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公开(公告)号：CN102246303A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200980149790.7
申请日：2009-12-07
Applicant: 伊斯曼柯达公司
Inventor： 埃德蒙·肯尼思·邦哈特 , 埃里克·戈登·史蒂文斯 , 洪·库克·多恩
IPC: H01L27/148
CPC classification number: H01L27/14887
Abstract: 使用双掩膜处理(1300、1500)制造横向溢流排出通道(610)和沟道截断(608)。每个横向溢流排出通道形成在各个沟道截断内。由于使用两个掩膜层，每个横向溢流排出通道的一个边缘与各个沟道截断的边缘对准。
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