公开(公告)号：CN104934297B

公开(公告)日：2018-02-06

申请号：CN201510116886.0

申请日：2015-03-17

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： H-J·舒尔策 ,  P·伊尔西格勒

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/2257 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02524 ,  H01L21/0257 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/2605 ,  H01L21/263 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/268 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31105 ,  H01L21/3221 ,  H01L21/324 ,  H01L29/0623

Abstract: 一种用于从晶体硅主体中移除晶体原生颗粒的方法，该晶体硅主体具有相对的第一表面和第二表面，该方法包括增加该第一表面和该第二表面中的至少一个的表面区域。该方法进一步包括在至少1000℃的温度下和持续至少20分钟的时长氧化所增加的表面区域。

公开(公告)号：CN104885196A

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201380068797.2

申请日：2013-12-30

Applicant: FEI公司

Inventor： S.H.李 ,  J.布莱克伍德 ,  S.斯通

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/2605 ,  C23C16/045 ,  C23C16/047 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02277 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76898

Abstract: 提供用于填充高深宽比孔而没有空隙或用于产生高深宽比结构而没有空隙的方法连同对应的设备。将直径小于孔的直径的束引导到孔中以诱发在孔底部的中心区中开始的沉积。在通过束诱发的沉积在孔中形成细长结构之后，束然后能够以与孔直径至少一样大的图案来扫描以填充孔的剩余部分。高深宽比孔然后能够使用离子束来横截用于观察而没有创建伪影。当使用电子束诱发沉积时，电子优选地具有高的能量以到达孔的底部，并且束具有低的电流以减少由束拖尾引起的伪沉积。

公开(公告)号：CN1692482A

公开(公告)日：2005-11-02

申请号：CN200380100526.7

申请日：2003-12-19

Applicant: 三菱住友硅晶株式会社

Inventor： 梅野繁 ,  宝来正隆 ,  佐野正和 ,  三木新一郎

IPC: H01L21/324 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/2605 ,  C30B29/06 ,  C30B33/005 ,  H01L21/261 ,  H01L21/3225 ,  H01L21/76254 ,  Y10S117/916

Abstract: 在氧化性气氛中对活性层侧硅片实施热处理形成埋入氧化膜。通过该埋入氧化膜贴合在支撑侧晶片上制造SOI晶片。上述氧化热处理在将温度记为T(℃)、将活性层侧硅片的晶格间氧浓度记为[Oi](原子/cm3)时，满足下式：[Oi]≤2.123×1021exp(－1.035/k(T+273))。

公开(公告)号：CN109065441A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201811227807.3

申请日：2014-06-17

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 小野泽勇一 ,  泷下博 ,  吉村尚

IPC: H01L21/263 ,  H01L21/265 ,  H01L21/268 ,  H01L21/324 ,  H01L29/08 ,  H01L29/32 ,  H01L21/331 ,  H01L21/329 ,  H01L29/739 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

CPC classification number: H01L29/0615 ,  H01L21/2605 ,  H01L21/263 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/268 ,  H01L21/324 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/32 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 首先，在n‑型半导体基板的正面侧形成正面元件结构。接着，通过电子射线照射及炉退火在n‑型半导体基板整体形成缺陷(12)，来调整载流子寿命。接着，对n‑型半导体基板的背面进行研磨，使n‑型半导体基板的厚度变薄。然后，从n‑型半导体基板的研磨后的背面侧离子注入n型杂质，在n‑型半导体基板的背面的表面层形成n+型阴极层(4)。从n‑型半导体基板的背面侧进行氢离子注入(14)，在n‑型半导体基板的背面的表面层形成具有氢浓度在块状基板的氢浓度以上的氢注入区域。接着，通过激光退火使n+型阴极层(4)活性化，之后形成阴极电极。因而，不会使漏电流增加，且不会使制造线发生污染，能廉价、局部性地进行载流子寿命控制。

公开(公告)号：CN106910680A

公开(公告)日：2017-06-30

申请号：CN201510976237.8

申请日：2015-12-23

Applicant: 北京大学

Inventor： 徐万劲 ,  李磊 ,  李艳平 ,  姚利 ,  侯瑞祥 ,  秦国刚

IPC: H01L21/22 ,  H01L21/26

CPC classification number: H01L21/22 ,  H01L21/2215 ,  H01L21/2605

Abstract: 本发明公开了一种激励砷化镓中金属原子扩散的方法，在室温环境下先通过感应耦合等离子体处理或其他方法在砷化镓材料或砷化镓器件表面引入表面缺陷，再对砷化镓材料或砷化镓器件进行一定剂量的伽马射线辐照，激活励砷化镓内的金属杂质扩散。该方法简单快捷，而且由于不需高温，不仅可用于改善砷化镓晶片的性能，还可用于改善砷化镓器件的性能。

