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公开(公告)号：CN101261971A
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200810082197.2
申请日：2008-03-07
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种通过采用不使用焊线的结构来提高电气特性并确保高的可靠性、能够提高制造的成品率并提高生产效率的半导体装置及其制造方法。具备：第一表面(5a)上配设有半导体元件的第一电极(5a1)并且与第一表面(5a)相对置的第二表面(5b)上配设有半导体元件的第二电极(5b1)的半导体芯片(5)；连接在第一表面(5a)上的第一导电性部件(6a)；连接在第二表面(5b)上的第二导电性部件(6b)；与第一导电性部件(6a)连接并且具有比第一导电性部件(6a)大的连接面积的第一外部电极(2a)；与第二导电性部件(6b)连接，并且具有比第二导电性部件(6b)大的连接面积的第二外部电极(2b)；以及在第一和第二外部电极(2b、2b)之间利用加热进行熔融及硬化来密封半导体芯片(5)和导电性部件(6)的密封材料(3)。
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公开(公告)号：CN109427761B
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN201810641693.0
申请日：2018-06-21
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 半导体装置包括基底、第1半导体芯片以及第2半导体芯片。基底具有布线。第1半导体芯片具有第1半导体元件部。第2半导体芯片具有第2半导体元件部，经由上述布线的至少1个与上述第1半导体芯片电连接。第2半导体芯片包括：包括上述第2半导体元件部的第1区域；与上述第1区域连续的第1部分；以及与上述第1区域连续，在与从上述基底朝向上述第1区域的第1方向交叉的第2方向上与上述第1部分远离的第2部分。上述第1半导体芯片的至少一部分、上述第1部分以及上述第2部分分别位于上述基底与上述第1区域之间。
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公开(公告)号：CN109427761A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201810641693.0
申请日：2018-06-21
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 半导体装置包括基底、第1半导体芯片以及第2半导体芯片。基底具有布线。第1半导体芯片具有第1半导体元件部。第2半导体芯片具有第2半导体元件部，经由上述布线的至少1个与上述第1半导体芯片电连接。第2半导体芯片包括：包括上述第2半导体元件部的第1区域；与上述第1区域连续的第1部分；以及与上述第1区域连续，在与从上述基底朝向上述第1区域的第1方向交叉的第2方向上与上述第1部分远离的第2部分。上述第1半导体芯片的至少一部分、上述第1部分以及上述第2部分分别位于上述基底与上述第1区域之间。
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公开(公告)号：CN101261971B
公开(公告)日：2010-04-14
申请号：CN200810082197.2
申请日：2008-03-07
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种通过采用不使用焊线的结构来提高电气特性并确保高的可靠性、能够提高制造的成品率并提高生产效率的半导体装置及其制造方法。具备：第一表面(5a)上配设有半导体元件的第一电极(5a1)并且与第一表面(5a)相对置的第二表面(5b)上配设有半导体元件的第二电极(5b1)的半导体芯片(5)；连接在第一表面(5a)上的第一导电性部件(6a)；连接在第二表面(5b)上的第二导电性部件(6b)；与第一导电性部件(6a)连接并且具有比第一导电性部件(6a)大的连接面积的第一外部电极(2a)；与第二导电性部件(6b)连接，并且具有比第二导电性部件(6b)大的连接面积的第二外部电极(2b)；以及在第一和第二外部电极(2b、2b)之间利用加热进行熔融及硬化来密封半导体芯片(5)和导电性部件(6)的密封材料(3)。
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公开(公告)号：CN101231946A
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200810008863.8
申请日：2008-01-25
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/00 , H01L21/78 , H01L21/607 , H01L27/04
CPC classification number: H01L21/78 , H01L23/29 , H01L23/291 , H01L23/293 , H01L23/298 , H01L2224/0554 , H01L2224/0557 , H01L2224/05571 , H01L2224/05573 , H01L2224/16 , H01L2924/00014 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/19043 , H01L2224/05599 , H01L2224/0555 , H01L2224/0556
Abstract: 对于为了减小在半导体基板上所形成的电路元件间的电阻而在半导体基板的面上形成有导电层的半导体元件，在通过施加超声波振动而倒装片式安装该半导体元件时，防止由施加超声波振动的结合工具切削导电层，并防止因所切削的切屑附着在结合工具上而引起的半导体元件的安装状态的偏差。在半导体元件的制造方法中，具有以下工序：在一个主面上形成有电路元件的半导体晶片的另一个主面上形成导电层；在覆盖上述导电层上的至少一部分的区域内，形成相比于该导电层具有难切削性的保护层；以及将上述半导体晶片按照每个半导体元件切断。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108695260A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810193446.9
申请日：2018-03-09
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L23/562 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L23/3107 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L21/56 , H01L23/28 , H01L23/291 , H01L23/298 , H01L23/3171 , H01L23/3185 , H01L23/3192
