公开(公告)号：CN110729301A

公开(公告)日：2020-01-24

申请号：CN201910521429.8

申请日：2019-06-17

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 井上真雄 ,  门岛胜 ,  川嶋祥之 ,  山川市朗

IPC: H01L27/11568 ,  H01L29/423 ,  H01L29/51 ,  H01L21/28

Abstract: 本公开的实施例涉及半导体器件及其制造方法。一种作为非易失性存储器单元的存储器单元包括栅极电介质膜，其具有能够保持电荷的电荷存储层，以及存储器栅电极，其形成在栅极电介质膜上。电荷存储层包括绝缘膜，其包含铪、硅和氧插入层，其形成在绝缘膜上并且包含铝，以及绝缘膜，其形成在插入层上并且包含铪、硅和氧。

公开(公告)号：CN104425576B

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201410371208.4

申请日：2014-07-30

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 水谷齐治 ,  井上真雄 ,  梅田浩司 ,  门岛胜

IPC: H01L29/51 ,  H01L29/792 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，提高具有存储元件的半导体器件的性能。在半导体衬底(SB)上形成存储元件用的栅极绝缘膜即绝缘膜(MZ)，在绝缘膜(MZ)上形成存储元件用的栅极(MG)。绝缘膜(MZ)具有第一绝缘膜、第一绝缘膜之上的第二绝缘膜和第二绝缘膜之上的第三绝缘膜，第二绝缘膜是具有电荷累积功能的高介电常数绝缘膜，并含有铪、硅和氧。第一绝缘膜及第三绝缘膜的各自的带隙比第二绝缘膜的带隙大。

公开(公告)号：CN108735800A

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201810348811.9

申请日：2018-04-18

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 门岛胜 ,  井上真雄

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/792 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7923 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02323 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/02343 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/40117 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/401 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。为了改善半导体器件的性能，半导体器件包括在半导体基板上方的绝缘膜部。绝缘膜部包括包含硅和氧的绝缘膜、包含硅和氮的第一电荷存储膜、包含硅和氧的绝缘膜、包含硅和氮的第二电荷存储膜以及包含硅和氧的绝缘膜。第一电荷存储膜由两个电荷存储膜构成。

公开(公告)号：CN108258047A

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：CN201711091337.8

申请日：2017-11-08

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 门岛胜 ,  藤泽雅彦

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/0847 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/0265 ,  H01L21/76283 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/84 ,  H01L23/5226 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78624 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/78 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/0688 ,  H01L29/66477

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，其课题在于提高半导体器件的可靠性。在半导体器件中，外延层(EPI2)的宽度比外延层(EPI1)的宽度大，与元件隔离部(STI)相接的外延层(EPI2)的端部的厚度比与元件隔离部(STI)相接的外延层(EPI1)的端部的厚度小，元件隔离部(STI)与插塞(PLG2)之间的最短距离(L2)比元件隔离部(STI)与插塞(PLG1)之间的最短距离(L1)大。

公开(公告)号：CN105140223A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201510272590.8

申请日：2015-05-25

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 门岛胜 ,  井上真雄

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L21/823892 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/1095

Abstract: 本发明的各个实施例涉及一种半导体器件。本发明使得在半导体器件的制造过程中可以抑制：杂质从衬底扩散至半导体层；以及晶体管的耐受电压的降低。在本发明中，第一导电类型的外延层形成在第一导电类型的基底衬底之上。外延层的杂质浓度低于基底衬底的杂质浓度。第二导电类型的第一嵌入层和第二导电类型的第二嵌入层形成在外延层中。第二嵌入层比第一嵌入层更深，远离第一嵌入层，并且具有比第一嵌入层更低的杂质浓度。在外延层中进一步形成晶体管。

公开(公告)号：CN110729301B

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN201910521429.8

申请日：2019-06-17

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 井上真雄 ,  门岛胜 ,  川嶋祥之 ,  山川市朗

IPC: H10B43/30 ,  H01L29/423 ,  H01L29/51 ,  H01L21/28

Abstract: 本公开的实施例涉及半导体器件及其制造方法。一种作为非易失性存储器单元的存储器单元包括栅极电介质膜，其具有能够保持电荷的电荷存储层，以及存储器栅电极，其形成在栅极电介质膜上。电荷存储层包括绝缘膜，其包含铪、硅和氧插入层，其形成在绝缘膜上并且包含铝，以及绝缘膜，其形成在插入层上并且包含铪、硅和氧。

公开(公告)号：CN108258047B

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN201711091337.8

申请日：2017-11-08

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 门岛胜 ,  藤泽雅彦

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，其课题在于提高半导体器件的可靠性。在半导体器件中，外延层(EPI2)的宽度比外延层(EPI1)的宽度大，与元件隔离部(STI)相接的外延层(EPI2)的端部的厚度比与元件隔离部(STI)相接的外延层(EPI1)的端部的厚度小，元件隔离部(STI)与插塞(PLG2)之间的最短距离(L2)比元件隔离部(STI)与插塞(PLG1)之间的最短距离(L1)大。

公开(公告)号：CN104425576A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201410371208.4

申请日：2014-07-30

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 水谷齐治 ,  井上真雄 ,  梅田浩司 ,  门岛胜

IPC: H01L29/51 ,  H01L29/792 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/792 ,  H01L21/02148 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/02359 ,  H01L21/28229 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/511 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/51 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，提高具有存储元件的半导体器件的性能。在半导体衬底(SB)上形成存储元件用的栅极绝缘膜即绝缘膜(MZ)，在绝缘膜(MZ)上形成存储元件用的栅极(MG)。绝缘膜(MZ)具有第一绝缘膜、第一绝缘膜之上的第二绝缘膜和第二绝缘膜之上的第三绝缘膜，第二绝缘膜是具有电荷累积功能的高介电常数绝缘膜，并含有铪、硅和氧。第一绝缘膜及第三绝缘膜的各自的带隙比第二绝缘膜的带隙大。