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公开(公告)号：CN100477179C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200680003970.0
申请日：2006-03-17
Applicant: 住友电木株式会社
CPC classification number: C08G59/027 , C08G59/3218 , C08G59/4021 , C08G61/06 , C08G77/455 , C09D163/00 , H01L23/293 , H01L23/3142 , H01L23/49513 , H01L24/48 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01057 , H01L2924/01077 , H01L2924/01079 , H01L2924/01322 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , Y10T428/31511 , Y10T428/31663 , Y10T428/31721 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明公开了一种半导体装置，该半导体装置是通过使用芯片键合用树脂组合物的固化产品将涂覆了缓冲层用树脂组合物的固化产品的半导体元件安装在引线框上，然后用封装用树脂组合物的固化产品封装该半导体元件而制得。该半导体装置的特征在于缓冲层用树脂组合物的固化产品在25℃时的弹性模量不低于0.5GPa并不高于2.0GPa；芯片键合用树脂组合物的固化产品在260℃时的弹性模量不低于1MPa并不高于120MPa；封装用树脂组合物的固化产品在260℃时的弹性模量不低于400MPa并不高于1200MPa，在260℃时的热膨胀系数不低于20ppm并不高于50ppm。该半导体装置的进一步的特征在于封装用树脂组合物的固化产品在260℃时的弹性模量和封装用树脂组合物的固化产品在260℃时的热膨胀系数的乘积不小于8000并不大于45000。
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公开(公告)号：CN102473618A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080031084.5
申请日：2010-05-31
Applicant: 住友电木株式会社
IPC: H01L21/301 , C09J5/00 , C09J7/02 , C09J201/00
CPC classification number: H01L24/29 , C09J7/38 , C09J2201/36 , C09J2203/326 , H01L21/67132 , H01L21/6836 , H01L24/27 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L2221/68318 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2221/68359 , H01L2224/27436 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/838 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01059 , H01L2924/01061 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/30105 , Y10T428/24942 , Y10T428/24983 , Y10T428/2809 , Y10T428/2848 , H01L2924/00 , H01L2924/01031 , H01L2924/00012 , H01L2924/3512 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明的半导体用膜，是依次层叠支承膜、第二粘着层、第一粘着层和粘接层来形成，并以如下方式构成：在粘接层上层叠半导体晶片并切割半导体晶片时支承半导体晶片，并且在拾取单片化的半导体晶片(半导体元件)时，有选择性地使第一粘着层与粘接层之间发生剥离。该半导体用膜的特征在于，与半导体晶片进行层叠并且通过切割使半导体晶片单片化后，测定所获得的半导体元件的粘附力，若设定半导体元件的边缘部的粘附力为a(N/cm)、半导体元件的中央部(边缘部以外的部分)的粘附力为b(N/cm)，则在a/b为1以上且4以下。由于a/b达到最优化，因此在拾取半导体元件时，能可靠地抑制因局部施加有高负荷而引起的半导体元件的裂纹或缺损等缺陷。
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公开(公告)号：CN101641773B
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN200780052533.2
申请日：2007-04-10
Applicant: 住友电木株式会社
IPC: H01L21/52 , C09J7/00 , C09J133/00 , C09J163/00
CPC classification number: C09J163/00 , C08L33/066 , C08L63/00 , C08L2666/04 , C08L2666/22 , C09J7/10 , C09J11/08 , C09J133/066 , C09J2433/00 , C09J2461/00 , C09J2463/00 , H01L21/6836 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L2221/68327 , H01L2224/29101 , H01L2224/2919 , H01L2224/83191 , H01L2224/83885 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01027 , H01L2924/01033 , H01L2924/01045 , H01L2924/01059 , H01L2924/01072 , H01L2924/01077 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/10253 , H01L2924/12044 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/3512
Abstract: 本发明提供了用于半导体的粘合膜，其包括热塑性树脂(A)、环氧树脂(B)和固化剂(C)，其特征在于，所述用于半导体的粘合膜从室温开始以10℃/分钟的升温速度在50℃～180℃的温度范围内，其最小熔融粘度为0.1Pa·s～500Pa·s，并且挥发性组分的含量为5.0％或更少。通过该粘合膜，半导体元件可以与用于半导体元件安装的支撑部件结合得更加紧密，从而避免产生空隙。由此，可以提供可靠性更高的半导体器件。
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公开(公告)号：CN101627465B
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200880006547.5
申请日：2008-02-26
Applicant: 住友电木株式会社
Inventor： 安田浩幸
IPC: H01L21/52 , C09J7/02 , C09J133/06 , H01L21/301 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18
