公开(公告)号：CN104795415A

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201410844246.7

申请日：2014-12-30

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 山本有纪 ,  西田征男 ,  山下朋弘

IPC: H01L27/146 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L27/14689 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  H01L21/76897 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14614 ,  H01L27/14616 ,  H01L27/14641 ,  H01L27/14812 ,  H01L27/14831 ,  H01L27/14887 ,  H01L29/1091 ,  H01L29/42396

Abstract: 在光电二极管的占用面积扩大的情况下，半导体器件的性能通过抑制在外围晶体管中产生1/f噪声而得到改善，其中，所述光电二极管被包括在形成摄像装置的多个像素中的每一个像素中。在所述半导体器件中，放大晶体管的栅极由有源区上方的栅极部分和覆盖有源区和元件隔离区之间的边界以及所述边界附近的有源区的大宽度部分构成，所述大宽度部分的栅极长度大于所述栅极部分的栅极长度。

公开(公告)号：CN106469733B

公开(公告)日：2021-12-07

申请号：CN201610675875.0

申请日：2016-08-16

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 山本有纪 ,  山下朋弘

IPC: H01L27/11563 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11568

Abstract: 本发明提供一种能够提高半导体装置的性能的半导体装置的制造方法。在电阻元件形成区域(RR)中，在半导体基板(SB)上形成由硅构成的膜(CF1)，向膜(CF1)离子注入由从第14族元素及第18族元素所构成的组中选择出的至少一种元素形成的杂质，形成由离子注入了杂质的部分的膜(CF1)构成的膜部(CF12)。接下来，在存储器形成区域(MR)中，在半导体基板(SB)上形成内部具有电荷蓄积部的绝缘膜(IFG)，在绝缘膜(IFG)上形成导电膜(CF2)。

公开(公告)号：CN104637964B

公开(公告)日：2019-05-10

申请号：CN201410641781.2

申请日：2014-11-06

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 西田征男 ,  山下朋弘 ,  山本有纪

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/82 ,  H01L21/28 ,  H04N5/335

Abstract: 本发明提供了一种固态图像传感器件及其制造方法，改善了图像传感器的性能。在平面图中，氟被引入到放大晶体管的栅极电极GE1中的与沟道区域重叠的部分中，但不被引入到半导体衬底1S的内部中。具体地，如图20所示，按照使栅极电极GE1中的与沟道区域平面地重叠的部分开口的方式，对抗蚀膜FR1进行图案化。然后，将其中形成开口OP1的抗蚀膜FR1用作掩膜，通过离子注入法，将氟注射到从开口OP1中暴露出来的栅极电极GE1的内部中。

公开(公告)号：CN118629980A

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202410125239.5

申请日：2024-01-30

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 山本有纪 ,  有江宽之

IPC: H01L23/485

Abstract: 一种半导体器件，包括：具有第一主表面和第二主表面的半导体衬底、多个层间介电膜和堆叠在第一主表面上的多个布线层。多个层间介电膜中的每个层间介电膜插入多个布线层中的两个相邻布线层之间以及在第一方向上最靠近第一主表面的多个布线层中的一个布线层与第一主表面之间。朝向第二主表面凹陷的沟槽形成在第一主表面上。沟槽包括沿第二方向延伸的直线部分。多个布线层具有在第一方向上离第一主表面最远的第一布线层和在第一方向上与第一布线层相邻的离第一主表面最远的第二布线层。

公开(公告)号：CN106469733A

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201610675875.0

申请日：2016-08-16

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 山本有纪 ,  山下朋弘

IPC: H01L27/11563 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11568

CPC classification number: H01L27/11573 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/088 ,  H01L27/0922 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11575 ,  H01L28/20 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明提供一种能够提高半导体装置的性能的半导体装置的制造方法。在电阻元件形成区域(RR)中，在半导体基板(SB)上形成由硅构成的膜(CF1)，向膜(CF1)离子注入由从第14族元素及第18族元素所构成的组中选择出的至少一种元素形成的杂质，形成由离子注入了杂质的部分的膜(CF1)构成的膜部(CF12)。接下来，在存储器形成区域(MR)中，在半导体基板(SB)上形成内部具有电荷蓄积部的绝缘膜(IFG)，在绝缘膜(IFG)上形成导电膜(CF2)。

公开(公告)号：CN104637964A

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201410641781.2

申请日：2014-11-06

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 西田征男 ,  山下朋弘 ,  山本有纪

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/82 ,  H01L21/28 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14612 ,  H01L27/14614 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689

Abstract: 本发明提供了一种固态图像传感器件及其制造方法，改善了图像传感器的性能。在平面图中，氟被引入到放大晶体管的栅极电极GE1中的与沟道区域重叠的部分中，但不被引入到半导体衬底1S的内部中。具体地，如图20所示，按照使栅极电极GE1中的与沟道区域平面地重叠的部分开口的方式，对抗蚀膜FR1进行图案化。然后，将其中形成开口OP1的抗蚀膜FR1用作掩膜，通过离子注入法，将氟注射到从开口OP1中暴露出来的栅极电极GE1的内部中。