公开(公告)号：CN101715039B

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN200910174559.5

申请日：2009-09-28

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 神户秀夫

IPC: H04N5/372 ,  H04N5/361 ,  H04N5/3722 ,  H01L27/148

CPC classification number: H04N5/37213 ,  H01L27/14843 ,  H01L27/14887 ,  H04N5/361 ,  H04N5/3722

Abstract: 本发明公开了固态图像拍摄装置及其驱动方法和电子设备。该固态图像拍摄装置包括：多个感光部分；多个竖直转移寄存器，其被构造成在竖直方向上转移多个感光部分的信号电荷；水平转移寄存器，其被构造成在水平方向上转移信号电荷；浮动栅放大器，其被置于水平转移寄存器的输出侧；浮动扩散放大器，其被置于设置在浮动栅放大器的后级处的水平转移寄存器中；以及溢流排出机构，其被置于浮动栅放大器和浮动扩散放大器之间的水平转移寄存器中。

公开(公告)号：CN102246303A

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN200980149790.7

申请日：2009-12-07

Applicant: 伊斯曼柯达公司

Inventor： 埃德蒙·肯尼思·邦哈特 ,  埃里克·戈登·史蒂文斯 ,  洪·库克·多恩

IPC: H01L27/148

CPC classification number: H01L27/14887

Abstract: 使用双掩膜处理(1300、1500)制造横向溢流排出通道(610)和沟道截断(608)。每个横向溢流排出通道形成在各个沟道截断内。由于使用两个掩膜层，每个横向溢流排出通道的一个边缘与各个沟道截断的边缘对准。

公开(公告)号：CN101573796B

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：CN200780048682.1

申请日：2007-12-27

Applicant: 松下电工株式会社

Inventor： 桥本裕介 ,  常定扶美 ,  今井宪次 ,  高田裕司

IPC: H01L27/148

CPC classification number: H01L27/14887 ,  H01L27/14812

Abstract: 提供了一种能够改进输入信号动态范围的光电检测器。这种光电检测器包括光电转换部分(D1)、电荷分离部分(D2)、电荷积聚部分(D3)、形成在电荷分离部分(D2)和电荷积聚部分(D3)之间的势垒电极(24)、以及电气连接到势垒电极(24)的势垒高度调节部分(D4)。诸如当环境光入射在光电转换部分(D1)上时产生的不期望的电荷被电荷分离部分(D2)去除。通过根据从电荷分离部分(D2)提供到势垒高度调节部分(D4)的电荷量对势垒电极(24)施加电压，在势垒电极(24)之下形成具有合适高度的势垒。从电荷分离部分(D2)越过势垒流入电荷积聚部分(D3)的电荷被提供为光电检测器的输出。

公开(公告)号：CN101404288B

公开(公告)日：2011-07-06

申请号：CN200810161457.5

申请日：2008-09-27

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 大岸裕子

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/822 ,  H04N5/225

CPC classification number: H04N5/361 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/14806 ,  H01L27/14887 ,  H04N5/369 ,  H04N5/378

Abstract: 本发明提供了一种固态成像装置及其制造方法以及成像设备，其中，该固态成像装置包括：形成在半导体衬底中以将入射光转换为电信号的多个传感器部；形成在半导体衬底中以位于传感器部旁边的外围电路部；以及形成在传感器部的光入射侧上以在传感器部的光接收表面上形成空穴累积层的具有负固定电荷的层。

公开(公告)号：CN1843026B

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN200480024614.8

申请日：2004-06-30

Applicant: 普廷数码影像控股公司

Inventor： H·E·罗德斯

IPC: H04N3/15

CPC classification number: H01L27/14627 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14806 ,  H01L27/14887 ,  H04N5/3535 ,  H04N5/37457

Abstract: 本发明实施例提供了允许自动照明控制和相关二重抽样操作的像素单元。像素单元包括可被独立读出的第一和第二光电转换器件。例如，第二光电转换器件可以是像素单元的浮动扩散区，带有适用于光电转换的区域和掺杂分布图。图像传感器可包括像素单元阵列，其中的一些或所有的像素单元带有两个光电转换器件；并且可包括用于从像素单元读出信号的外围电路。图像传感器的读出电路可监控由第二光电转换器件生成的电荷，以此确定什么时候读出来自第一光电转换器件的信号。

