公开(公告)号：CN103854999A

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201210519863.0

申请日：2012-12-06

Applicant: 中国科学院微电子研究所 ,  江苏中科君芯科技有限公司 ,  江苏物联网研究发展中心

Inventor： 朱阳军 ,  张文亮 ,  田晓丽 ,  胡爱斌

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/261 ,  H01L29/739 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/66666 ,  H01L21/261 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7827

Abstract: 一种超结的制作方法，包括：提供一轻掺杂衬底，采用嬗变掺杂工艺形成P型重掺杂区或N型重掺杂区，退火处理；或提供第一类型重掺杂衬底，采用嬗变掺杂工艺形成第二类型重掺杂区，退火处理。本申请所提供的超结的制作方法简化了制作流程，降低了生产成本。

公开(公告)号：CN101054721B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200710084192.9

申请日：2007-02-17

Applicant: 株式会社上睦可

Inventor： 小野敏昭 ,  梅野繁 ,  杉村涉 ,  宝来正隆

IPC: C30B29/06 ,  C30B15/00 ,  C30B31/20 ,  H01L21/208

CPC classification number: C30B15/00 ,  C30B29/06 ,  H01L21/261

Abstract: IGBT用硅单晶片和IGBT用硅单晶片的制造方法本发明提供了一种IGBT用硅单晶片，其在结晶径向整个区域中排除了COP缺陷和位错簇，晶格间氧浓度为8.5×1017原子/cm3或以下，晶片面内的电阻率的偏差为5％或以下。本发明还提供该IGBT用硅单晶片的制造方法，其中在氛围气气体中导入以氢气换算分压为40Pa～400Pa的含有氢原子的物质，使硅单晶的提拉速度为能够提拉无生长引入缺陷的硅单晶的速度，育成晶格间氧浓度为8.5×1017原子/cm3或以下的单晶。对提拉后的硅单晶照射中子而掺杂磷；在硅熔融液中添加n型掺杂剂；或在硅熔融液中添加磷，使硅单晶中的磷浓度为2.9×1013原子/cm3～2.9×1015原子/cm3，在硅熔融液中添加偏析系数小于上述磷的p型掺杂剂，根据其偏析系数使其在硅单晶中的浓度为1×1013原子/cm3～1×1015原子/cm3。

公开(公告)号：CN86107824A

公开(公告)日：1987-06-03

申请号：CN86107824

申请日：1986-11-12

Applicant: 索尼公司

Inventor： 加藤弥三郎 ,  铃木利彦 ,  伊沢伸幸 ,  神户秀夫 ,  浜崎正治

IPC: H01L21/72 ,  H01L31/18 ,  H01L27/14

CPC classification number: H01L21/261 ,  C30B15/305 ,  C30B31/20 ,  H01L27/14831 ,  H01L27/14887 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种固体摄像器的制造方法，通过中子辐射P型硅Si圆片的原子嬗变法，将部分的组成元素Si改变成n型杂质磷P，从而将衬底改变为n型，并产生一个电阻率ρs为10至100欧姆-厘米，或最好是40至60欧姆-厘米的Si衬底。然后用生成的硅衬底，按上述方法制造一个具有多个光敏器件和垂直及水平移位寄存器的固体摄像器。

公开(公告)号：CN108699724A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201780010459.1

申请日：2017-02-08

Applicant: TOPSIL 环球晶圆股份公司

Inventor： 泰斯·莱斯·斯维加德 ,  马丁·格莱斯瓦恩吉 ,  克里斯蒂安·伽米洛夫特·辛德里森 ,  苏尼·布·杜恩 ,  安德斯·雷

IPC: C30B29/06 ,  C30B31/08 ,  C30B31/20 ,  H01L21/261

CPC classification number: C30B29/06 ,  C30B31/08 ,  C30B31/20 ,  H01L21/261 ,  H01L21/324 ,  H01L29/36

Abstract: 本发明涉及直径至少为175mm且轴向长度在50mm至1000mm范围内的磷掺杂硅单晶，所述磷掺杂硅单晶在横向平面中具有的掺杂剂原子密度为从磷掺杂硅锭切割的晶片提供了5Ωcm至2000Ωcm范围内的目标电阻率(ρNTD)，其中，当在800℃至1300℃范围内的温度下将硅退火之后测量电阻率时，对于至少75％的从磷掺杂硅单晶切割的晶片，获得3％或更小的根据SEMI标准SEMI MF81测定的RRV值，本发明涉及从所述磷掺杂硅单晶切割的晶片或多个晶片，以及涉及制造磷掺杂硅单晶的方法。本发明的产品特别适用于高功率电子器件。

公开(公告)号：CN1692482A

公开(公告)日：2005-11-02

申请号：CN200380100526.7

申请日：2003-12-19

Applicant: 三菱住友硅晶株式会社

Inventor： 梅野繁 ,  宝来正隆 ,  佐野正和 ,  三木新一郎

IPC: H01L21/324 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/2605 ,  C30B29/06 ,  C30B33/005 ,  H01L21/261 ,  H01L21/3225 ,  H01L21/76254 ,  Y10S117/916

