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公开(公告)号：CN119347135A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411478028.6
申请日：2024-10-22
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: B23K26/352 , B23K26/38 , G06N20/00
Abstract: 本说明书实施例提供了一种激光加工碳基芯片的系统及方法，其中，系统包括：多波长激光发射模块，用于根据激光参数发射适用于不同晶体结构碳基芯片的激光束；智能控制装置，用于基于加工策略，根据碳基芯片的热学和光学特性动态调节激光参数，并将所述激光参数发送到所述多波长激光发射模块；自适应机器学习模块，用于根据监测数据，针对碳基芯片的加工特性，对加工策略进行优化，并将优化结果发送到所述智能控制装置；微纳米级激光抛光装置，用于对碳基芯片的表面进行处理；切割机构，用于进行碳基芯片的隐切；多模态传感和分析系统，用于监测加工过程中碳基芯片的结构完整性，将监测数据发送到所述自适应机器学习模块。
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公开(公告)号：CN115356807B
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202211169716.5
申请日：2022-09-23
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G02B6/36
Abstract: 本发明提供了一种光纤孔倒角的制造方法及其制造设备，该制造方法通过先采用激光加工+湿法刻蚀工艺在玻璃基板内形状有至少一个倒角直通孔；之后采用激光热加工工艺，加热每个倒角直通孔与对应光纤孔连接处的玻璃基材，使其坍塌后形成截面为弧形的倒角曲面；再采用激光热加工工艺，加热每个倒角直通孔与对应光纤孔连接处的玻璃基材，使其坍塌后形成截面为弧形的倒角曲面；最后对倒角直通孔、倒角曲面及倒角外扩孔的表面进行抛光处理。能够实现微小端口倒角的加工。而且随着激光光束焦点大小的变化，能够进一步缩小加工尺寸，并且无机械应力式加工工艺，能够减小刀具加工玻璃基材时容易带来的脆性样品崩裂概率，从而增加成品率及良率。
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公开(公告)号：CN112885746B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202110078467.8
申请日：2021-01-20
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供了一种裂片装置，该裂片装置用于对切割后的晶圆进行裂片，该裂片装置包括支撑结构、承片环、绷膜框、裂片台，裂片台具有用于抵压在晶圆膜的第二面上的凸起曲面，裂片台能够相对承片环沿承片环的轴向穿过承片环。通过使凸起曲面抵压在晶圆膜上，使裂片台不与晶圆直接接触。在裂片台相对承片环沿承片环的轴向穿过承片环时，覆盖在凸起曲面上的晶圆膜使粘附在晶圆膜上的晶圆都沿同一方向折弯，晶圆切割道内部裂纹沿着切割道生成，使晶圆会沿切割道裂开。且由于晶圆膜沿同一方向折弯，使裂开后切割道的两个侧壁具有V字形的夹角，防止晶圆切割道两侧的侧壁发生碰撞，防止晶圆的切割道崩边、晶圆的金属层断裂等不良缺陷，提高产品良率。
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公开(公告)号：CN115639647A
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202211169855.8
申请日：2022-09-23
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供了一种MT插芯的制造方法及其设备、MT插芯，该MT插芯的制造方法包括：提供一玻璃基板，玻璃基板具有相对的第一端面和第二端面；采用激光工艺去除玻璃基板的表面的污渍；对玻璃基板内的至少一个待加工光纤孔位置处进行激光分层加工改性，以在玻璃基板内形成至少一个改性区，其中，每个改性区均贯穿第一端面和第二端面；采用选择性腐蚀工艺去除每个改性区中的材料，以在玻璃基板内形成至少一个光纤孔；对每个光纤孔的孔壁进行抛光处理；采用激光工艺在每个光纤孔两端端口中的至少一个端口处进行倒角。利用玻璃基板的耐温性好，热膨胀系数小的特性，能够解决目前MPO连接器耐温性差，在高温条件下稳定性差等缺陷。
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公开(公告)号：CN115555736A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202211322500.8
申请日：2022-10-26
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: B23K26/38 , B23K26/70 , B23K101/40
Abstract: 本发明提供了一种激光剥离碳化硅晶锭的方法及装置，该方法先将超短脉冲激光光束透过碳化硅晶锭的第一端面后聚焦在碳化硅晶锭的设定深度层，在设定深度层的上方分别产生空洞改质形成区域和裂纹改质形成区域，并扫描形成空洞改质层和裂纹改质层。再将短脉冲激光光束透过碳化硅晶锭的第二端面后聚焦在空洞改质形成区域，在空洞改质形成区域散射传播，使短脉冲激光光束的热量作用于空洞改质形成区域，使裂纹改质形成区域内的裂纹横向向外生长，并扫描使空洞改质层中相邻的空洞改质形成区域内的裂纹通过横向生长连接在一起。减少改质层内的裂纹沿碳化硅晶锭纵向扩展的量和长度，增加横向裂纹生长的数量和裂纹生长长度，减少切割损耗厚度，减少浪费。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115555734A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202211322497.X
