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公开(公告)号：CN116029243A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202111241279.9
申请日：2021-10-25
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 中国长峰机电技术研究设计院
IPC: G06F30/367 , G06F30/25
Abstract: 本发明公开了一种场效应晶体管的单粒子仿真方法，仿真装置及电子设备，其中仿真方法包括：采用选定单粒子对场效应晶体管进行单粒子入射的线性能量传输仿真，获得所述选定单粒子在所述场效应晶体管中的能量沉积数据；根据所述能量沉积数据，进行所述场效应晶体管的单粒子效应仿真，获得所述场效应晶体管的电流分布数据；根据所述电流分布数据，确定所述场效应晶体管的单粒子烧毁行为。上述仿真方法与传统的根据温度进行单粒子烧毁的仿真方案相比，其对单粒子烧毁特性的仿真收敛性更好，从而提高单粒子烧毁的仿真效率，减少仿真计算的资源占用。
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公开(公告)号：CN119964629A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202510045648.9
申请日：2025-01-13
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开一种SRAM芯片中存储单元的位置检测系统和位置检测方法，涉及半导体技术领域。位置检测系统包括：电动位移台、光学激发模块、微波激发模块、雪崩光电探测器、信号分析装置和控制模块；电动位移台用于放置待检测SRAM芯片，光学激发模块包括激光器、二向色镜、物镜和光纤探针；光纤探针的尖端设置有包含NV色心的金刚石颗粒；光纤探针用于对待检测SRAM芯片进行逐点扫描；微波激发模块用于施加微波信号；控制模块用于写入预设频率的方波信号；雪崩光电探测器用于转换得到电压信号；信号分析装置分析电压信号以确定目标存储单元的位置。该系统解决了现有技术中SRAM芯片中存储单元的侵入式检测、位置检测精度低和位置检测效率低的问题。
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公开(公告)号：CN119891971A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202411898170.6
申请日：2024-12-20
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开一种误差放大器，涉及集成电路设计领域，以解决现有技术中直流电源转换器输出电压的直流精度差的问题。误差放大器包括第一转向级电路、放大级电路、第二转向级电路以及输出级电路；将第一转向级电路与放大级电路连接，将放大级电路与第二转向级电路连接，以及将第二转向级电路与输出级电路连接；利用第一转向级电路、第二转向级电路及输出级电路调节输出级电路输出共模电压的共模电平，使得共模电压不受电源电压变化的影响，有效降低了误差放大器系统失调电压的漂移，提升了直流电源转换器输出电压的直流精度。
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公开(公告)号：CN119806265A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411898355.7
申请日：2024-12-20
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明公开一种无片外电容的快速瞬态响应LDO电路，涉及LDO技术领域。包括误差放大电路、classAB类超级源随电路以及有源电容器；且classAB类超级源随电路设置在误差放大电路与输出级之间；classAB类超级源随电路设置在误差放大电路与输出级之间，输出级为负载提供工作电流；classAB类超级源随电路可以提升输出功率管栅极摆率，加强瞬态响应速度；同时classAB类超级源随电路中至少包括瞬态响应增强模块，用于提供直接调节输出电压的路径，进一步加强瞬态响应速度。有源电容器在静态时功耗极低；瞬态时可提供瞬态大电流以减小输出过冲，使输出电压快速稳定。本发明采用有源电容器技术、高通滤波技术以及classAB超级源随器来实现快速瞬态响应，实现了单片集成的瞬态增强的LDO。
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公开(公告)号：CN119766204A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411640544.4
申请日：2024-11-15
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H03K3/3562 , H03K3/013 , H03K19/0948
Abstract: 本发明公开一种抵抗数字电路中单粒子翻转的锁存器及触发器，涉及数字集成电路设计技术领域，以解决现有技术中无法抵抗数字电路的锁存结构中多个节点发生单粒子翻转的问题。锁存器至少包括相互连接的基本锁存器、传输门及探测电路；所述锁存器利用所述探测电路的探测信号判断所述基本锁存器的电平翻转状态，并基于所述基本锁存器的电平翻转状态生成控制所述锁存器输出的控制信号；进一步可以利用多个上述结构的锁存器组成触发器；从而实现了锁存器及触发器在受到多节点单粒子轰击后能恢复到正确电平，提升了锁存器及触发器对单粒子辐射效应的抵抗能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114577727B
