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公开(公告)号：CN101834148B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN201010108017.0
申请日：2010-01-28
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/50 , H01L21/60 , H01L23/482
CPC classification number: H01L23/051 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/32 , H01L24/94 , H01L2221/68327 , H01L2221/68372 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/94 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/12042 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2224/03 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种半导体装置的制造方法，包括如下工序：在形成于半导体晶片上的多个半导体元件的半导体晶片的表面侧设置的各电极上，形成由导电体构成的凸部；在表面的多个半导体元件相互间形成沟；在上述电极中的任一个上的凸部及凸部相互间的间隙和沟中填充绝缘体而形成密封部；研磨半导体晶片的与表面相对置的背面直到露出密封部，针对各半导体元件把半导体晶片分离；在凸部的每一个上形成由导电体构成且成为第一外部电极的一部分的第一引线；在多个半导体元件的背面上，直接形成作为成为第二外部电极的第二引线的导电材料层，形成第二引线；以及在多个半导体元件相互间切断密封部，把多个半导体元件相互分离。
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公开(公告)号：CN102142464A
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN201110030782.X
申请日：2011-01-28
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L29/861 , H01L23/31 , H01L29/417 , H01L21/329 , H01L21/56
CPC classification number: H01L21/782 , H01L23/48 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及表面安装型二极管及其制造方法。二极管具备：具有相对置的第一及第二主面；负极，具有设在上述第一主面的表面上的第一内部电极部和设在上述第一内部电极部的表面上的第一外部电极部；正极，具备第二内部电极部和第二外部电极部，该第二内部电极部设在上述第二主面的表面，该第二外部电极部设在该第二内部电极部的表面且具有与上述负极的第一外部电极部相同的厚度；第一被覆部件，对上述第一内部电极部及上述第二内部电极部的任一方的内部电极部的外周面及上述二极管芯片的外周面进行覆盖；及第二被覆部件，对上述第一内部电极部及上述第二内部电极部中的另一方的上述内部电极部的外周面进行覆盖，具有与上述第一被覆部件不同的颜色。
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公开(公告)号：CN101834148A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN201010108017.0
申请日：2010-01-28
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/50 , H01L21/60 , H01L23/482
CPC classification number: H01L23/051 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/32 , H01L24/94 , H01L2221/68327 , H01L2221/68372 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/94 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/12042 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2224/03 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种半导体装置的制造方法，包括如下工序：在形成于半导体晶片上的多个半导体元件的半导体晶片的表面侧设置的各电极上，形成由导电体构成的凸部；在表面的多个半导体元件相互间形成沟；在上述电极中的任一个上的凸部及凸部相互间的间隙和沟中填充绝缘体而形成密封部；研磨半导体晶片的与表面相对置的背面直到露出密封部，针对各半导体元件把半导体晶片分离；在凸部的每一个上形成由导电体构成且成为第一外部电极的一部分的第一引线；在多个半导体元件的背面上，直接形成作为成为第二外部电极的第二引线的导电材料层，形成第二引线；以及在多个半导体元件相互间切断密封部，把多个半导体元件相互分离。
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