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公开(公告)号：CN118089929A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410207224.3
申请日：2024-02-26
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及一种激光光束传输质量的预测方法和装置，属于半导体技术领域，解决系统评价数据统计量大且权重难以确定的问题。方法包括将激光光束传输质量预测划分为目标层、准则层和方案层；基于分度法原则对目标层、准则层和方案层构造判断矩阵，包括基于激光能量损失、激光光斑形貌和激光光路稳定性相对于目标层的重要性构建一级指标判断矩阵；对应方案相对于激光能量损失、光斑形貌和激光光路稳定性的重要性分别构建多个二级指标判断矩阵；基于判断矩阵生成组合权重矩阵和基于评语集生成隶属度矩阵；基于组合权重矩阵和隶属度矩阵生成综合评价指标以预测激光光束传输质量。基于层次分析法获取影响因素的权重分布，保证模糊判断的客观准确性。
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公开(公告)号：CN118014212A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410207221.X
申请日：2024-02-26
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G06Q10/063 , G06F17/16 , G06Q50/04
Abstract: 本发明涉及一种激光开槽工艺质量评价方法和装置，属于半导体技术领域，解决现有每个人的判断准则不同导致结论混淆模糊的问题。方法包括：对晶圆实施激光开槽工艺之后，对晶圆采集切割道表面质量数据、槽型内部质量数据和加工效率数据以获取二级综合评价指标数据集；基于权重矩阵和模糊关系向量矩阵生成综合评价向量；对综合评价向量进行归一化处理，以最大隶属度原则确定开槽形貌及质量的最终综合评价结果；根据最终综合评价结果判断进入下一步加工工序还是进行可靠性测试。激光开槽工艺质量应有定量的评价模型给予反馈，进而针对不同材料、不同要求的晶圆开槽加工工艺方案及工艺参数进行指向性优化。
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公开(公告)号：CN115421254B
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202211169853.9
申请日：2022-09-23
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G02B6/38
Abstract: 本发明提供了一种光纤孔的加工方法及基于其的加工设备，该光纤孔的加工方法包括：提供一玻璃基板，玻璃基板具有相对的第一端面和第二端面；玻璃基板内形成有至少一个改性区，每个改性区均经激光分层加工改性而成，且每个改性区均贯穿第一端面和第二端面。将玻璃基板放入带有磁性粉末的氢氟酸溶液中。在承载有磁性粉末的氢氟酸溶液的周围外加交流磁场，驱动氢氟酸溶液流动，选择性腐蚀掉每个改性区中的材料，以在玻璃基板内形成至少一个光纤孔。采用带有磨料的高压水导光纤对每个光纤孔的孔壁进行旋转抛光。提高光纤孔孔壁的平整均匀度，减少后续光在波导内传播受到影响。
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公开(公告)号：CN115911176A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211154782.5
申请日：2022-09-21
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/0236 , H01L31/028
Abstract: 本发明提供一种提高黑硅吸收率的方法，包括：当前加工行不是第一条加工行时，将待处理材料置于空气氛围中，采用圆形高斯光斑对当前加工行进行清洗；当前加工行完成清洗后，将待处理材料置于六氟化硫氛围中，采用圆形高斯光斑对当前加工行进行诱导。本发明提供的提高黑硅吸收率的方法，能够有效的降低杂质堆积对当前加工行的影响，提高黑硅的吸收性能。
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公开(公告)号：CN115588611A
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202211322470.0
申请日：2022-10-26
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/04 , H01L21/268 , H01L21/304 , H01L21/306 , B23K26/00 , B24B7/22
Abstract: 本发明提供了一种碳化硅晶片的生成方法，该碳化硅晶片的生成方法在从碳化硅晶锭剥离出碳化硅晶片之后，在对碳化硅晶片研磨之前，增加了将碳化硅晶片浸泡在化学溶液中，腐蚀碳化硅晶片的改质层界面的步骤，通过使用化学溶液腐蚀碳化硅晶片的改质层界面，能够去除碳化硅晶片剥离步骤产生的残余应力、位错及裂纹等缺陷。之后再研磨碳化硅晶片的改质层界面，由于此时碳化硅晶片的改质层界面上无残余应力或者存在较少的残余应力，能够减缓研磨工序的挤压使残余应力增大从而造成裂纹继续生长的现象，从而能够研磨更少材料即可完全去除损伤层，降低晶锭损失，提高晶片的质量。而且能够降低后续研磨的难度，提高研磨效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114577727A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210249155.3
