公开(公告)号：CN101034714A

公开(公告)日：2007-09-12

申请号：CN200710085717.0

申请日：2007-03-06

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 平井纯 ,  铃木政胜 ,  村上一朗 ,  广藤裕一

IPC: H01L27/148 ,  H01L21/822 ,  H01L31/08 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/1804 ,  C30B15/04 ,  C30B29/06 ,  H01L21/3221 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/14843 ,  H01L27/1485 ,  H01L27/14887 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/12 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种光探测装置，包括：半导体衬底(101)，其由作为基底材料的硅构成并包含预定浓度的碳；和外延层(102)，其形成在半导体衬底(101)上并由作为基底材料的硅构成，该外延层(102)包括远离半导体衬底(101)预定距离的光探测单元(主要是104)，其中半导体衬底(101)使用晶体生长方法由通过熔化包含硅的材料和包含碳的材料获得的熔化物形成，因此碳以预定浓度包含在半导体衬底(101)中。