公开(公告)号：CN110729301A

公开(公告)日：2020-01-24

申请号：CN201910521429.8

申请日：2019-06-17

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 井上真雄 ,  门岛胜 ,  川嶋祥之 ,  山川市朗

IPC: H01L27/11568 ,  H01L29/423 ,  H01L29/51 ,  H01L21/28

Abstract: 本公开的实施例涉及半导体器件及其制造方法。一种作为非易失性存储器单元的存储器单元包括栅极电介质膜，其具有能够保持电荷的电荷存储层，以及存储器栅电极，其形成在栅极电介质膜上。电荷存储层包括绝缘膜，其包含铪、硅和氧插入层，其形成在绝缘膜上并且包含铝，以及绝缘膜，其形成在插入层上并且包含铪、硅和氧。

公开(公告)号：CN110729301B

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN201910521429.8

申请日：2019-06-17

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 井上真雄 ,  门岛胜 ,  川嶋祥之 ,  山川市朗

IPC: H10B43/30 ,  H01L29/423 ,  H01L29/51 ,  H01L21/28

Abstract: 本公开的实施例涉及半导体器件及其制造方法。一种作为非易失性存储器单元的存储器单元包括栅极电介质膜，其具有能够保持电荷的电荷存储层，以及存储器栅电极，其形成在栅极电介质膜上。电荷存储层包括绝缘膜，其包含铪、硅和氧插入层，其形成在绝缘膜上并且包含铝，以及绝缘膜，其形成在插入层上并且包含铪、硅和氧。