申请日：2022-03-14
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供了一种二次谐波表征光学系统及基于二次谐波表征的检测装置，该二次谐波表征光学系统通过在起偏器与第一物镜之间的光路上增加光束整形模块，将高斯光束的偏振基频光整形为平顶光束的偏振基频光，再经过第一物镜聚焦为符合测试要求的基频光，并将基频光入射到待检测样品。与现有技术中入射到晶圆表面的基频光为高斯光束的方式相比，本申请使入射到待检测样品表面的基频光的光斑内部光强均匀，从而使光斑内部可以均匀的产生二次谐波信号，进而提高二次谐波表征待检测样品缺陷的精度。
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公开(公告)号：CN114577726A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210249154.9
申请日：2022-03-14
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供了一种二次谐波表征方法、基于其的表征光学系统及检测装置，该二次谐波表征方法在待检测样品表面选取扫描点位之后，通过调谐基频光的波长从第一设定波长连续调谐至第二设定波长，且在每次调谐基频光的波长之后，均向扫描点位入射波长调谐后的基频光，并收集根据波长调谐后的基频光产生的二次谐波信号；然后根据收集的二次谐波信号，绘制二次谐波信号非线性光谱。通过二次谐波信号非线性光谱，能够得出该扫描点位在此扫描过程中的不同缺陷类型、不同缺陷类型的缺陷能级、以及不同缺陷类型所对应的基频光波长。并利用二次谐波对较低缺陷密度进行有效表征，且能够有针对性的提取待检测样品的相关参数，缩短提取器件相关参数耗时。
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公开(公告)号：CN114577725A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210249114.4
申请日：2022-03-14
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供了一种二次谐波表征光学系统和基于二次谐波表征的检测装置，该二次谐波表征光学系统通过增加Z向随动模块和Z向测高模块，由Z向测高模块获取待检测样品表面不同位置处的高度信息；在XY面运动模块带动待检测样品在XY面扫描的过程中，Z向随动模块根据待检测样品表面不同位置处的高度信息，Z向调节样品台，以使基频光始终聚焦在待检测样品表面。从而克服由于待检测样品表面由于微观上呈凸凹不平的波动曲面，而导致的基频光不能始终聚焦在待检测样品表面的现象；提高SHG出射信号所携带的缺陷信息的准确性，从而提高基于二次谐波表征方法对待检测样品检测的表征精度。
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公开(公告)号：CN112926824A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202110078543.5
申请日：2021-01-20
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G06Q10/06
Abstract: 本发明提供一种激光加工设备的故障诊断方法，包括：获取设备当前的异常报警信息，并确定所述异常报警信息的报警分数；依据所述异常报警信息，确定多个对应所述异常报警信息的待筛查部件；依据所述待筛查部件，确定多个对应所述待筛查部件的待筛查故障；依据所述待筛查故障和所述报警分数，确定每个部件的影响因子；依据所述影响因子，确定引起所述异常报警信息的故障部件。本发明提供的技术方案能够准确定位设备异常，精确判断设备运行情况，定位引发设备异常的原因。
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公开(公告)号：CN112847853A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202110078545.4
申请日：2021-01-20
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: B28D5/00 , B28D7/04 , H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/78
Abstract: 本发明提供了一种裂片装置，该裂片装置通过使第一裂片头的第一端面及第二端面的夹角不小于90度且小于180度，第一端面粘附晶圆膜，使第二裂片头抵压在晶圆膜的第一面上未覆盖晶圆的区域后，向第一裂片头方向推晶圆膜，使切割道断开。第二裂片头将晶圆膜向第一裂片头方向推晶圆膜时，第一裂片头一侧的晶圆膜不会产生或较小的产生拉伸，使位于该侧的晶圆不会或较少的受影响。位于第一裂片头另一侧的晶圆膜在第二裂片头的挤压下，发生拉伸，该侧的晶圆膜都向同一方向折弯并延伸。使覆盖有晶圆的部分晶圆膜仅在切割道处的折弯，防止晶圆切割道两侧的侧壁碰撞，防止晶圆崩边、晶圆的金属层断裂等不良缺陷，防止对晶圆表面的微电路结构造成损伤。
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