公开(公告)号：CN102714186A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201080061973.6

申请日：2010-08-05

Applicant: 住友电木株式会社

Inventor： 平野孝 ,  吉田将人

IPC: H01L23/00 ,  H01L21/301 ,  H01L21/683 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L25/50 ,  H01L21/563 ,  H01L23/293 ,  H01L24/29 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29386 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/05032 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299

Abstract: 本发明涉及一种半导体保护膜形成用膜，是保护搭载于基板等结构体上且位于最外侧的半导体元件的与搭载于上述结构体的面相反的一侧的面的半导体保护膜形成用膜，其特征在于，构成该半导体保护膜形成用膜的树脂组合物含有（A）热固化成分和（B）无机填充剂。

公开(公告)号：CN101833244B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201010161446.4

申请日：2004-06-21

Applicant: 住友电木株式会社

Inventor： 番场敏夫 ,  池田拓司 ,  矢野达也 ,  平野孝

IPC: G03F7/022 ,  G03F7/00 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明提供一种包含碱性可溶性树脂(A)、重氮醌化合物(B)、不含酚性羟基含-CH2OH基的化合物(C)所构成的正型感光性树脂组合物；采用该组合物的图案状树脂膜的制造方法；采用该组合物的半导体装置；及该半导体装置的制造方法。本发明还提供一种正型感光性树脂组合物；采用该组合物的图案状树脂膜的制造方法；采用该组合物的半导体装置及半导体元件；及该半导体装置及显示元件的制造方法，其中，正型感光性树脂组合物含有碱性可溶性树脂(A)、重氮醌化合物(B)、2种或2种以上的混合溶剂(D)，而混合溶剂(D)含有γ-丁内酯及丙二醇单烷基醚，γ-丁内酯及丙二醇单烷基醚的合计量相对溶剂总量为70重量％或70重量％以上。

公开(公告)号：CN1381768A

公开(公告)日：2002-11-27

申请号：CN02119045.3

申请日：1997-05-12

Applicant: 住友电木株式会社

Inventor： 平野孝 ,  番场敏夫 ,  真壁裕明 ,  竹田直滋 ,  竹田敏郎

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/016

CPC classification number: G03F7/0226 ,  G03F7/0755 ,  G03F7/0757 ,  Y10S430/107

Abstract: 公开了一种正型光敏树脂组合物,它包括(A)100重量份的式(1)聚酰胺,(B)1－100重量份光敏重氮醌化合物以及(C)1－50重量份具有特定结构的酚化合物和/或(D)0.1－20重量份具有特定结构式的有机硅化合物,其中各取代基如说明书中所述。还公开了一种半导体装置,其中在半导体元件上形成了厚度0.1－20μm的用上述光敏树脂组合物得到的聚苯并噁唑树脂图案。

公开(公告)号：CN102298265B

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN201110146567.6

申请日：2003-07-02

Applicant: 住友电木株式会社

Inventor： 埃德蒙德·埃尔切 ,  平野孝 ,  小杰弗里·C·克罗廷 ,  拉里·F·罗兹 ,  布赖恩·L·古多尔 ,  塞库马·贾亚拉曼 ,  克里斯·麦克杜格尔 ,  孙申亮

IPC: G03F7/038 ,  C08F232/08 ,  H01L23/29

CPC classification number: G03F7/0382 ,  C08G59/3218 ,  C08G61/02 ,  C08G61/06

Abstract: 本发明涉及共聚物组合物、光刻介电组合物及包含所述光刻介电组合物的电气或电子器件。所述共聚物组合物包括如下共聚物，所述共聚物具有下式I的重复单元：，其中X选自O，-CH2-和-CH2-CH2-；m是从0到5的整数；并且每次出现的R1-R4独立地选自下列基团：H，包含一个或者多个选自O，N和Si的杂原子的C1到C25的线性、支链和环状烷基，芳基，芳烷基，烷芳基，烯基和炔基；包含环氧官能团的基团；-(CH2)nC(O)OR5R5；-(CH2)nC(O)OR6，-(CH2)nOR6；-(CH2)nOC(O)R6；-(CH2)nC(O)R6；(CH2)nOC(O)OR6R6；以及R1，R2，R3和R4中的任意两个基团的组合通过连接基团连接起来。一部分具有结构式I的重复单元含有至少一个环氧官能团侧基。所述光刻介电组合物可用于形成基质上的光刻层。

公开(公告)号：CN102498548A

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN201080031116.1

申请日：2010-05-31

Applicant: 住友电木株式会社

Inventor： 安田浩幸 ,  平野孝 ,  织田直哉

IPC: H01L21/301 ,  C09J7/02 ,  C09J201/00

CPC classification number: H01L24/27 ,  C09J7/38 ,  C09J2201/36 ,  C09J2203/326 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/29 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/838 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01059 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30105 ,  Y10T428/15 ,  Y10T428/24777 ,  Y10T428/2495 ,  Y10T428/24983 ,  Y10T428/265 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明的半导体用膜，是依次层叠支承膜、第二粘着层、第一粘着层和粘接层来形成，并以如下方式构成：在粘接层上层叠半导体晶片并在通过切割使该半导体晶片单片化时支承半导体晶片，而且在拾取单片化的半导体元件时，第一粘着层与粘接层之间有选择性地发生剥离。该半导体用膜的特征在于，第一粘着层的平均厚度为20μm～100μm。基于此，可容易且可靠地控制切割时所形成的切槽前端停止于第一粘着层内，并能够防止因切槽达到支承膜所造成的缺陷。

