公开(公告)号：CN103354238A

公开(公告)日：2013-10-16

申请号：CN201310257738.1

申请日：2006-05-24

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 岛本泰洋 ,  由上二郎 ,  井上真雄 ,  水谷齐治

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/51

CPC classification number: H01L27/092 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28229 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/518 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，用于提高具有CMISFET的半导体器件的性能。构成CMISFET的n沟道型MISFET(40)、和p沟道型MISFET(41)的栅极绝缘膜(14、15)，由氮氧化硅膜构成；栅极电极(23、24)，包括位于栅极绝缘膜(14、15)上的硅膜。在栅极电极(23、24)与栅极绝缘膜(14、15)的界面附近，以1×1013～5×1014原子/cm2的面密度导入了像Hf这样的金属元素。n沟道型MISFET(40)和p沟道型MISFET(41)的沟道区域的杂质浓度，被控制在1.2×1018/cm3以下。

公开(公告)号：CN104425576A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201410371208.4

申请日：2014-07-30

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 水谷齐治 ,  井上真雄 ,  梅田浩司 ,  门岛胜

IPC: H01L29/51 ,  H01L29/792 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/792 ,  H01L21/02148 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/02359 ,  H01L21/28229 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/511 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/51 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，提高具有存储元件的半导体器件的性能。在半导体衬底(SB)上形成存储元件用的栅极绝缘膜即绝缘膜(MZ)，在绝缘膜(MZ)上形成存储元件用的栅极(MG)。绝缘膜(MZ)具有第一绝缘膜、第一绝缘膜之上的第二绝缘膜和第二绝缘膜之上的第三绝缘膜，第二绝缘膜是具有电荷累积功能的高介电常数绝缘膜，并含有铪、硅和氧。第一绝缘膜及第三绝缘膜的各自的带隙比第二绝缘膜的带隙大。

公开(公告)号：CN104425576B

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201410371208.4

申请日：2014-07-30

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 水谷齐治 ,  井上真雄 ,  梅田浩司 ,  门岛胜

IPC: H01L29/51 ,  H01L29/792 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，提高具有存储元件的半导体器件的性能。在半导体衬底(SB)上形成存储元件用的栅极绝缘膜即绝缘膜(MZ)，在绝缘膜(MZ)上形成存储元件用的栅极(MG)。绝缘膜(MZ)具有第一绝缘膜、第一绝缘膜之上的第二绝缘膜和第二绝缘膜之上的第三绝缘膜，第二绝缘膜是具有电荷累积功能的高介电常数绝缘膜，并含有铪、硅和氧。第一绝缘膜及第三绝缘膜的各自的带隙比第二绝缘膜的带隙大。