公开(公告)号：CN101154642A

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：CN200710161214.7

申请日：2007-09-25

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小幡进 ,  小松出 ,  井口知洋 ,  木谷智之 ,  平原昌子 ,  浮田康成 ,  樋口和人

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L23/49562 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/49524 ,  H01L24/24 ,  H01L24/40 ,  H01L24/82 ,  H01L24/84 ,  H01L2224/24246 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供一种可靠性高、容易制造且能使内阻更加降低的半导体器件及其制造方法。本发明的半导体器件具有：半导体元件3；引线4，具有与设置在半导体元件3上的电极连接的电极；以及金属膜6，使半导体元件3的电极与引线4的电极电连接。

公开(公告)号：CN100580875C

公开(公告)日：2010-01-13

申请号：CN200810008863.8

申请日：2008-01-25

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 木谷智之 ,  井口知洋 ,  平原昌子 ,  西内秀夫 ,  东条启 ,  富冈泰造

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/78 ,  H01L21/607 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L23/29 ,  H01L23/291 ,  H01L23/293 ,  H01L23/298 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

Abstract: 对于为了减小在半导体基板上所形成的电路元件间的电阻而在半导体基板的面上形成有导电层的半导体元件，在通过施加超声波振动而倒装片式安装该半导体元件时，防止由施加超声波振动的结合工具切削导电层，并防止因所切削的切屑附着在结合工具上而引起的半导体元件的安装状态的偏差。在半导体元件的制造方法中，具有以下工序：在一个主面上形成有电路元件的半导体晶片的另一个主面上形成导电层；在覆盖上述导电层上的至少一部分的区域内，形成相比于该导电层具有难切削性的保护层；以及将上述半导体晶片按照每个半导体元件切断。

公开(公告)号：CN101388375A

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN200810149113.2

申请日：2008-09-12

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 井口知洋 ,  西内秀夫 ,  樋口和人 ,  木谷智之

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/85 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49582 ,  H01L24/16 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/4554 ,  H01L2224/456 ,  H01L2224/45647 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85909 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/78 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供一种可靠性高并且容易制造，同时不增大半导体器件的大小就能够进一步降低内部电阻的半导体器件及其制造方法。具备：半导体元件(2)、引线(3)、将半导体元件(2)的电极(2a)和引线(3)电连接起来的布线构件(4)，其中布线构件(4)至少被具有导电性的材料覆盖。

公开(公告)号：CN101261971A

公开(公告)日：2008-09-10

申请号：CN200810082197.2

申请日：2008-03-07

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 东条启 ,  木谷智之 ,  井口知洋 ,  平原昌子 ,  西内秀夫

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供一种通过采用不使用焊线的结构来提高电气特性并确保高的可靠性、能够提高制造的成品率并提高生产效率的半导体装置及其制造方法。具备：第一表面(5a)上配设有半导体元件的第一电极(5a1)并且与第一表面(5a)相对置的第二表面(5b)上配设有半导体元件的第二电极(5b1)的半导体芯片(5)；连接在第一表面(5a)上的第一导电性部件(6a)；连接在第二表面(5b)上的第二导电性部件(6b)；与第一导电性部件(6a)连接并且具有比第一导电性部件(6a)大的连接面积的第一外部电极(2a)；与第二导电性部件(6b)连接，并且具有比第二导电性部件(6b)大的连接面积的第二外部电极(2b)；以及在第一和第二外部电极(2b、2b)之间利用加热进行熔融及硬化来密封半导体芯片(5)和导电性部件(6)的密封材料(3)。

公开(公告)号：CN101261971B

公开(公告)日：2010-04-14

申请号：CN200810082197.2

申请日：2008-03-07

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 东条启 ,  木谷智之 ,  井口知洋 ,  平原昌子 ,  西内秀夫

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供一种通过采用不使用焊线的结构来提高电气特性并确保高的可靠性、能够提高制造的成品率并提高生产效率的半导体装置及其制造方法。具备：第一表面(5a)上配设有半导体元件的第一电极(5a1)并且与第一表面(5a)相对置的第二表面(5b)上配设有半导体元件的第二电极(5b1)的半导体芯片(5)；连接在第一表面(5a)上的第一导电性部件(6a)；连接在第二表面(5b)上的第二导电性部件(6b)；与第一导电性部件(6a)连接并且具有比第一导电性部件(6a)大的连接面积的第一外部电极(2a)；与第二导电性部件(6b)连接，并且具有比第二导电性部件(6b)大的连接面积的第二外部电极(2b)；以及在第一和第二外部电极(2b、2b)之间利用加热进行熔融及硬化来密封半导体芯片(5)和导电性部件(6)的密封材料(3)。

公开(公告)号：CN101231946A

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200810008863.8

申请日：2008-01-25

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 木谷智之 ,  井口知洋 ,  平原昌子 ,  西内秀夫 ,  东条启 ,  富冈泰造

