公开(公告)号：CN1282232C

公开(公告)日：2006-10-25

申请号：CN01143297.7

申请日：2001-12-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 ,  石川岛播磨重工业株式会社

Inventor： 田中幸一郎 ,  中节男 ,  八木武人 ,  石井干人 ,  西田健一郎 ,  河口纪仁 ,  正木美由纪 ,  芳之内淳

IPC: H01L21/324 ,  G02F1/00 ,  H01S3/00

CPC classification number: G02B27/108 ,  G02B27/145

Abstract: 一种运行成本比传统装置低的激光辐照装置，以及使用该装置的激光辐照方法。其形成的晶粒大小与传统的同数量级或更大。半导体薄膜冷却速度更低，而且可以形成与用输出时间长的激光辐照半导体薄膜时所形成的颗粒大小同数量级或更大颗粒的晶粒。通过在用短输出时间的固态激光器作光源时，相对于另一个激光延迟一个激光，组合这些激光，并将其辐照在半导体薄膜上，可以实现这个效果。

公开(公告)号：CN1362729A

公开(公告)日：2002-08-07

申请号：CN01143297.7

申请日：2001-12-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 ,  石川岛播磨重工业株式会社

Inventor： 田中幸一郎 ,  中嶋节男 ,  八木武人 ,  石井干人 ,  西田健一郎 ,  河口纪仁 ,  正木美由纪 ,  芳之内淳

IPC: H01L21/324 ,  G02F1/00 ,  H01S3/00

CPC classification number: G02B27/108 ,  G02B27/145

Abstract: 一种运行成本比传统装置低的激光辐照装置,以及使用该装置的激光辐照方法。其形成的晶粒大小与传统的同数量级或更大。半导体薄膜冷却速度更低,而且可以形成与用输出时间长的激光辐照半导体薄膜时所形成的颗粒大小同数量级或更大颗粒的晶粒。通过在用短输出时间的固态激光器作光源时,相对于另一个激光延迟一个激光,组合这些激光,并将其辐照在半导体薄膜上,可以实现这个效果。

公开(公告)号：CN102569534B

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201110439853.1

申请日：2011-12-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小田雄仁 ,  广濑贵史 ,  田中幸一郎 ,  加藤翔 ,  肥塚绘美

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/022433 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/50

Abstract: 提供了一种微小电极、包括该微小电极的光电转换器件及其制造方法。在基板中形成有多个平行沟槽部分以及夹在这些沟槽部分之间的区域，并且导电树脂被提供给这些沟槽部分和该区域并且固定，由此用导电树脂来填充这些沟槽部分，并且用导电树脂来覆盖该区域。所提供的导电树脂没有向外扩展，并且可以形成具有设计宽度的电极。在夹在这些沟槽部分之间的区域上形成该电极的一部分，由此短轴方向上的横截面的面积可以是很大的，并且可以获得长轴方向上的低电阻。

公开(公告)号：CN1822351B

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN200510138045.6

申请日：2005-11-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山本良明 ,  田中幸一郎 ,  矶部敦生 ,  大柄根大辅 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/84 ,  H01L27/12 ,  G02F1/13

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02683 ,  H01L21/02691 ,  H01L21/84 ,  H01L23/544 ,  H01L24/29 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L27/12 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78648 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2223/5442 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/838 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01Q1/38 ,  H01Q9/285 ,  H01Q23/00 ,  Y10S438/982 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 半导体器件及其制造方法，本发明的目的在于提供一种通过不同于专利文献1中公开的方法从衬底分离薄膜晶体管和包括该薄膜晶体管的电路或半导体器件，并将该薄膜晶体管和电路或半导体器件移位到具有柔性的衬底上的方法。根据本发明，在绝缘膜处形成了大开口或多个开口，在开口处形成了连接薄膜晶体管的导电膜，以及移除了剥离层，然后，将具有薄膜晶体管的层移位到提供有导电膜等的衬底上。根据本发明的薄膜晶体管具有通过激光照射结晶化的半导体膜，并且防止不必用激光照射的剥离层暴露在激光照射下。

公开(公告)号：CN101866024B

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201010230937.X

申请日：2005-03-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 田中幸一郎 ,  大石洋正

IPC: G02B3/00 ,  G02B27/09

CPC classification number: G02B27/0961 ,  B23K26/0738 ,  G02B3/0037 ,  G02B19/0014 ,  G02B19/0057 ,  G02B27/0966