公开(公告)号：CN102473619A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080031117.6

申请日：2010-05-31

Applicant: 住友电木株式会社

Inventor： 安田浩幸 ,  平野孝

IPC: H01L21/301 ,  C09J7/02 ,  C09J133/00 ,  C09J161/06 ,  C09J163/00 ,  H01L21/52

CPC classification number: C09J163/00 ,  C08F218/08 ,  C08F2220/1825 ,  C08G18/6225 ,  C08G18/7621 ,  C08L61/04 ,  C08L63/00 ,  C08L2203/206 ,  C08L2666/14 ,  C09J7/20 ,  C09J133/08 ,  C09J175/14 ,  C09J2201/36 ,  C09J2201/606 ,  C09J2201/61 ,  C09J2203/326 ,  C09J2433/00 ,  C09J2463/00 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  Y10T428/24942 ,  Y10T428/24983 ,  Y10T428/2848 ,  C08F2220/1858 ,  C08F2222/1053 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明的半导体用膜，是依次层叠支承膜、第二粘着层、第一粘着层和粘接层来形成，并以如下方式构成：在粘接层上层叠半导体晶片并在通过切割使半导体晶片单片化时支承半导体晶片，并且在拾取单片时有选择性地使第一粘着层与粘接层发生剥离。该半导体用膜的特征在于，若设定单片在23℃下的剥离强度为F23(cN/25mm)、设定单片在60℃下的剥离强度为F60(cN/25mm)时，F23为10～80，并且F60/F23为0.3～5.5。基于此，能够实现拾取性的提高并防止半导体元件上产生缺陷。

公开(公告)号：CN101370887B

公开(公告)日：2012-01-25

申请号：CN200780002367.5

申请日：2007-09-28

Applicant: 住友电木株式会社

Inventor： 小宫谷寿郎 ,  平野孝 ,  前岛研三 ,  桂山悟 ,  山代智绘

IPC: C09J7/00 ,  C09J163/00 ,  C09J201/06 ,  C09J133/20 ,  C09J171/08 ,  H05K3/46

CPC classification number: H05K3/4614 ,  C08L33/10 ,  C08L33/20 ,  C08L2666/04 ,  C09D133/06 ,  C09D133/20 ,  C09J7/10 ,  C09J163/00 ,  C09J2461/00 ,  C09J2463/00 ,  H05K3/3489 ,  H05K3/386 ,  H05K3/4626 ,  H05K2201/0195 ,  H05K2203/0191 ,  Y10T428/2804 ,  Y10T428/287 ,  Y10T428/2891 ,  Y10T428/31511

Abstract: 本发明提供了一种胶带，其含有具有羧基和/或酚羟基的助熔剂活性化合物、热固性树脂和成膜树脂。在本发明的胶带中，热固性树脂可为环氧树脂，且可含有固化剂。固化剂可为咪唑化合物和/或磷化合物。本发明的胶带可用作电路板和多层挠性印刷电路板的层间物质。

公开(公告)号：CN1573546B

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200410060037.X

申请日：2004-06-21

Applicant: 住友电木株式会社

Inventor： 番场敏夫 ,  池田拓司 ,  矢野达也 ,  平野孝

IPC: G03F7/037 ,  H01L21/027 ,  C08F2/48

CPC classification number: G03F7/0757 ,  G03F7/0048 ,  G03F7/0226 ,  G03F7/0233

Abstract: 本发明提供一种包含碱性可溶性树脂(A)、重氮醌化合物(B)、不含酚性羟基含-CH2OH基的化合物(C)所构成的正型感光性树脂组合物；采用该组合物的图案状树脂膜的制造方法；采用该组合物的半导体装置；及该半导体装置的制造方法。另外，本发明提供一种正型感光性树脂组合物；采用该组合物的图案状树脂膜的制造方法；采用该组合物的半导体装置及半导体元件；及该半导体装置及显示元件的制造方法，其中，正型感光性树脂组合物含有碱性可溶性树脂(A)、重氮醌化合物(B)、2种或2种以上的混合溶剂(D)，而混合溶剂(D)含有γ-丁内酯及丙二醇单烷基醚，γ-丁内酯及丙二醇单烷基醚的合计量相对溶剂总量为70重量％或70重量％以上。

公开(公告)号：CN100481405C

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200580036996.0

申请日：2005-09-29

Applicant: 住友电木株式会社

Inventor： 楠木淳也 ,  平野孝

IPC: H01L23/29

CPC classification number: H01L23/3114 ,  C08G59/3218 ,  H01L23/293 ,  H01L24/10 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明涉及一种圆片级封装(Wafer Level Package)结构的半导体装置，其特征在于，含有可在250℃以下固化的树脂组合物的树脂层。本发明提供一种低应力性、耐溶剂性、低吸水性、电绝缘性、附着性等优异的圆片级封装(WaferLevel Pack-age)结构的半导体装置。

公开(公告)号：CN101048864A

公开(公告)日：2007-10-03

申请号：CN200580036996.0

申请日：2005-09-29

Applicant: 住友电木株式会社

Inventor： 楠木淳也 ,  平野孝

IPC: H01L23/29

CPC classification number: H01L23/3114 ,  C08G59/3218 ,  H01L23/293 ,  H01L24/10 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明涉及一种圆片级封装(Wafer Level Package)结构的半导体装置，其特征在于，含有可在250℃以下固化的树脂组合物的树脂层。本发明提供一种低应力性、耐溶剂性、低吸水性、电绝缘性、附着性等优异的圆片级封装(WaferLevel Pack－age)结构的半导体装置。