公开(公告)号：CN104428873B

公开(公告)日：2018-01-09

申请号：CN201380036534.3

申请日：2013-09-18

Applicant: 住友电木株式会社

Inventor： 织田直哉 ,  长尾佳典

IPC: H01L21/301

CPC classification number: H01L21/6836 ,  C09J7/22 ,  C09J2201/622 ,  C09J2203/326 ,  C09J2421/00 ,  C09J2433/00 ,  C09J2483/00 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68336

Abstract: 本发明的目的在于提供在半导体制造时的切割工序中切屑和基材须的产生少、而且具有适合的强度和良好的外观的切割膜。本发明提供的切割膜，其特征在于，具有基材层(1)和粘接层(2)，基材层(1)的80℃时的断裂伸长率为750％以下。

公开(公告)号：CN102498548A

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN201080031116.1

申请日：2010-05-31

Applicant: 住友电木株式会社

Inventor： 安田浩幸 ,  平野孝 ,  织田直哉

IPC: H01L21/301 ,  C09J7/02 ,  C09J201/00

CPC classification number: H01L24/27 ,  C09J7/38 ,  C09J2201/36 ,  C09J2203/326 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/29 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/838 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01059 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30105 ,  Y10T428/15 ,  Y10T428/24777 ,  Y10T428/2495 ,  Y10T428/24983 ,  Y10T428/265 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明的半导体用膜，是依次层叠支承膜、第二粘着层、第一粘着层和粘接层来形成，并以如下方式构成：在粘接层上层叠半导体晶片并在通过切割使该半导体晶片单片化时支承半导体晶片，而且在拾取单片化的半导体元件时，第一粘着层与粘接层之间有选择性地发生剥离。该半导体用膜的特征在于，第一粘着层的平均厚度为20μm～100μm。基于此，可容易且可靠地控制切割时所形成的切槽前端停止于第一粘着层内，并能够防止因切槽达到支承膜所造成的缺陷。

公开(公告)号：CN101523561A

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200780037298.1

申请日：2007-10-04

Applicant: 住友电木株式会社

Inventor： 平野孝 ,  佐佐木晓嗣 ,  织田直哉

IPC: H01L21/301 ,  B32B27/00 ,  C09J7/02 ,  C09J201/00

CPC classification number: C09J9/02 ,  C09J7/38 ,  C09J2201/36 ,  C09J2203/326 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01059 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30105 ,  Y10T156/10 ,  Y10T156/1052 ,  Y10T428/24942 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512

Abstract: 本发明的半导体用膜，按照粘合层、第一粘结层、第二粘结层的顺序进行贴合而成，上述第二粘结层的外周部超过上述第一粘结层的外周边缘，该半导体用膜是用于在上述粘合层的与第一粘结层相反侧的表面上层叠半导体晶片并且在上述第二粘结层的上述外周部上贴合晶片环切断该半导体用晶片时的半导体用膜，其特征在于，上述第一粘结层相对于上述粘合层的粘合力A1(cN/25mm)比上述第二粘结层相对于上述晶片环的粘合力A2(cN/25mm)低。本发明的半导体装置，其特征在于，是使用上述记载的半导体用膜制造而成。

公开(公告)号：CN104428873A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201380036534.3

申请日：2013-09-18

Applicant: 住友电木株式会社

Inventor： 织田直哉 ,  长尾佳典

IPC: H01L21/301

CPC classification number: H01L21/6836 ,  C09J7/22 ,  C09J2201/622 ,  C09J2203/326 ,  C09J2421/00 ,  C09J2433/00 ,  C09J2483/00 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68336 ,  H01L21/78

Abstract: 本发明的目的在于提供在半导体制造时的切割工序中切屑和基材须的产生少、而且具有适合的强度和良好的外观的切割膜。本发明提供的切割膜，其特征在于，具有基材层(1)和粘接层(2)，基材层(1)的80℃时的断裂伸长率为750％以下。

公开(公告)号：CN101523561B

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN200780037298.1

申请日：2007-10-04

Applicant: 住友电木株式会社

Inventor： 平野孝 ,  佐佐木晓嗣 ,  织田直哉

IPC: H01L21/301 ,  B32B27/00 ,  C09J7/02 ,  C09J201/00

CPC classification number: C09J9/02 ,  C09J7/38 ,  C09J2201/36 ,  C09J2203/326 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01059 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30105 ,  Y10T156/10 ,  Y10T156/1052 ,  Y10T428/24942 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512

Abstract: 本发明的半导体用膜，按照粘合层、第一粘结层、第二粘结层的顺序进行贴合而成，上述第二粘结层的外周部超过上述第一粘结层的外周边缘，该半导体用膜是用于在上述粘合层的与第一粘结层相反侧的表面上层叠半导体晶片并且在上述第二粘结层的上述外周部上贴合晶片环切断该半导体用晶片时的半导体用膜，其特征在于，上述第一粘结层相对于上述粘合层的粘合力A1(cN/25mm)比上述第二粘结层相对于上述晶片环的粘合力A2(cN/25mm)低。本发明的半导体装置，其特征在于，是使用上述记载的半导体用膜制造而成。