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202210249155.3
申请日：2022-03-14
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供了一种二次谐波表征光学系统及基于二次谐波表征的检测装置，该二次谐波表征光学系统通过在起偏器与第一物镜之间的光路上增加光束整形模块，将高斯光束的偏振基频光整形为平顶光束的偏振基频光，再经过第一物镜聚焦为符合测试要求的基频光，并将基频光入射到待检测样品。与现有技术中入射到晶圆表面的基频光为高斯光束的方式相比，本申请使入射到待检测样品表面的基频光的光斑内部光强均匀，从而使光斑内部可以均匀的产生二次谐波信号，进而提高二次谐波表征待检测样品缺陷的精度。
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公开(公告)号：CN112327584B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202011185746.6
申请日：2020-10-29
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G03F7/30
Abstract: 本发明涉及光刻工艺技术领域，具体涉及一种光刻显影的方法光刻显影的方法，包括以下步骤：在晶圆上涂敷光刻胶并对光刻胶进行曝光；然后对晶圆进行显影；控制晶圆旋转，并对显影处理后的晶圆进行冲洗；将冲洗处理后的晶圆甩干；其中，在冲洗过程中，晶圆在预设时间内在第一转速和第二转速之间交替变化。将晶圆的转速进行了分段式交替变化，避免冲水过程中，晶圆的过高转速对光刻胶表面造成的损伤。
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公开(公告)号：CN119561540A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411605270.5
申请日：2024-11-11
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H03K19/0185 , H03H7/06
Abstract: 本发明公开一种超低延时的自锁定噪声抑制电平移位电路，涉及智能功率驱动技术领域，以解决现有通过RC滤波电路滤除噪声时会增加延迟的问题。包括电连接的高压电平移位电路、共模噪声消除电路、差模噪声消除电路以及RS锁存器，共模噪声消除电路用于当存在共模噪声时，输送1/2VDD电压给RS锁存器的输入端，设计RS锁存器相对较低的阈值电压，使得1/2VDD电压对于RS锁存器来说为高电平，RS锁存器的状态保持不变，差模噪声消除电路用于当存在差模噪声时，通过电阻分压开启差模噪声消除电路，RS锁存器的输入端保持高电平。本发明提供的自锁定噪声抑制电平移位电路用于消除dV/dt噪声的共模噪声和差模噪声且具有更低的延迟。
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公开(公告)号：CN119447116A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202310943662.1
申请日：2023-07-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本申请提供了一种静电放电防护器件及静电放电防护电路，该静电放电防护器件，包括：第一电极；位于所述第一电极一侧表面的功能层，所述功能层在电压的作用下，能在高阻态和低阻态之间转换；第二电极，位于所述功能层背离所述第一电极的一侧表面。该静电放电防护器件通常与主电路并联连接，由于静电放电防护器件中的相变或阻变结构，在主电路正常工作时，电阻较高，不会影响主电路的正常功能。在主电路受到ESD脉冲时，该半导体器件中相变或阻变结构的电阻会迅速下降，从而将主电路中的ESD脉冲泄放掉，从而降低了对主电路中的器件的损伤。
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公开(公告)号：CN118983283A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202411068069.8
申请日：2024-08-05
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L23/367 , H01L21/48
Abstract: 本申请公开一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域，以解决现有半导体器件的散热能力差的问题。半导体器件包括：半导体结构，半导体结构包括第一基底、以及设置在第一基底上的芯片；第一键合层，设置在第一基底背离芯片的一侧；第一键合层包括沿平行于第一基底表面方向交替分布的第一导热材料部和第一粘合材料部；第二基底，第二基底的热导率大于第一基底；第二基底具有键合面；以及第二键合层，设置在第二基底具有的键合面，第二基底和半导体结构分别通过第二键合层和第一键合层键合在一起。半导体器件的制造方法用于制造上述技术方案所提的半导体器件。本申请提供的半导体器件及其制造方法用于提高半导体器件经由第二基底的散热能力。
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