公开(公告)号：CN101490846A

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200780027535.6

申请日：2007-07-09

Applicant: 伊斯曼柯达公司

Inventor： C·帕克斯

IPC: H01L27/146 ,  H01L27/148 ,  H01L29/768 ,  H04N3/15 ,  H04N9/04

CPC classification number: H01L29/768 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14831 ,  H01L27/14887 ,  H04N5/335 ,  H04N5/3458 ,  H04N5/347 ,  H04N5/37213 ,  H04N9/045

Abstract: 一种图像传感器，包括：覆盖有至少两种色彩的滤色器样式的多个像素，所述滤色器样式在一个方向上在每隔一个像素上具有相同的色彩；三个或更多个电荷耦合器件，平行于每隔一个像素滤色器重复样式取向；至少两个电荷耦合器件的输出处的电荷感应放大器；每个电荷耦合器件具有第一和第二门；CCD到CCD转移门，连接相邻的电荷耦合器件与在CCD到CCD转移门一侧的第一门以及在CCD到CCD转移门的相对侧的第二门；所有CCD到CCD转移门电连接在一起；所有第一门电连接；以及所有第二门电连接。

公开(公告)号：CN101034714A

公开(公告)日：2007-09-12

申请号：CN200710085717.0

申请日：2007-03-06

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 平井纯 ,  铃木政胜 ,  村上一朗 ,  广藤裕一

IPC: H01L27/148 ,  H01L21/822 ,  H01L31/08 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/1804 ,  C30B15/04 ,  C30B29/06 ,  H01L21/3221 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/14843 ,  H01L27/1485 ,  H01L27/14887 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/12 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种光探测装置，包括：半导体衬底(101)，其由作为基底材料的硅构成并包含预定浓度的碳；和外延层(102)，其形成在半导体衬底(101)上并由作为基底材料的硅构成，该外延层(102)包括远离半导体衬底(101)预定距离的光探测单元(主要是104)，其中半导体衬底(101)使用晶体生长方法由通过熔化包含硅的材料和包含碳的材料获得的熔化物形成，因此碳以预定浓度包含在半导体衬底(101)中。

公开(公告)号：CN1843026A

公开(公告)日：2006-10-04

申请号：CN200480024614.8

申请日：2004-06-30

Applicant: 微米技术有限公司

Inventor： H·E·罗德斯

IPC: H04N3/15

CPC classification number: H01L27/14627 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14806 ,  H01L27/14887 ,  H04N5/3535 ,  H04N5/37457

Abstract: 本发明实施例提供了允许自动照明控制和相关二重抽样操作的像素单元。像素单元包括可被独立读出的第一和第二光电转换器件。例如，第二光电转换器件可以是像素单元的浮动扩散区，带有适用于光电转换的区域和掺杂分布图。图像传感器可包括像素单元阵列，其中的一些或所有的像素单元带有两个光电转换器件；并且可包括用于从像素单元读出信号的外围电路。图像传感器的读出电路可监控由第二光电转换器件生成的电荷，以此确定什么时候读出来自第一光电转换器件的信号。

公开(公告)号：CN1010073B

公开(公告)日：1990-10-17

申请号：CN87102223

申请日：1987-03-19

Applicant: 索尼公司

Inventor： 滨崎正治 ,  石川贵久枝 ,  贺川能明 ,  玲木智行 ,  米本和也

IPC: H04N3/15 ,  H04N5/225

CPC classification number: H04N5/3595 ,  H01L27/14887

Abstract: 一种固体摄象器包括用于消除光敏阵列的光敏区之间阻抗差异的装置，阻抗差消除装置消除或使各个光敏区的阻抗差值可以忽略以使各个光敏区的转换电荷一致。在实践中，阻抗差消除装置提供一高的电阻足以使各个光敏区之间的阻抗差可以忽略。

公开(公告)号：CN1006508B

公开(公告)日：1990-01-17

申请号：CN86107824

申请日：1986-11-12

Applicant: 索尼公司

Inventor： 加藤弥三郎 ,  铃木利彦 ,  伊沢伸幸 ,  神户秀夫 ,  浜崎正治

IPC: H01L27/14 ,  C03B31/20

CPC classification number: H01L21/261 ,  C30B15/305 ,  C30B31/20 ,  H01L27/14831 ,  H01L27/14887 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种固体摄像器的制造方法，通过中子辐射P型硅Si圆片的原子嬗变法，将部分的组成元素Si改变成n型杂质磷P，从而将衬底改变为n型，并产生一个电阻率ρs为10至100欧姆-厘米，或最好是40至60欧姆-厘米的Si衬底。然后用生成的硅衬底按上述方法制造一个具有个光敏器件和垂直及水平移位寄存器的固体摄像器。