公开(公告)号：CN104637964A

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201410641781.2

申请日：2014-11-06

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 西田征男 ,  山下朋弘 ,  山本有纪

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/82 ,  H01L21/28 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14612 ,  H01L27/14614 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689

Abstract: 本发明提供了一种固态图像传感器件及其制造方法，改善了图像传感器的性能。在平面图中，氟被引入到放大晶体管的栅极电极GE1中的与沟道区域重叠的部分中，但不被引入到半导体衬底1S的内部中。具体地，如图20所示，按照使栅极电极GE1中的与沟道区域平面地重叠的部分开口的方式，对抗蚀膜FR1进行图案化。然后，将其中形成开口OP1的抗蚀膜FR1用作掩膜，通过离子注入法，将氟注射到从开口OP1中暴露出来的栅极电极GE1的内部中。

公开(公告)号：CN104009004A

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN201410062175.5

申请日：2014-02-24

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 西田征男 ,  山下朋弘

IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/792 ,  H01L21/28008 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/11563 ,  H01L27/11573 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/42344 ,  H01L29/66833

Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法和半导体装置。目的在于改善半导体装置的性能。在一种半导体装置的制造方法中，在其表面上形成有绝缘膜的半导体衬底上形成金属膜，随后去除存储单元区域内的所述金属膜，而保留外围电路区域的一部分内的金属膜。接下来，在半导体衬底上形成硅膜，然后在所述存储单元区域内使所述硅膜图案化，而在外围电路区域内保留所述硅膜以使得残留金属膜的外周部由硅膜覆盖。随后在外围电路区域中，使硅膜、金属膜和绝缘膜图案化以形成由所述绝缘膜构成的绝缘膜部、由所述金属膜构成的金属膜部以及所述硅膜构成的导电膜部。

公开(公告)号：CN102612736A

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN200980161790.9

申请日：2009-10-06

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 山下朋弘 ,  西田征男 ,  林岳 ,  山本芳树 ,  井上真雄

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/314 ,  H01L21/316 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/823857 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/28194 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

Abstract: 制造一种包括n沟道型MISFET(Qn)的半导体器件，该n沟道型MISFET(Qn)具有含有铪、稀土类元素和氧作为主要成分的作为高介电常数栅绝缘膜的含Hf绝缘膜(5)和作为金属栅电极的栅电极(GE1)。含Hf绝缘膜(5)是从下面起依次形成含有铪和氧作为主要成分的第一含Hf膜、含有稀土类元素作为主要成分的稀土类膜、和含有铪和氧作为主要成分的第二含Hf膜，使它们发生反应而形成的。

公开(公告)号：CN104795415A

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201410844246.7

申请日：2014-12-30

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 山本有纪 ,  西田征男 ,  山下朋弘

IPC: H01L27/146 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L27/14689 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  H01L21/76897 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14614 ,  H01L27/14616 ,  H01L27/14641 ,  H01L27/14812 ,  H01L27/14831 ,  H01L27/14887 ,  H01L29/1091 ,  H01L29/42396

Abstract: 在光电二极管的占用面积扩大的情况下，半导体器件的性能通过抑制在外围晶体管中产生1/f噪声而得到改善，其中，所述光电二极管被包括在形成摄像装置的多个像素中的每一个像素中。在所述半导体器件中，放大晶体管的栅极由有源区上方的栅极部分和覆盖有源区和元件隔离区之间的边界以及所述边界附近的有源区的大宽度部分构成，所述大宽度部分的栅极长度大于所述栅极部分的栅极长度。

公开(公告)号：CN104637964B

公开(公告)日：2019-05-10

申请号：CN201410641781.2

申请日：2014-11-06

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 西田征男 ,  山下朋弘 ,  山本有纪

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/82 ,  H01L21/28 ,  H04N5/335

Abstract: 本发明提供了一种固态图像传感器件及其制造方法，改善了图像传感器的性能。在平面图中，氟被引入到放大晶体管的栅极电极GE1中的与沟道区域重叠的部分中，但不被引入到半导体衬底1S的内部中。具体地，如图20所示，按照使栅极电极GE1中的与沟道区域平面地重叠的部分开口的方式，对抗蚀膜FR1进行图案化。然后，将其中形成开口OP1的抗蚀膜FR1用作掩膜，通过离子注入法，将氟注射到从开口OP1中暴露出来的栅极电极GE1的内部中。

公开(公告)号：CN104009004B

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201410062175.5

申请日：2014-02-24

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 西田征男 ,  山下朋弘

IPC: H01L27/11573 ,  H01L29/792 ,  H01L21/28 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L27/11563 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法和半导体装置。目的在于改善半导体装置的性能。在一种半导体装置的制造方法中，在其表面上形成有绝缘膜的半导体衬底上形成金属膜，随后去除存储单元区域内的所述金属膜，而保留外围电路区域的一部分内的金属膜。接下来，在半导体衬底上形成硅膜，然后在所述存储单元区域内使所述硅膜图案化，而在外围电路区域内保留所述硅膜以使得残留金属膜的外周部由硅膜覆盖。随后在外围电路区域中，使硅膜、金属膜和绝缘膜图案化以形成由所述绝缘膜构成的绝缘膜部、由所述金属膜构成的金属膜部以及所述硅膜构成的导电膜部。