CPC classification number: H01L21/6836 , C08L33/06 , C08L2666/02 , C09J7/10 , C09J133/06 , C09J133/08 , C09J2201/602 , C09J2203/326 , C09J2433/00 , C09J2461/00 , H01L23/293 , H01L23/3128 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L25/0657 , H01L2221/68327 , H01L2224/274 , H01L2224/27436 , H01L2224/29 , H01L2224/29101 , H01L2224/2919 , H01L2224/29198 , H01L2224/2929 , H01L2224/29339 , H01L2224/29386 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/83385 , H01L2224/8388 , H01L2224/85 , H01L2225/06562 , H01L2924/00013 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/0101 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01027 , H01L2924/01033 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/01058 , H01L2924/01059 , H01L2924/01072 , H01L2924/01077 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/10253 , H01L2924/12044 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/20105 , H01L2924/30105 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012 , H01L2924/05432 , H01L2924/05442 , H01L2924/05341 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明提供了用于半导体的粘合膜，其包括(A)(甲基)丙烯酸酯共聚物和(B)不同于(甲基)丙烯酸酯共聚物的热塑性树脂。利用直径为20mm的平行板在175℃的温度下向用于半导体的粘合膜施予频率为1Hz的3000Pa剪应力后产生剪应变γ，所述用于半导体的粘合膜在开始测量剪应变γ后10min-2hr时期内满足下式(1)。根据本发明，即使由于半导体器件中半导体芯片多层层积导致引线接合工艺中较长的受热史，在密封材料的封止工序中，本发明用于半导体的粘合膜也能提高基板表面凹凸的填充性能。0.10≤γ≤0.30 (1)。
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公开(公告)号：CN101641773A
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200780052533.2
申请日：2007-04-10
Applicant: 住友电木株式会社
IPC: H01L21/52 , C09J7/00 , C09J133/00 , C09J163/00
CPC classification number: C09J163/00 , C08L33/066 , C08L63/00 , C08L2666/04 , C08L2666/22 , C09J7/10 , C09J11/08 , C09J133/066 , C09J2433/00 , C09J2461/00 , C09J2463/00 , H01L21/6836 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L2221/68327 , H01L2224/29101 , H01L2224/2919 , H01L2224/83191 , H01L2224/83885 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01027 , H01L2924/01033 , H01L2924/01045 , H01L2924/01059 , H01L2924/01072 , H01L2924/01077 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/10253 , H01L2924/12044 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/3512
Abstract: 本发明提供了用于半导体的粘合膜，其包括热塑性树脂(A)、环氧树脂(B)和固化剂(C)，其特征在于，所述用于半导体的粘合膜从室温开始以10℃/分钟的升温速度在50℃～180℃的温度范围内，其最小熔融粘度为0.1Pa·s～500Pa·s，并且挥发性组分的含量为5.0％或更少。通过该粘合膜，半导体元件可以与用于半导体元件安装的支撑部件结合得更加紧密，从而避免产生空隙。由此，可以提供可靠性更高的半导体器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102498548A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201080031116.1
申请日：2010-05-31
Applicant: 住友电木株式会社
IPC: H01L21/301 , C09J7/02 , C09J201/00
CPC classification number: H01L24/27 , C09J7/38 , C09J2201/36 , C09J2203/326 , H01L21/6836 , H01L24/29 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2221/68359 , H01L2224/274 , H01L2224/27436 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/838 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01059 , H01L2924/01061 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/15311 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/30105 , Y10T428/15 , Y10T428/24777 , Y10T428/2495 , Y10T428/24983 , Y10T428/265 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明的半导体用膜，是依次层叠支承膜、第二粘着层、第一粘着层和粘接层来形成，并以如下方式构成：在粘接层上层叠半导体晶片并在通过切割使该半导体晶片单片化时支承半导体晶片，而且在拾取单片化的半导体元件时，第一粘着层与粘接层之间有选择性地发生剥离。该半导体用膜的特征在于，第一粘着层的平均厚度为20μm～100μm。基于此，可容易且可靠地控制切割时所形成的切槽前端停止于第一粘着层内，并能够防止因切槽达到支承膜所造成的缺陷。
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公开(公告)号：CN102473619A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080031117.6
申请日：2010-05-31
Applicant: 住友电木株式会社
IPC: H01L21/301 , C09J7/02 , C09J133/00 , C09J161/06 , C09J163/00 , H01L21/52
CPC classification number: C09J163/00 , C08F218/08 , C08F2220/1825 , C08G18/6225 , C08G18/7621 , C08L61/04 , C08L63/00 , C08L2203/206 , C08L2666/14 , C09J7/20 , C09J133/08 , C09J175/14 , C09J2201/36 , C09J2201/606 , C09J2201/61 , C09J2203/326 , C09J2433/00 , C09J2463/00 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/92247 , H01L2924/10253 , H01L2924/15311 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , Y10T428/24942 , Y10T428/24983 , Y10T428/2848 , C08F2220/1858 , C08F2222/1053 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明的半导体用膜，是依次层叠支承膜、第二粘着层、第一粘着层和粘接层来形成，并以如下方式构成：在粘接层上层叠半导体晶片并在通过切割使半导体晶片单片化时支承半导体晶片，并且在拾取单片时有选择性地使第一粘着层与粘接层发生剥离。该半导体用膜的特征在于，若设定单片在23℃下的剥离强度为F23(cN/25mm)、设定单片在60℃下的剥离强度为F60(cN/25mm)时，F23为10～80，并且F60/F23为0.3～5.5。基于此，能够实现拾取性的提高并防止半导体元件上产生缺陷。
