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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1016191B
公开(公告)日：1992-04-08
申请号：CN86106346
申请日：1986-10-31
Applicant: 索尼公司
CPC classification number: C30B15/305 , C30B15/20 , C30B29/06
Abstract: 硅基片的生产方法，包括在较高生产速度下生长硅单硅体。已经发现，硅晶体的生长速度对硅晶体或硅基片中晶体缺陷的产生有很大的影响。此外，硅晶体或硅基片中的氧含量明显地高于普通的硅晶体或硅基片中的氧含量。硅晶体的高生长速度抑制氧从晶体中离析，可减少半导体器件在热处理期间，晶体产生缺陷或层错的数目。在按照本发明的较佳方法中，硅晶体的生长速度≥1.2毫米/分。而所生长硅晶体中的最佳氧含量则选取≥1.8×1018/厘米3。
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公开(公告)号：CN1015187B
公开(公告)日：1991-12-25
申请号：CN85101043
申请日：1985-04-01
Applicant: 索尼公司
Abstract: 为了增加单晶生长速率。必要增加固-液交界面的固相单晶内的温度梯度(dT/dX)。因为提拉单晶总是受到来自加热器的辐射热。所以最好要降低加热器的温度。尽管如此，当这里加热器的温度降低了，便存在一个课题，即熔融液体表面很容易在液体与坩埚内壁连接的部位发生凝固。为了克服上述问题，加热器设计成使得熔融液体的上部加热到比熔融液体下部的温度要高。
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公开(公告)号：CN1006508B
公开(公告)日：1990-01-17
申请号：CN86107824
申请日：1986-11-12
Applicant: 索尼公司
CPC classification number: H01L21/261 , C30B15/305 , C30B31/20 , H01L27/14831 , H01L27/14887 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 一种固体摄像器的制造方法，通过中子辐射P型硅Si圆片的原子嬗变法，将部分的组成元素Si改变成n型杂质磷P，从而将衬底改变为n型，并产生一个电阻率ρs为10至100欧姆-厘米，或最好是40至60欧姆-厘米的Si衬底。然后用生成的硅衬底按上述方法制造一个具有个光敏器件和垂直及水平移位寄存器的固体摄像器。
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公开(公告)号：CN86106346A
公开(公告)日：1987-06-17
申请号：CN86106346
申请日：1986-10-31
Applicant: 索尼公司
CPC classification number: C30B15/305 , C30B15/20 , C30B29/06
Abstract: 硅基片的生产方法，包括在较高生长速度下生长硅单晶体。已经发现，硅晶体的生长速度对硅晶体或硅基片中晶体缺陷的产生有很大的影响。此外，硅晶体或硅基片中的氧含量明显地高于普通的硅晶体或硅基片中的氧含量。硅晶体的高生长速度抑制氧从晶体中离析，可减少半导体器件在热处理期间，晶体产生缺陷或层错的数目。在按照本发明的较佳方法中，硅晶体的生长速度≥1.2毫米/分。而所生长硅晶体中的最佳氧含量则选取≥1.8×1018/厘米。
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公开(公告)号：CN86107824A
公开(公告)日：1987-06-03
申请号：CN86107824
申请日：1986-11-12
Applicant: 索尼公司
CPC classification number: H01L21/261 , C30B15/305 , C30B31/20 , H01L27/14831 , H01L27/14887 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 一种固体摄像器的制造方法，通过中子辐射P型硅Si圆片的原子嬗变法，将部分的组成元素Si改变成n型杂质磷P，从而将衬底改变为n型，并产生一个电阻率ρs为10至100欧姆-厘米，或最好是40至60欧姆-厘米的Si衬底。然后用生成的硅衬底，按上述方法制造一个具有多个光敏器件和垂直及水平移位寄存器的固体摄像器。
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