公开(公告)号：CN1282232C

公开(公告)日：2006-10-25

申请号：CN01143297.7

申请日：2001-12-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 ,  石川岛播磨重工业株式会社

Inventor： 田中幸一郎 ,  中节男 ,  八木武人 ,  石井干人 ,  西田健一郎 ,  河口纪仁 ,  正木美由纪 ,  芳之内淳

IPC: H01L21/324 ,  G02F1/00 ,  H01S3/00

CPC classification number: G02B27/108 ,  G02B27/145

Abstract: 一种运行成本比传统装置低的激光辐照装置，以及使用该装置的激光辐照方法。其形成的晶粒大小与传统的同数量级或更大。半导体薄膜冷却速度更低，而且可以形成与用输出时间长的激光辐照半导体薄膜时所形成的颗粒大小同数量级或更大颗粒的晶粒。通过在用短输出时间的固态激光器作光源时，相对于另一个激光延迟一个激光，组合这些激光，并将其辐照在半导体薄膜上，可以实现这个效果。

公开(公告)号：CN1362729A

公开(公告)日：2002-08-07

申请号：CN01143297.7

申请日：2001-12-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 ,  石川岛播磨重工业株式会社

Inventor： 田中幸一郎 ,  中嶋节男 ,  八木武人 ,  石井干人 ,  西田健一郎 ,  河口纪仁 ,  正木美由纪 ,  芳之内淳

IPC: H01L21/324 ,  G02F1/00 ,  H01S3/00

CPC classification number: G02B27/108 ,  G02B27/145

Abstract: 一种运行成本比传统装置低的激光辐照装置,以及使用该装置的激光辐照方法。其形成的晶粒大小与传统的同数量级或更大。半导体薄膜冷却速度更低,而且可以形成与用输出时间长的激光辐照半导体薄膜时所形成的颗粒大小同数量级或更大颗粒的晶粒。通过在用短输出时间的固态激光器作光源时,相对于另一个激光延迟一个激光,组合这些激光,并将其辐照在半导体薄膜上,可以实现这个效果。

公开(公告)号：CN100466197C

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：CN200480042468.1

申请日：2004-05-28

Applicant: 石川岛播磨重工业株式会社

Inventor： 渡边智行 ,  芳之内淳

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/02129 ,  H01L21/02131 ,  H01L21/3165 ,  H01L21/76232 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76837 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种在低于现有技术的热处理温度下可消除层间绝缘膜的孔隙或者开气孔的半导体装置的制造方法。在由半导体衬底(11)上的元件所形成的凹凸(1)上形成：用于防止水分浸入到元件的防氧化层(2)、可通过在氧化气氛中进行热处理而氧化并膨胀的膨胀层(3)、以及通过在氧化气氛中进行热处理而可流动的绝缘膜(4)。在氧化气氛中对该半导体衬底(11)进行热处理，使绝缘膜(4)流动，而且，使膨胀层(3)氧化并使其膨胀，由此，消除绝缘膜(4)中产生的气泡(5)。

公开(公告)号：CN1926669A

公开(公告)日：2007-03-07

申请号：CN200480042468.1

申请日：2004-05-28

Applicant: 石川岛播磨重工业株式会社

Inventor： 渡边智行 ,  芳之内淳

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/02129 ,  H01L21/02131 ,  H01L21/3165 ,  H01L21/76232 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76837 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种在低于现有技术的热处理温度下可消除层间绝缘膜的孔隙或者开气孔的半导体装置的制造方法。在由半导体衬底(11)上的元件所形成的凹凸(1)上形成：用于防止水分浸入到元件的防氧化层(2)、可通过在氧化气氛中进行热处理而氧化并膨胀的膨胀层(3)、以及通过在氧化气氛中进行热处理而可流动的绝缘膜(4)。在氧化气氛中对该半导体衬底(11)进行热处理，使绝缘膜(4)流动，而且，使膨胀层(3)氧化并使其膨胀，由此，消除绝缘膜(4)中产生的气泡(5)。

公开(公告)号：CN101208778B

公开(公告)日：2010-04-21

申请号：CN200680022992.1

申请日：2006-09-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 川上隆介 ,  西田健一郎 ,  河口纪仁 ,  正木深雪 ,  芳之内淳

IPC: H01L21/268 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02675 ,  B23K26/0613 ,  B23K26/0732 ,  H01L21/0268 ,  H01L21/02691 ,  H01L21/268 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1296

Abstract: 一种通过在基板表面形成的半导体膜上照射激光束而进行的激光退火方法，包括生成与行进方向垂直的截面为矩形且电场朝矩形长边方向的线偏振的矩形激光束或者长轴朝长边方向的椭圆偏振的矩形激光束的步骤；使上述矩形激光束入射到基板表面上的步骤；以及将上述矩形激光束的波长设定为与驻波方向所要的晶粒尺寸相当的长度的步骤。