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及半导体装置的制造方法，半导体装置包含基体、器件层和包含第1膜的膜。上述基体包含第1半导体元件，且具有第1面、第2面和位于上述第1面与上述第2面之间的侧面。上述器件层包含与上述第1半导体元件电连接的第2半导体元件，且被设置于上述基体的第1面上。上述包含第1膜的膜包含第1区域、第2区域及第3区域。在第1方向，上述基体位于上述第1区域与器件层之间。在与上述第1方向交叉的第2方向，上述基体位于上述第2区域与上述第3区域之间。上述第1膜将上述第2面、及上述侧面的凹凸埋入。
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公开(公告)号：CN101834148B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN201010108017.0
申请日：2010-01-28
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/50 , H01L21/60 , H01L23/482
CPC classification number: H01L23/051 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/32 , H01L24/94 , H01L2221/68327 , H01L2221/68372 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/94 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/12042 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2224/03 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种半导体装置的制造方法，包括如下工序：在形成于半导体晶片上的多个半导体元件的半导体晶片的表面侧设置的各电极上，形成由导电体构成的凸部；在表面的多个半导体元件相互间形成沟；在上述电极中的任一个上的凸部及凸部相互间的间隙和沟中填充绝缘体而形成密封部；研磨半导体晶片的与表面相对置的背面直到露出密封部，针对各半导体元件把半导体晶片分离；在凸部的每一个上形成由导电体构成且成为第一外部电极的一部分的第一引线；在多个半导体元件的背面上，直接形成作为成为第二外部电极的第二引线的导电材料层，形成第二引线；以及在多个半导体元件相互间切断密封部，把多个半导体元件相互分离。
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公开(公告)号：CN102142464A
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN201110030782.X
申请日：2011-01-28
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L29/861 , H01L23/31 , H01L29/417 , H01L21/329 , H01L21/56
CPC classification number: H01L21/782 , H01L23/48 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及表面安装型二极管及其制造方法。二极管具备：具有相对置的第一及第二主面；负极，具有设在上述第一主面的表面上的第一内部电极部和设在上述第一内部电极部的表面上的第一外部电极部；正极，具备第二内部电极部和第二外部电极部，该第二内部电极部设在上述第二主面的表面，该第二外部电极部设在该第二内部电极部的表面且具有与上述负极的第一外部电极部相同的厚度；第一被覆部件，对上述第一内部电极部及上述第二内部电极部的任一方的内部电极部的外周面及上述二极管芯片的外周面进行覆盖；及第二被覆部件，对上述第一内部电极部及上述第二内部电极部中的另一方的上述内部电极部的外周面进行覆盖，具有与上述第一被覆部件不同的颜色。
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公开(公告)号：CN101834148A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN201010108017.0
申请日：2010-01-28
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/50 , H01L21/60 , H01L23/482
CPC classification number: H01L23/051 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/32 , H01L24/94 , H01L2221/68327 , H01L2221/68372 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/94 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/12042 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2224/03 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种半导体装置的制造方法，包括如下工序：在形成于半导体晶片上的多个半导体元件的半导体晶片的表面侧设置的各电极上，形成由导电体构成的凸部；在表面的多个半导体元件相互间形成沟；在上述电极中的任一个上的凸部及凸部相互间的间隙和沟中填充绝缘体而形成密封部；研磨半导体晶片的与表面相对置的背面直到露出密封部，针对各半导体元件把半导体晶片分离；在凸部的每一个上形成由导电体构成且成为第一外部电极的一部分的第一引线；在多个半导体元件的背面上，直接形成作为成为第二外部电极的第二引线的导电材料层，形成第二引线；以及在多个半导体元件相互间切断密封部，把多个半导体元件相互分离。
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公开(公告)号：CN112951732B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202010944761.8
申请日：2020-09-10
IPC: H01L21/607
Abstract: 提供能够抑制被接合部与线之间的接合不良的产生的引线接合装置。实施方式的引线接合装置是通过在使线被按压于被接合部的状态下产生超声波振动，从而使所述线与所述被接合部接合的引线接合装置，具备使线与被接合部接触并施加负载的接合工具、产生超声波振动的超声波变幅杆、连续地检测从所述接合工具向所述被接合部施加的负载的负载传感器、以及控制所述接合工具及所述超声波变幅杆的动作的控制部。所述控制部对从所述线与所述被接合部接触起至产生所述超声波振动之间由所述负载传感器输出的所述负载的数据进行分析，并基于分析结果，控制所述接合工具以及所述超声波变幅杆的动作。
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