申请日：2022-10-26
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: B23K26/38 , B23K26/0622 , B23K26/082 , B23K26/70
Abstract: 本发明提供了一种碳化硅晶锭的激光切片方法及其装置，该激光切片方法先将超短脉冲激光光束聚焦在碳化硅晶锭的设定深度层，在设定深度层上方分别产生空洞改质形成区域和裂纹改质形成区域，并扫描形成空洞改质层和裂纹改质层。再将短脉冲激光光束的焦点向设定深度层之上移动一定范围，使短脉冲激光光束透过裂纹改质形成区域后聚焦在空洞改质形成区域散射传播，使裂纹改质形成区域内的裂纹横向向外生长，并扫描以使空洞改质层中任意相邻的空洞改质形成区域内的裂纹通过横向生长连接在一起。减少改质层内的裂纹沿碳化硅晶锭纵向扩展的量和长度，增加横向裂纹生长的数量和裂纹生长长度，减少切割损耗厚度，减少浪费。
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公开(公告)号：CN112847853B
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202110078545.4
申请日：2021-01-20
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: B28D5/00 , B28D7/04 , H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/78
Abstract: 本发明提供了一种裂片装置，该裂片装置通过使第一裂片头的第一端面及第二端面的夹角不小于90度且小于180度，第一端面粘附晶圆膜，使第二裂片头抵压在晶圆膜的第一面上未覆盖晶圆的区域后，向第一裂片头方向推晶圆膜，使切割道断开。第二裂片头将晶圆膜向第一裂片头方向推晶圆膜时，第一裂片头一侧的晶圆膜不会产生或较小的产生拉伸，使位于该侧的晶圆不会或较少的受影响。位于第一裂片头另一侧的晶圆膜在第二裂片头的挤压下，发生拉伸，该侧的晶圆膜都向同一方向折弯并延伸。使覆盖有晶圆的部分晶圆膜仅在切割道处的折弯，防止晶圆切割道两侧的侧壁碰撞，防止晶圆崩边、晶圆的金属层断裂等不良缺陷，防止对晶圆表面的微电路结构造成损伤。
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公开(公告)号：CN115446449A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202211154781.0
申请日：2022-09-21
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: B23K26/082 , B23K26/064 , B23K26/70
Abstract: 本发明提供一种制备黑硅的方法，包括：将待处理材料设置在空气氛围中；在待处理材料的表面依据第一间距设置多个加工行；采用方形平顶光斑对所述多个加工行依次进行诱导加工；其中，相邻两个加工行诱导加工过程中，具有方形平顶光斑边长十分之一以下的重复加工区域。本发明提供的制备黑硅的方法，能够在空气氛围中以高效率制备出黑硅。
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公开(公告)号：CN115440645A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202211154764.7
申请日：2022-09-21
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/68
Abstract: 本发明提供一种制备黑硅的晶圆调平方法，包括：获取晶圆上三个测量点在三维直角坐标系中的坐标；所述三维直角坐标系的其中两个坐标轴水平设置；依据所述三个测量点的三维坐标，计算所述晶圆与三维直角坐标系的至少一条水平坐标轴的夹角；依据所述夹角，控制承载晶圆的承载平台的对应的旋转轴旋转，以使所述晶圆与所述至少一条水平坐标轴平行。本发明提供的制备黑硅的晶圆调平方法，能够将硅片调节至至少与其中一个水平坐标轴平行，从而，至少在单条加工路径的加工过程中无需进行随动即可保持相同的能量密度。
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公开(公告)号：CN115383288A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202211154763.2
申请日：2022-09-21
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: B23K26/046 , B23K26/06 , B23K26/08 , B23K26/70
Abstract: 本发明提供一种黑硅制备设备，包括：载物平台，具有置物区域和对比区域，置物区域用于放置待处理材料，对比区域用于放置标准反射板；载物平台至少能够在水平面内在两个相互垂直的方向平移；激光发生器，用于发出激光束，对置物区域内的待处理材料进行加工；双光束模块，用于发出两束相同波长的测量光束，两束测量光束分别照射至置物区域和对比区域的对应位置，并分别被反射形成第一反射光束和第二反射光束；探测器，接收第一反射光束和第二反射光束，并依据第一反射光束和第二反射光束分别输出第一电流和第二电流。本发明提供的黑硅制备设备，能够原位进行加工参数的判断，简化了工艺调整的过程，降低了材料污染或损伤的风险。
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