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公开(公告)号：CN101627465A
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200880006547.5
申请日：2008-02-26
Applicant: 住友电木株式会社
Inventor： 安田浩幸
IPC: H01L21/52 , C09J7/02 , C09J133/06 , H01L21/301 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18
CPC classification number: H01L21/6836 , C08L33/06 , C08L2666/02 , C09J7/10 , C09J133/06 , C09J133/08 , C09J2201/602 , C09J2203/326 , C09J2433/00 , C09J2461/00 , H01L23/293 , H01L23/3128 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L25/0657 , H01L2221/68327 , H01L2224/274 , H01L2224/27436 , H01L2224/29 , H01L2224/29101 , H01L2224/2919 , H01L2224/29198 , H01L2224/2929 , H01L2224/29339 , H01L2224/29386 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/83385 , H01L2224/8388 , H01L2224/85 , H01L2225/06562 , H01L2924/00013 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/0101 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01027 , H01L2924/01033 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/01058 , H01L2924/01059 , H01L2924/01072 , H01L2924/01077 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/10253 , H01L2924/12044 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/20105 , H01L2924/30105 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012 , H01L2924/05432 , H01L2924/05442 , H01L2924/05341 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明提供了用于半导体的粘合膜，其包括(A)(甲基)丙烯酸酯共聚物和(B)不同于(甲基)丙烯酸酯共聚物的热塑性树脂。利用直径为20mm的平行板在175℃的温度下向用于半导体的粘合膜施予频率为1Hz的3000Pa剪应力后产生剪应变γ，所述用于半导体的粘合膜在开始测量剪应变γ后10min-2hr时期内满足下式(1)。根据本发明，即使由于半导体器件中半导体芯片多层层积导致引线接合工艺中较长的受热史，在密封材料的封止工序中，本发明用于半导体的粘合膜也能提高基板表面凹凸的填充性能。0.10≤γ≤0.30 (1)
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公开(公告)号：CN101120440A
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN200680004887.5
申请日：2006-03-24
Applicant: 住友电木株式会社
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L23/3128 , H01L24/29 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L2224/29 , H01L2224/29101 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29324 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/29347 , H01L2224/29386 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/8385 , H01L2225/0651 , H01L2225/06586 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01074 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/12044 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/3512 , H01L2924/05442 , H01L2924/05042 , H01L2924/05432 , H01L2924/05032 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299
Abstract: 本发明提供即使通过使用无铅焊锡的表面安装也具有高可靠性的区域安装型半导体装置、以及用于该半导体装置的小片接合用树脂组合物和密封用树脂组合物。该区域安装型半导体装置，是通过小片接合用树脂组合物在基板的单表面上装载半导体元件，且通过密封用树脂组合物实质上仅对该基板的装载有该半导体元件的面进行密封的、装载了半导体元件或者叠层元件的区域安装型半导体装置，其特征在于，上述小片接合用树脂组合物的固化物在260℃下的弹性模量为1MPa以上、120MPa以下；上述密封用树脂组合物的固化物在260℃下的弹性模量为400MPa以上、1200MPa以下，且在260℃下的热膨胀系数为20ppm以上、50ppm以下。
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公开(公告)号：CN101116184A
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN200680003970.0
申请日：2006-03-17
Applicant: 住友电木株式会社
CPC classification number: C08G59/027 , C08G59/3218 , C08G59/4021 , C08G61/06 , C08G77/455 , C09D163/00 , H01L23/293 , H01L23/3142 , H01L23/49513 , H01L24/48 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01057 , H01L2924/01077 , H01L2924/01079 , H01L2924/01322 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , Y10T428/31511 , Y10T428/31663 , Y10T428/31721 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明公开了一种半导体装置，该半导体装置是通过使用芯片键合用树脂组合物的固化产品将涂覆了缓冲层用树脂组合物的固化产品的半导体元件安装在引线框上，然后用封装用树脂组合物的固化产品封装该半导体元件而制得。该半导体装置的特征在于缓冲层用树脂组合物的固化产品在25℃时的弹性模量不低于0.5GPa并不高于2.0GPa；芯片键合用树脂组合物的固化产品在260℃时的弹性模量不低于1MPa并不高于120MPa；封装用树脂组合物的固化产品在260℃时的弹性模量不低于400MPa并不高于1200MPa，在260℃时的热膨胀系数不低于20ppm并不高于50ppm。该半导体装置的进一步的特征在于封装用树脂组合物的固化产品在260℃时的弹性模量和封装用树脂组合物的固化产品在260℃时的热膨胀系数的乘积不小于8000并不大于45000。
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