Abstract: 在氧化性气氛中对活性层侧硅片实施热处理形成埋入氧化膜。通过该埋入氧化膜贴合在支撑侧晶片上制造SOI晶片。上述氧化热处理在将温度记为T(℃)、将活性层侧硅片的晶格间氧浓度记为[Oi](原子/cm3)时，满足下式：[Oi]≤2.123×1021exp(－1.035/k(T+273))。

公开(公告)号：CN1006508B

公开(公告)日：1990-01-17

申请号：CN86107824

申请日：1986-11-12

Applicant: 索尼公司

Inventor： 加藤弥三郎 ,  铃木利彦 ,  伊沢伸幸 ,  神户秀夫 ,  浜崎正治

IPC: H01L27/14 ,  C03B31/20

CPC classification number: H01L21/261 ,  C30B15/305 ,  C30B31/20 ,  H01L27/14831 ,  H01L27/14887 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种固体摄像器的制造方法，通过中子辐射P型硅Si圆片的原子嬗变法，将部分的组成元素Si改变成n型杂质磷P，从而将衬底改变为n型，并产生一个电阻率ρs为10至100欧姆-厘米，或最好是40至60欧姆-厘米的Si衬底。然后用生成的硅衬底按上述方法制造一个具有个光敏器件和垂直及水平移位寄存器的固体摄像器。

公开(公告)号：CN103855000A

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201310102479.5

申请日：2013-03-27

Applicant: 中国科学院微电子研究所 ,  江苏物联网研究发展中心 ,  江苏中科君芯科技有限公司

Inventor： 朱阳军 ,  张文亮 ,  胡爱斌 ,  卢烁今

IPC: H01L21/331 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/7393 ,  H01L21/261 ,  H01L29/66325

Abstract: 一种逆阻型绝缘栅双极晶体管的制作方法，包括：提供一轻掺杂层，通过嬗变掺杂工艺形成所述逆阻型绝缘栅双极晶体管的终端结构，退火处理。所述终端结构在轻掺杂层内掺杂的区域分明，横向扩散较小，节省了逆阻型绝缘栅双极晶体管的终端所占用的面积，降低了逆阻型绝缘栅双极晶体管的制作成本。

公开(公告)号：CN103681262A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201210345433.1

申请日：2012-09-17

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 张文亮 ,  朱阳军 ,  王波 ,  褚为利 ,  谈景飞 ,  陈宏

IPC: H01L21/261

CPC classification number: H01L21/261

Abstract: 本发明涉及一种高度电荷平衡超结器件的制作方法，属于半导体器件的制备方法，制备超结器件，将超结器件的一端与测试设备相连，测试设备检测超结器件中p柱区的电荷量和n柱区中的电荷量，根据超结器件中p柱区的电荷量和n柱区中的电荷量的变化差，通过半导体嬗变掺杂方法将一定量的施主或受主杂质引入超结器件，使超结器件中的p柱区的电荷量和n柱区中的电荷量相等。本发明通过半导体嬗变掺杂方法将一定量的施主或受主杂质引入超结器件后，由于在半导体材料中产生了缺陷，故载流子的寿命会大大下降，加快了器件的工作速度。也就是在辐照掺杂的同时进行了寿命控制。

公开(公告)号：CN103681261A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201210345386.0

申请日：2012-09-17

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 张文亮 ,  朱阳军 ,  陆江 ,  谈景飞 ,  褚为利 ,  王波

IPC: H01L21/261

CPC classification number: H01L21/261

Abstract: 本发明公开了一种功率器件缓冲层或截流子存储层的制备方法，属于半导体设备技术领域，通过中子嬗变掺杂将中子通过掩膜注入到衬底的单侧或者双侧或者通过光致嬗变掺杂将光子通过掩膜注入到衬底的单侧或者双侧，通过精确控制中子或光子的辐照剂量，使衬底形成特定浓度的缓冲层或载流子存储层。由于中子和高能光子的穿透能力非常强，几乎是直线穿过衬底。在中子经过的路径上由于嬗变引入了N型或P型的杂质，通过控制辐照的剂量，可以形成具有浓度的N+或P型掺杂层。同时，由于中子束足够细，可以形成任何形状的掺杂分布图。

公开(公告)号：CN100397595C

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN200380100526.7

申请日：2003-12-19

Applicant: 三菱住友硅晶株式会社

Inventor： 梅野繁 ,  宝来正隆 ,  佐野正和 ,  三木新一郎

IPC: H01L21/324 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/2605 ,  C30B29/06 ,  C30B33/005 ,  H01L21/261 ,  H01L21/3225 ,  H01L21/76254 ,  Y10S117/916

Abstract: 在氧化性气氛中对活性层侧硅片实施热处理形成埋入氧化膜。通过该埋入氧化膜贴合在支撑侧晶片上制造SOI晶片。上述氧化热处理在将温度记为T(℃)、将活性层侧硅片的晶格间氧浓度记为[Oi](原子/cm3)时，满足下式：[0i]≤2.123×1021exp(-1.035/k(T+273))。