公开(公告)号：CN103779194A

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201310501673.0

申请日：2013-10-23

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： J.拉文 ,  F.J.尼德诺斯泰德 ,  F.D.普菲尔施 ,  H-J.舒尔策

IPC: H01L21/26

CPC classification number: H01L21/26513 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/2605 ,  H01L21/263 ,  H01L21/324 ,  H01L21/3242 ,  H01L29/167 ,  H01L29/36

Abstract: 本发明涉及质子辐照时掺杂效率的提高。描述一种用于掺杂半导体主体的方法和借助这样的方法制造的半导体主体。所述方法包括：借助质子辐照所述半导体主体和借助电子辐照所述半导体主体。在借助质子的辐照之后并且在借助电子的辐照之后回火所述半导体主体，以便借助扩散在空穴上积聚质子。

公开(公告)号：CN104885196B

公开(公告)日：2018-02-06

申请号：CN201380068797.2

申请日：2013-12-30

Applicant: FEI ,  公司

Inventor： S.H.李 ,  J.布莱克伍德 ,  S.斯通

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/2605 ,  C23C16/045 ,  C23C16/047 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02277 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76898

Abstract: 提供用于填充高深宽比孔而没有空隙或用于产生高深宽比结构而没有空隙的方法连同对应的设备。将直径小于孔的直径的束引导到孔中以诱发在孔底部的中心区中开始的沉积。在通过束诱发的沉积在孔中形成细长结构之后，束然后能够以与孔直径至少一样大的图案来扫描以填充孔的剩余部分。高深宽比孔然后能够使用离子束来横截用于观察而没有创建伪影。当使用电子束诱发沉积时，电子优选地具有高的能量以到达孔的底部，并且束具有低的电流以减少由束拖尾引起的伪沉积。

公开(公告)号：CN106128944A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201610550800.X

申请日：2016-07-13

Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司

Inventor： 向舟翊

IPC: H01L21/26 ,  H01L21/268 ,  H01L21/28 ,  H01L21/34 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L21/26 ,  H01L21/268 ,  H01L21/28 ,  H01L21/34 ,  H01L21/84 ,  H01L27/127 ,  H01L21/2605 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66969

Abstract: 本发明提供一种金属氧化物薄膜晶体管阵列基板的制作方法，薄膜晶体管采用顶栅共面结构，能够有效降低寄生电容，并利用两次光照的方法分别处理有源层、绝缘层与栅极金属层图案化后有源层暴露的区域，来改善低温沉积膜的缺陷，增加沟道区的载流子浓度，增强源、漏极接触区导电性，从而降低了源、漏极与有源层的接触电阻，提高了迁移率和电流开关比，进而提高了薄膜晶体管的电性。

公开(公告)号：CN105047546A

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：CN201510218360.3

申请日：2015-04-30

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 伊凡·L·贝利三世 ,  格伦·吉尔克里斯特

IPC: H01L21/26 ,  H01L21/266

CPC classification number: G03F7/36 ,  G03F7/70341 ,  G03F7/70875 ,  H01L21/266 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/2605

Abstract: 本发明涉及增强离子植入的抗蚀剂去除的等离子体干式剥离预处理，公开了处理衬底的系统和方法，其包括使衬底暴露于来自UV光源并具有预定波长范围的UV光。该衬底包括已用离子轰击过的光阻剂层。该方法包括在使衬底暴露于UV光的同时将衬底的温度控制在低于或等于第一温度的温度下。该方法包括在使衬底暴露于UV光之后使用等离子体去除光阻剂层并同时将衬底的温度保持在低于或等于剥离处理温度下。

公开(公告)号：CN1259694C

公开(公告)日：2006-06-14

申请号：CN03156277.9

申请日：2003-09-02

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 竹中正浩

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L29/66916 ,  H01L21/2605 ,  H01L21/26506 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/802 ,  Y10S438/933

Abstract: 本发明提供一种半导体衬底制造方法，包括步骤：在具有硅表面的衬底上形成第一缓冲Si层；在第一缓冲Si层上顺序外延生长第一应变SiGe层和第一Si层；将离子注入所获衬底中并对衬底退火以松弛第一应变SiGe层中的晶格点阵并在第一Si层中产生拉应变；在所获衬底上外延顺序生长第二缓冲Si层和第二SiGe层；并在第二SiGe层上形成一个具有拉应变的第二Si层。