公开(公告)号：CN102612736A

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN200980161790.9

申请日：2009-10-06

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 山下朋弘 ,  西田征男 ,  林岳 ,  山本芳树 ,  井上真雄

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/314 ,  H01L21/316 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/823857 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/28194 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

Abstract: 制造一种包括n沟道型MISFET(Qn)的半导体器件，该n沟道型MISFET(Qn)具有含有铪、稀土类元素和氧作为主要成分的作为高介电常数栅绝缘膜的含Hf绝缘膜(5)和作为金属栅电极的栅电极(GE1)。含Hf绝缘膜(5)是从下面起依次形成含有铪和氧作为主要成分的第一含Hf膜、含有稀土类元素作为主要成分的稀土类膜、和含有铪和氧作为主要成分的第二含Hf膜，使它们发生反应而形成的。