Abstract: 本发明涉及光束均化器和激光照射装置。由于光学元件特性的缘故，光学元件在光学系统中的设置是受限的，所以在设计用于形成预定的激光束的光学系统中存在困难。本发明的目的是为了设计具有所需功能的光学系统，该光学系统不受设置光学元件的限制的影响。因此，将离轴柱面透镜阵列用作作用在光束长边方向上的柱面透镜阵列。

公开(公告)号：CN1915572B

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN200610126206.4

申请日：2002-09-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 田中幸一郎 ,  宫入秀和 ,  志贺爱子 ,  下村明久 ,  矶部敦生

IPC: B23K26/06 ,  B23K26/073 ,  G02B27/09 ,  H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L21/324 ,  H01L21/84

Abstract: 本发明的特征在于通过倾斜入射到凸透镜的激光束，出现诸如像散等的像差，并且激光束的形状在照射表面或其周围区域内形成线状。由于本发明具有非常简单的结构，光线调节较容易，并且器件尺寸变小。此外，由于光束相对于被照体倾斜入射，可防止返回光束。

公开(公告)号：CN102208419A

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：CN201110081650.X

申请日：2007-08-31

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 森末将文 ,  田中幸一郎

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/528 ,  H01L21/77 ,  G02F1/167

CPC classification number: H01L27/124 ,  G02F1/1362 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1292 ,  Y02P80/30

Abstract: 半导体器件的制造方法及显示器件的制造方法。本发明的课题在于提供提高材料的利用效率并使制造工序简化，来制造高可靠性的半导体器件的方法。其包括如下工序：在衬底上形成导电层；在该导电层上形成透光层；以及从该透光层上照射飞秒激光来选择性地除去该导电层及该透光层。也可以按照将该透光层的端部配置在比该导电层的端部更靠内侧的方式来除去该导电层及该透过层。此外，也可以在照射飞秒激光之前对该透光层的表面进行憎液处理。

公开(公告)号：CN101114612B

公开(公告)日：2011-07-06

申请号：CN200710137129.7

申请日：2007-07-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  田中幸一郎 ,  小路博信 ,  大石洋正

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/28

CPC classification number: G02F1/136286 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76838 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L51/5284 ,  H01L51/529 ,  H01L51/56 ,  H01L2227/323

Abstract: 本发明的目的在于提高材料的利用效率并且提供一种通过简化了的工序可以制造的显示器件及其制造技术。形成光吸收层，在光吸收层上形成绝缘层，对光吸收层及绝缘层选择性地照射激光，去除绝缘层的照射区以在绝缘层中形成开口，并且在开口中与光吸收层接触地形成导电膜。通过将导电膜与露出了的光吸收层接触地形成在开口中，光吸收层及导电膜其中间夹着绝缘层可以彼此电连接。

公开(公告)号：CN101299412B

公开(公告)日：2011-03-23

申请号：CN200810109622.2

申请日：2003-01-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 矶部敦生 ,  山崎舜平 ,  小久保千穗 ,  田中幸一郎 ,  下村明久 ,  荒尾达也 ,  宫入秀和 ,  秋叶麻衣

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L21/77 ,  H01L21/84 ,  H01L29/786 ,  H01L29/04 ,  H01L29/10 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。本发明的目的在于提供一种制造半导体器件的方法，以及一种使用该制造方法制造的半导体器件，其中使用激光晶化方法，它能够防止在TFT沟道形成区中形成晶界，并且能够防止所有由于晶界导致的TFT迁移率的显著下降、接通电流降低和关断电流增加。形成具有条形形状或矩形形状的凹陷和凸起。用连续波激光沿绝缘膜条形形状的凹陷和凸起、或沿矩形形状的纵轴方向或横轴方向辐照形成在绝缘膜上的半导体膜。注意虽然此时最优选使用连续波激光，但也可以使用脉冲波激光。

公开(公告)号：CN1540720B

公开(公告)日：2010-09-01

申请号：CN200410036918.8

申请日：2004-04-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  田中幸一郎 ,  宫入秀和

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/324 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/00 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02683 ,  B23K26/082 ,  B23K26/0821 ,  H01L21/02691 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1285

Abstract: 在由电反射镜及多面反射镜等扫描单元来扫描的激光的速度，扫描幅度的中心部与端部的速度不相同。其结果是，在被照射物(比如非晶质半导体膜)上会照射过多的能量，可能造成膜被剥离等。为此，本发明的特征在于：在由扫描单元等来使连续输出的能量射束在被照射物上的激光点往复运动来扫描的场合下，光点的扫描速度超出规定值(比如速度不稳定，增加、减少及成为零速)的场合(比如扫描方向改变的位置，或扫描开始位置及扫描结束位置)下的射束，照射到元件形成区之外。