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公开(公告)号：CN114289850A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202110724506.7
申请日：2021-06-29
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 提供一种在基于超声波接合的接合中能够抑制被接合部件的接合强度的降低的超声波接合装置、控制装置以及控制方法。根据实施方式，超声波接合装置具备工作台、接合工具、传感器以及控制装置。工作台能够在高度方向的上侧配置被接合部件。接合工具相对于被接合部件配置于高度方向的上侧，通过加压力将被接合部件向高度方向的下侧按压，并且以向被接合部件传递沿与高度方向交叉的方向振动的超声波振动的状态被驱动，从而将被接合部件接合。传感器，检测通过超声波振动而振动的被接合部件中的沿着高度方向的振动。控制装置基于与由传感器检测出的沿着高度方向的振动相关的信息，变更与接合工具的驱动相关的控制参数。
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公开(公告)号：CN107042359B
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201710064495.8
申请日：2017-02-03
Applicant: 株式会社东芝
IPC: B23K20/12
CPC classification number: B23K20/1255 , B23K20/1265 , B23K20/2336
Abstract: 本发明的实施方式涉及的摩擦搅拌接合方法中，相对于由第1金属部件、主元素与所述第1金属部件所含的主元素相同的第2金属部件、和夹在所述第1金属部件的至少一部分与所述第2金属部件的至少一部分之间且主元素与所述第1金属部件及所述第2金属部件所含的主元素相同、粒径为20μm以下的第3金属部件构成的被接合部件，一边使前端具有突起的工具旋转一边向所述被接合部件按压，从而将所述第1金属部件、所述第2金属部件和所述第3金属部件接合。
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公开(公告)号：CN109427761B
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN201810641693.0
申请日：2018-06-21
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 半导体装置包括基底、第1半导体芯片以及第2半导体芯片。基底具有布线。第1半导体芯片具有第1半导体元件部。第2半导体芯片具有第2半导体元件部，经由上述布线的至少1个与上述第1半导体芯片电连接。第2半导体芯片包括：包括上述第2半导体元件部的第1区域；与上述第1区域连续的第1部分；以及与上述第1区域连续，在与从上述基底朝向上述第1区域的第1方向交叉的第2方向上与上述第1部分远离的第2部分。上述第1半导体芯片的至少一部分、上述第1部分以及上述第2部分分别位于上述基底与上述第1区域之间。
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公开(公告)号：CN109427761A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201810641693.0
申请日：2018-06-21
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 半导体装置包括基底、第1半导体芯片以及第2半导体芯片。基底具有布线。第1半导体芯片具有第1半导体元件部。第2半导体芯片具有第2半导体元件部，经由上述布线的至少1个与上述第1半导体芯片电连接。第2半导体芯片包括：包括上述第2半导体元件部的第1区域；与上述第1区域连续的第1部分；以及与上述第1区域连续，在与从上述基底朝向上述第1区域的第1方向交叉的第2方向上与上述第1部分远离的第2部分。上述第1半导体芯片的至少一部分、上述第1部分以及上述第2部分分别位于上述基底与上述第1区域之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107042359A
公开(公告)日：2017-08-15
申请号：CN201710064495.8
申请日：2017-02-03
Applicant: 株式会社东芝
IPC: B23K20/12
CPC classification number: B23K20/1255 , B23K20/1265 , B23K20/2336 , B23K20/122 , B23K20/1245 , B23K20/127
Abstract: 本发明的实施方式涉及的摩擦搅拌接合方法中，相对于由第1金属部件、主元素与所述第1金属部件所含的主元素相同的第2金属部件、和夹在所述第1金属部件的至少一部分与所述第2金属部件的至少一部分之间且主元素与所述第1金属部件及所述第2金属部件所含的主元素相同、粒径为20μm以下的第3金属部件构成的被接合部件，一边使前端具有突起的工具旋转一边向所述被接合部件按压，从而将所述第1金属部件、所述第2金属部件和所述第3金属部件接合。
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公开(公告)号：CN112951732B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202010944761.8
申请日：2020-09-10
IPC: H01L21/607
Abstract: 提供能够抑制被接合部与线之间的接合不良的产生的引线接合装置。实施方式的引线接合装置是通过在使线被按压于被接合部的状态下产生超声波振动，从而使所述线与所述被接合部接合的引线接合装置，具备使线与被接合部接触并施加负载的接合工具、产生超声波振动的超声波变幅杆、连续地检测从所述接合工具向所述被接合部施加的负载的负载传感器、以及控制所述接合工具及所述超声波变幅杆的动作的控制部。所述控制部对从所述线与所述被接合部接触起至产生所述超声波振动之间由所述负载传感器输出的所述负载的数据进行分析，并基于分析结果，控制所述接合工具以及所述超声波变幅杆的动作。
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公开(公告)号：CN112951732A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202010944761.8
申请日：2020-09-10
IPC: H01L21/607
Abstract: 提供能够抑制被接合部与线之间的接合不良的产生的引线接合装置。实施方式的引线接合装置是通过在使线被按压于被接合部的状态下产生超声波振动，从而使所述线与所述被接合部接合的引线接合装置，具备使线与被接合部接触并施加负载的接合工具、产生超声波振动的超声波变幅杆、连续地检测从所述接合工具向所述被接合部施加的负载的负载传感器、以及控制所述接合工具及所述超声波变幅杆的动作的控制部。所述控制部对从所述线与所述被接合部接触起至产生所述超声波振动之间由所述负载传感器输出的所述负载的数据进行分析，并基于分析结果，控制所述接合工具以及所述超声波变幅杆的动作。
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公开(公告)号：CN216213948U
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202122618081.X
申请日：2021-10-29
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 伊藤宜司
IPC: H01M50/533 , H01M50/543 , H01M50/10 , H01M50/147
Abstract: 本实用新型的实施方式涉及一种电池。本实用新型要解决的课题在于提供一种电池，在电极组中集电极耳向盖部件所位于的一侧突出的构成中，在夹板的接合时降低对盖部件产生的损伤。根据实施方式，电池具备外装容器、盖部件、电极组、集电极耳、电极端子、簧片以及夹板。盖部件以堵塞内部空腔的开口的状态安装于外装容器的周壁。在内部空腔的电极组中，集电极耳向盖部件所位于的一侧突出。簧片在内部空腔中，将安装于集电极耳的夹板隔在中间地与集电极耳接合，将集电极耳与电极端子之间电连接。夹板具备将集电极耳夹在中间的一对板部以及折回部。折回部从与高度方向交叉的横方向的一侧与集电极耳邻接，并且将一对板部相对于彼此折回。
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公开(公告)号：CN216120645U
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202122375558.6
申请日：2021-09-29
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01M50/533 , H01M50/10 , H01M10/0525
Abstract: 本实用新型的实施方式涉及电池。本实用新型所要解决的技术问题在于提供一种电池，在多个电极组的集电极耳向盖部件所在一侧突出的结构中，能够增大外包装容器的内部空腔中的多个电极组所占的空间。实施方式的电池具备外包装容器、盖部件、多个电极组、第一引导件、第二引导件及电极端子。盖部件封堵外包装容器的内部空腔的开口，多个电极组收纳于外包装容器的内部空腔。在第一电极组中向盖部件所在一侧突出的第一集电极耳与第一引导件接合，在与第一电极组不同的第二电极组中向盖部件所在一侧突出的第二集电极耳接合于与第一引导件分体的第二引导件接合。第一引导件及第二引导件被一起连接在盖部件的外表面露出的电极端子上。
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