-
公开(公告)号：CN112926824B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202110078543.5
申请日：2021-01-20
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G06Q10/0631 , G06Q10/0635
Abstract: 本发明提供一种激光加工设备的故障诊断方法，包括：获取设备当前的异常报警信息，并确定所述异常报警信息的报警分数；依据所述异常报警信息，确定多个对应所述异常报警信息的待筛查部件；依据所述待筛查部件，确定多个对应所述待筛查部件的待筛查故障；依据所述待筛查故障和所述报警分数，确定每个部件的影响因子；依据所述影响因子，确定引起所述异常报警信息的故障部件。本发明提供的技术方案能够准确定位设备异常，精确判断设备运行情况，定位引发设备异常的原因。
-
公开(公告)号：CN118067734A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202211417173.4
申请日：2022-11-14
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件的缺陷表征方法、装置、电子设备及存储介质，其中的方法包括：获得所述半导体器件的第一图像和第二图像；其中，所述第一图像是所述半导体器件在通电的初始时刻的二次谐波扫描图像，所述第二图像是所述半导体器件在设定电压下持续设定时间段后的二次谐波扫描图像；基于所述第一图像和所述第二图像，确定所述半导体器件中的异常区域；获得所述异常区域处的二次谐波产生信号；基于所述二次谐波产生信号，确定所述异常区域的缺陷信息。上述方法实现了对半导体器件中的缺陷演化的在线实时表征。
-
公开(公告)号：CN115475803B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202211154719.1
申请日：2022-09-21
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: B08B7/00
Abstract: 本发明提供一种陷光结构制备方法，包括：当前加工行不是第一条加工行时，对当前加工行采用方形平顶光斑进行激光清洗处理；激光清洗处理完成后，采用圆形高斯光斑进行激光诱导加工；当前加工行为最后一个加工行时，在完成激光诱导加工后，采用方形平顶光斑对所有加工行进行激光清洗处理；其中，所述方形平顶光斑能量密度为所述圆形高斯光斑能量密度的1/20～2/15。本发明提供的陷光结构制备方法，能够通过激光清洗处理过程去除当前加工行的杂质堆积，降低对待处理材料的保护需求，减少危险化工物品的使用。
-
公开(公告)号：CN112834027B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202011643342.7
申请日：2020-12-30
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供一种激光退火设备的光束检测装置，包括：激光发生器，用于产生能沿退火加工路径进行移动的激光束；光斑形貌检测仪，设置在所述激光束的光路上，所述激光束照射在所述光斑形貌检测仪上形成光斑，以使所述光斑形貌检测仪对所述光斑进行检测；三维运动平台，设置在工件台下方，所述三维运动平台与所述光斑形貌检测仪连接；所述三维运动平台能带动所述光斑形貌检测仪上升至晶圆加工时所处的第一平面，并带动所述光斑形貌检测仪在所述第一平面内沿所述退火加工路径与所述激光束同步运动。本发明能够准确的测量激光退火加工过程，从而准确的获得光斑参数。
-
公开(公告)号：CN116299853A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310323938.6
申请日：2023-03-29
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供一种弯曲波导和基于遗传算法的弯曲波导设计方法，随机生成一个初始种群，包括多个个体，每个个体的基因根据构成弯曲波导的两条曲线的参数、划分刻蚀区域的多条曲线的参数以及刻蚀区域的刻蚀参数进行编码，根据种群中每个个体的基因，确定每个个体的几何形状与版图，得到每个个体的器件模型，并根据每个个体的器件模型求解得到每个个体的透射率和串扰；根据每个个体的透射率和串扰，分别计算每个个体的适应度，并找出种群中适应度最高的个体作为最优个体；判断是否达到迭代终止条件，若是，则输出最优个体，结束迭代，若否，更新迭代次数，生成下一代种群，重复上述操作，直至输出最优个体。本发明提高了弯曲波导的设计效率。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115755274A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211359505.8
申请日：2022-11-01
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供一种可编程的FPGA硅基光子集成芯片制造方法，包括：将激光束聚焦于硅基半导体材料第一区域内部，对第一区域进行3D刻蚀，以使双凸透镜外轮廓、型腔内部及光纤固定孔内部形成改质结构；对所述改质结构进行湿法刻蚀，以去除所述改质结构，完成双凸透镜、型腔及光纤固定孔的制备；在所述第一区域的下表面沉积金属材料，以形成散热层；将激光束聚焦于第一区域之外的第二区域，依据所述硅基半导体材料的光学性能对所述硅基半导体材料进行改质，形成导波结构和逻辑器件结构，以形成光子集成芯片。本发明提供的可编程的FPGA硅基光子集成芯片制造方法，能够简化工艺步骤，降低设备成本和工艺成本。
-
公开(公告)号：CN115665023A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211290193.X
申请日：2022-10-20
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种面向应用的参数可配置Interlaken IP核测试方法及测试装置，包括以下步骤：针对协议层生成测试向量；将测试向量发送到Interlaken IP核；接收Interlaken IP核发出的数据，与测试向量做对比，生成测试结果；根据测试结果，判断Interlaken IP核在协议层是否正确识别出测试向量。本发明能够基于现场实际应用时灵活的配置测试参数，减少了实际测试时流程步骤遍历的次数和测试的项目。
-
公开(公告)号：CN115498067A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202211154765.1
申请日：2022-09-21
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/0236
Abstract: 本发明提供一种半导体陷光结构制备方法，包括：采用两束激光在待处理材料上形成第一干涉光场，所述第一干涉光场的条纹沿第一方向分布，以使所述待处理材料表面形成沿第一方向分布的凹陷结构；采用两束激光在待处理材料上形成第二干涉光场，所述第二干涉光场的条纹沿第二方向分布，以使所述待处理材料表面形成沿第二方向分布的凹陷结构，所述第一凹陷结构和所述第二凹陷结构交叉使待处理材料表面形成阵列分布的锥形结构；采用高斯光斑对所述待处理材料表面的锥形结构进行激光诱导，以使所述锥形结构表面形成纳米级结构。本发明提供的半导体陷光结构制备方法，能够高效率的完成大规模陷光结构的制备。
-
公开(公告)号：CN115475803A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202211154719.1
申请日：2022-09-21
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: B08B7/00
Abstract: 本发明提供一种陷光结构制备方法，包括：当前加工行不是第一条加工行时，对当前加工行采用方形平顶光斑进行激光清洗处理；激光清洗处理完成后，采用圆形高斯光斑进行激光诱导加工；当前加工行为最后一个加工行时，在完成激光诱导加工后，采用方形平顶光斑对所有加工行进行激光清洗处理；其中，所述方形平顶光斑能量密度为所述圆形高斯光斑能量密度的1/20～2/15。本发明提供的陷光结构制备方法，能够通过激光清洗处理过程去除当前加工行的杂质堆积，降低对待处理材料的保护需求，减少危险化工物品的使用。
-
公开(公告)号：CN112718702A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202011643336.1
申请日：2020-12-30
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供一种可控微透镜阵列清洁装置，包括：环形固定件，环绕所述可控微透镜阵列设置；气体喷出模块，与所述环形固定件内部侧壁连接，所述气体喷出模块设置于所述可控微透镜阵列上方；气体排出模块，与所述环形固定件内部侧壁连接，所述气体排出模块设置于所述可控微透镜阵列上方，所述气体排出模块设置在所述气体喷出模块的对侧。本发明提供的技术方案能够及时清理可控微透镜阵列表面的清洁，保持可控微透镜阵列的清洁。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
104
records
(took 0.03 seconds)
