜的功函数大于第二金属膜的功函数。

公开(公告)号：CN104425576B

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201410371208.4

申请日：2014-07-30

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 水谷齐治 ,  井上真雄 ,  梅田浩司 ,  门岛胜

IPC分类号： H01L29/51 ,  H01L29/792 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

摘要： 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，提高具有存储元件的半导体器件的性能。在半导体衬底(SB)上形成存储元件用的栅极绝缘膜即绝缘膜(MZ)，在绝缘膜(MZ)上形成存储元件用的栅极(MG)。绝缘膜(MZ)具有第一绝缘膜、第一绝缘膜之上的第二绝缘膜和第二绝缘膜之上的第三绝缘膜，第二绝缘膜是具有电荷累积功能的高介电常数绝缘膜，并含有铪、硅和氧。第一绝缘膜及第三绝缘膜的各自的带隙比第二绝缘膜的带隙大。

公开(公告)号：CN110729301B

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN201910521429.8

申请日：2019-06-17

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 井上真雄 ,  门岛胜 ,  川嶋祥之 ,  山川市朗

IPC分类号： H10B43/30 ,  H01L29/423 ,  H01L29/51 ,  H01L21/28

摘要： 本公开的实施例涉及半导体器件及其制造方法。一种作为非易失性存储器单元的存储器单元包括栅极电介质膜，其具有能够保持电荷的电荷存储层，以及存储器栅电极，其形成在栅极电介质膜上。电荷存储层包括绝缘膜，其包含铪、硅和氧插入层，其形成在绝缘膜上并且包含铝，以及绝缘膜，其形成在插入层上并且包含铪、硅和氧。

公开(公告)号：CN104009037B

公开(公告)日：2019-01-22

申请号：CN201410067215.5

申请日：2014-02-26

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 井上真雄 ,  丸山祥辉 ,  西田彰男 ,  国宗依信 ,  舟山幸太

IPC分类号： H01L27/105 ,  H01L21/8239

摘要： 本发明涉及半导体器件及其制造方法。为了控制层叠多晶硅膜的晶粒生长，提供一种制造半导体器件的方法。该方法包括：在衬底上（10）形成第一多晶硅膜（21）；在第一多晶硅膜（21）的表面上形成层间氧化物层（22）；在第一多晶硅膜（21）上方形成与层间氧化物层（22）接触的第二多晶硅膜（23）；以及在形成第二多晶硅膜（23）之后，在包含氮的气体气氛下，在高于第一和第二多晶硅膜的膜形成温度的温度下执行退火。

公开(公告)号：CN104425576A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201410371208.4

申请日：2014-07-30

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 水谷齐治 ,  井上真雄 ,  梅田浩司 ,  门岛胜

IPC分类号： H01L29/51 ,  H01L29/792 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/792 ,  H01L21/02148 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/02359 ,  H01L21/28229 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/511 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/51 ,  H01L21/28

摘要： 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，提高具有存储元件的半导体器件的性能。在半导体衬底(SB)上形成存储元件用的栅极绝缘膜即绝缘膜(MZ)，在绝缘膜(MZ)上形成存储元件用的栅极(MG)。绝缘膜(MZ)具有第一绝缘膜、第一绝缘膜之上的第二绝缘膜和第二绝缘膜之上的第三绝缘膜，第二绝缘膜是具有电荷累积功能的高介电常数绝缘膜，并含有铪、硅和氧。第一绝缘膜及第三绝缘膜的各自的带隙比第二绝缘膜的带隙大。

公开(公告)号：CN102612736A

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN200980161790.9

申请日：2009-10-06

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 山下朋弘 ,  西田征男 ,  林岳 ,  山本芳树 ,  井上真雄

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/314 ,  H01L21/316 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L21/823857 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/28194 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

摘要： 制造一种包括n沟道型MISFET(Qn)的半导体器件，该n沟道型MISFET(Qn)具有含有铪、稀土类元素和氧作为主要成分的作为高介电常数栅绝缘膜的含Hf绝缘膜(5)和作为金属栅电极的栅电极(GE1)。含Hf绝缘膜(5)是从下面起依次形成含有铪和氧作为主要成分的第一含Hf膜、含有稀土类元素作为主要成分的稀土类膜、和含有铪和氧作为主要成分的第二含Hf膜，使它们发生反应而形成的。