公开(公告)号：CN1006508B

公开(公告)日：1990-01-17

申请号：CN86107824

申请日：1986-11-12

Applicant: 索尼公司

Inventor： 加藤弥三郎 ,  铃木利彦 ,  伊沢伸幸 ,  神户秀夫 ,  浜崎正治

IPC: H01L27/14 ,  C03B31/20

CPC classification number: H01L21/261 ,  C30B15/305 ,  C30B31/20 ,  H01L27/14831 ,  H01L27/14887 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种固体摄像器的制造方法，通过中子辐射P型硅Si圆片的原子嬗变法，将部分的组成元素Si改变成n型杂质磷P，从而将衬底改变为n型，并产生一个电阻率ρs为10至100欧姆-厘米，或最好是40至60欧姆-厘米的Si衬底。然后用生成的硅衬底按上述方法制造一个具有个光敏器件和垂直及水平移位寄存器的固体摄像器。

公开(公告)号：CN1016191B

公开(公告)日：1992-04-08

申请号：CN86106346

申请日：1986-10-31

Applicant: 索尼公司

Inventor： 铃木利彦 ,  加藤弥三郎 ,  二神元信

IPC: C30B29/06 ,  C30B15/00

CPC classification number: C30B15/305 ,  C30B15/20 ,  C30B29/06

Abstract: 硅基片的生产方法，包括在较高生产速度下生长硅单硅体。已经发现，硅晶体的生长速度对硅晶体或硅基片中晶体缺陷的产生有很大的影响。此外，硅晶体或硅基片中的氧含量明显地高于普通的硅晶体或硅基片中的氧含量。硅晶体的高生长速度抑制氧从晶体中离析，可减少半导体器件在热处理期间，晶体产生缺陷或层错的数目。在按照本发明的较佳方法中，硅晶体的生长速度≥1.2毫米/分。而所生长硅晶体中的最佳氧含量则选取≥1.8×1018/厘米3。

公开(公告)号：CN86106346A

公开(公告)日：1987-06-17

申请号：CN86106346

申请日：1986-10-31

Applicant: 索尼公司

Inventor： 铃木利彦 ,  加藤弥三郎 ,  二神元信

IPC: C30B15/00 ,  C30B29/06

CPC classification number: C30B15/305 ,  C30B15/20 ,  C30B29/06

Abstract: 硅基片的生产方法，包括在较高生长速度下生长硅单晶体。已经发现，硅晶体的生长速度对硅晶体或硅基片中晶体缺陷的产生有很大的影响。此外，硅晶体或硅基片中的氧含量明显地高于普通的硅晶体或硅基片中的氧含量。硅晶体的高生长速度抑制氧从晶体中离析，可减少半导体器件在热处理期间，晶体产生缺陷或层错的数目。在按照本发明的较佳方法中，硅晶体的生长速度≥1.2毫米/分。而所生长硅晶体中的最佳氧含量则选取≥1.8×1018/厘米。

公开(公告)号：CN86107824A

公开(公告)日：1987-06-03

申请号：CN86107824

申请日：1986-11-12

Applicant: 索尼公司

Inventor： 加藤弥三郎 ,  铃木利彦 ,  伊沢伸幸 ,  神户秀夫 ,  浜崎正治

IPC: H01L21/72 ,  H01L31/18 ,  H01L27/14

CPC classification number: H01L21/261 ,  C30B15/305 ,  C30B31/20 ,  H01L27/14831 ,  H01L27/14887 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种固体摄像器的制造方法，通过中子辐射P型硅Si圆片的原子嬗变法，将部分的组成元素Si改变成n型杂质磷P，从而将衬底改变为n型，并产生一个电阻率ρs为10至100欧姆-厘米，或最好是40至60欧姆-厘米的Si衬底。然后用生成的硅衬底，按上述方法制造一个具有多个光敏器件和垂直及水平移位寄存器的固体摄像器。