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/78 ,  H01L21/607 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L23/29 ,  H01L23/291 ,  H01L23/293 ,  H01L23/298 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

Abstract: 对于为了减小在半导体基板上所形成的电路元件间的电阻而在半导体基板的面上形成有导电层的半导体元件，在通过施加超声波振动而倒装片式安装该半导体元件时，防止由施加超声波振动的结合工具切削导电层，并防止因所切削的切屑附着在结合工具上而引起的半导体元件的安装状态的偏差。在半导体元件的制造方法中，具有以下工序：在一个主面上形成有电路元件的半导体晶片的另一个主面上形成导电层；在覆盖上述导电层上的至少一部分的区域内，形成相比于该导电层具有难切削性的保护层；以及将上述半导体晶片按照每个半导体元件切断。

公开(公告)号：CN101834148B

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN201010108017.0

申请日：2010-01-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 能木孝男 ,  木谷智之 ,  东条启 ,  菅谦太郎

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L23/482

CPC classification number: H01L23/051 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/32 ,  H01L24/94 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种半导体装置的制造方法，包括如下工序：在形成于半导体晶片上的多个半导体元件的半导体晶片的表面侧设置的各电极上，形成由导电体构成的凸部；在表面的多个半导体元件相互间形成沟；在上述电极中的任一个上的凸部及凸部相互间的间隙和沟中填充绝缘体而形成密封部；研磨半导体晶片的与表面相对置的背面直到露出密封部，针对各半导体元件把半导体晶片分离；在凸部的每一个上形成由导电体构成且成为第一外部电极的一部分的第一引线；在多个半导体元件的背面上，直接形成作为成为第二外部电极的第二引线的导电材料层，形成第二引线；以及在多个半导体元件相互间切断密封部，把多个半导体元件相互分离。

公开(公告)号：CN102142464A

公开(公告)日：2011-08-03

申请号：CN201110030782.X

申请日：2011-01-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 木谷智之 ,  东条启 ,  能木孝男 ,  樋口和人 ,  井口知洋 ,  福满昌子 ,  小幡进 ,  浅野佑策

IPC: H01L29/861 ,  H01L23/31 ,  H01L29/417 ,  H01L21/329 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L21/782 ,  H01L23/48 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及表面安装型二极管及其制造方法。二极管具备：具有相对置的第一及第二主面；负极，具有设在上述第一主面的表面上的第一内部电极部和设在上述第一内部电极部的表面上的第一外部电极部；正极，具备第二内部电极部和第二外部电极部，该第二内部电极部设在上述第二主面的表面，该第二外部电极部设在该第二内部电极部的表面且具有与上述负极的第一外部电极部相同的厚度；第一被覆部件，对上述第一内部电极部及上述第二内部电极部的任一方的内部电极部的外周面及上述二极管芯片的外周面进行覆盖；及第二被覆部件，对上述第一内部电极部及上述第二内部电极部中的另一方的上述内部电极部的外周面进行覆盖，具有与上述第一被覆部件不同的颜色。

公开(公告)号：CN101834148A

公开(公告)日：2010-09-15

申请号：CN201010108017.0

申请日：2010-01-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 能木孝男 ,  木谷智之 ,  东条启 ,  菅谦太郎

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L23/482

CPC classification number: H01L23/051 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/32 ,  H01L24/94 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种半导体装置的制造方法，包括如下工序：在形成于半导体晶片上的多个半导体元件的半导体晶片的表面侧设置的各电极上，形成由导电体构成的凸部；在表面的多个半导体元件相互间形成沟；在上述电极中的任一个上的凸部及凸部相互间的间隙和沟中填充绝缘体而形成密封部；研磨半导体晶片的与表面相对置的背面直到露出密封部，针对各半导体元件把半导体晶片分离；在凸部的每一个上形成由导电体构成且成为第一外部电极的一部分的第一引线；在多个半导体元件的背面上，直接形成作为成为第二外部电极的第二引线的导电材料层，形成第二引线；以及在多个半导体元件相互间切断密封部，把多个半导体元件相互分离。

公开(公告)号：CN203812907U

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN201420115484.X

申请日：2014-03-13

Applicant: 东芝照明技术株式会社 ,  株式会社东芝

Inventor： 上村幸三 ,  大谷清 ,  松尾伦宏 ,  木谷智之

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/54

Abstract: 本实用新型提供一种发光模块。实施方式的发光模块包括：基板；反射层，设置在所述基板上；保护层，以包围所述反射层的方式设置在所述基板上，且包含与所述反射层相接的第一部分、及设置在所述第一部分的周围且比所述第一部分更厚的第二部分；发光元件，安装在所述反射层上；以及密封树脂，覆盖所述发光元件、所述反射层、及所述第一部分的至少一部分。实施方式的发光模块在包围光源的安装部的保护膜的边缘设置着多个阶差且提高了可靠度。