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公开(公告)号：CN119688718A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411632662.0
申请日：2024-11-15
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于激光调频实现二次谐波表征的多线程检测方法及系统；方法包括：对入射光路中主激光脉冲分束后进行激光调制得到N束携带频率码的信号光束，聚焦后照射样品在出射光路中形成携带缺陷信息的SHG信号光束；将参考光束进行延时控制和倍频形成SHG参考光束；对携带缺陷信息的SHG信号光束和参考光束进行光电探测和信号分路得到N路混频信号；对N路混频信号分别进行解扩和锁相得到出射光路中各路信号光束的频率偏差值；将频率偏差值转化为移频控制量，反馈到入射光路中进行各束信号光束的频率零差控制；零差控制后，对每路混频信号进行解算和输出得到各信号光束的二次谐波表征。本发明实现多线程检测，显著提高二次谐波光学表征性能。
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公开(公告)号：CN114577729B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202210249196.2
申请日：2022-03-14
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供了一种二次谐波表征光学系统和基于二次谐波表征的检测装置，该二次谐波表征光学系统通过增加耦合联动机构，入射臂在圆弧导轨上滑动时，能够同步带动出射臂在圆弧导轨上耦合联动，使出射臂同步粗调到二次谐波信号的传输光路上，使至少部分的二次谐波信号入射到探测器内。通过增加的反馈调整模块，能够通过观察采样信号是否移动到目标点处，了解到出射光路系统中的探测器是否正好位于二次谐波信号的传输光路上，了解到二次谐波信号是否能全部入射到探测器的探测窗口内，便于后续微调出射臂，将探测器正好调节到二次谐波信号的传输光路上，使二次谐波信号尽量多的被探测器接收，从而提高二次谐波表征精度。
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公开(公告)号：CN116984760A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202310892359.3
申请日：2023-07-19
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: B23K26/53 , B23K26/082 , B23K26/08 , B23K26/06 , B23K26/70
Abstract: 本发明提供一种激光加工碳化硅晶圆的方法，其特征在于，所述方法包括：采用第一波长激光的激光束沿所述待加工碳化硅晶圆的切割道预设高度扫描，以在所述待加工碳化硅晶圆内的预设位置形成改质层，并使所述预设位置对应的预设范围内的碳化硅分解为硅和碳；采用第二波长激光的激光束沿所述待加工碳化硅晶圆的切割道预设高度扫描，以使所述硅吸收所述第二波长激光的能量，促进所述改质层的裂纹延伸。本发明提供的激光加工碳化硅晶圆的方法及系统，能够减少改质层数量，提高加工效率和划片质量。
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公开(公告)号：CN116090134A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202310193409.9
申请日：2023-02-23
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供一种基于遗传算法的波导模式转换器设计方法，随机生成一个初始种群，包括多个个体，每个个体的基因根据纳米孔刻蚀参数进行编码；对种群中每个个体的基因解码，得到每个个体的基因所对应的纳米孔刻蚀参数，进一步求解得到每个个体的透射率和串扰；根据每个个体的透射率和串扰，分别计算每个个体的适应度，并找出种群中适应度最高的个体作为最优个体；判断是否达到迭代终止条件，若是，则输出最优个体，结束迭代，若否，更新迭代次数，通过选择操作、交叉操作和变异操作，生成下一代种群，重复上述操作，直至输出最优个体。本发明提高了模式转换器的设计效率。
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公开(公告)号：CN115415664A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211154718.7
申请日：2022-09-21
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: B23K26/046 , B23K26/70 , C30B29/06 , C30B33/08
Abstract: 本发明提供一种黑硅的制备方法，包括：在完成前一加工路径的诱导加工后，将激光束以聚焦的方式在当前加工路径的表面形成第一光斑，以对所述当前加工路径进行第一次诱导加工，使当前加工路径的表面形成微米级结构；在第一次诱导加工完成之后，将激光束以负离焦的方式在当前加工路径的表面形成第二光斑，以对所述当前加工路径进行第二次诱导加工，使当前加工路径的表面形成纳米级结构。本发明提供的黑硅的制备方法，能够降低激光加工过程中对材料的保护要求，减少危险化工物品的使用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115356807A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202211169716.5
申请日：2022-09-23
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G02B6/36
Abstract: 本发明提供了一种光纤孔倒角的制造方法及其制造设备，该制造方法通过先采用激光加工+湿法刻蚀工艺在玻璃基板内形状有至少一个倒角直通孔；之后采用激光热加工工艺，加热每个倒角直通孔与对应光纤孔连接处的玻璃基材，使其坍塌后形成截面为弧形的倒角曲面；再采用激光热加工工艺，加热每个倒角直通孔与对应光纤孔连接处的玻璃基材，使其坍塌后形成截面为弧形的倒角曲面；最后对倒角直通孔、倒角曲面及倒角外扩孔的表面进行抛光处理。能够实现微小端口倒角的加工。而且随着激光光束焦点大小的变化，能够进一步缩小加工尺寸，并且无机械应力式加工工艺，能够减小刀具加工玻璃基材时容易带来的脆性样品崩裂概率，从而增加成品率及良率。
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公开(公告)号：CN109459808B
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN201811590134.8
申请日：2018-12-25
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供一种完美吸收体的制备方法及完美吸收体，所述方法包括选择二氧化硅作为衬底，然后依次制备第一金属层、介质层、聚甲基丙烯酸甲酯光刻胶；按照预设的周期性超表面阵列结构对烘烤后的光刻胶进行曝光，预设的周期性超表面阵列结构中的超表面原胞内均匀设置有五个内包含至少一个设置有均匀分布的五个直径分别为d1至d5的圆盘，直径分别为d1至d5的圆盘与超表面原胞的Px和Py相对应；并对显影后的结构顶层喷涂金属材料形成第二金属层，以使第一金属层、介质层、第二金属层形成基于区域共振的宽带超表面完美吸收体。本发明能够有效拓展吸收波段范围，并实现宽带光学完美吸收体由三维结构向二维结构转化，提高系统的集成度。
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公开(公告)号：CN112895183A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202110078590.X
申请日：2021-01-20
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: B28D5/04
Abstract: 本发明提供了一种裂片装置，该裂片装置包括支撑结构、运动平台、第一裂片组件及第二裂片组件。通过设置两套裂片组件，其中一套裂片组件中的裂片台具有凸起曲面，用于对晶圆上的所有切割道进行裂片，以提高裂片效率。另一套裂片组件通过第一裂片头及第二裂片头一次对一条切割道进行裂片，在第一裂片组件裂片后，存在切割道没有完全裂片时，采用第二裂片组件对没有完全裂片的切割道进行裂片，使晶圆上的所有切割道都完全裂片。且两套裂片组件在裂片过程中，都不接触晶圆，不会对晶圆表面的微电路结构造成损坏；晶圆的折弯方向比较一致，防止晶圆切割道两侧的侧壁发生碰撞，防止晶圆的切割道崩边、晶圆的金属层断裂等不良缺陷，提高产品良率。
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公开(公告)号：CN112834027A
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN202011643342.7
申请日：2020-12-30
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供一种激光退火设备的光束检测装置，包括：激光发生器，用于产生能沿退火加工路径进行移动的激光束；光斑形貌检测仪，设置在所述激光束的光路上，所述激光束照射在所述光斑形貌检测仪上形成光斑，以使所述光斑形貌检测仪对所述光斑进行检测；三维运动平台，设置在工件台下方，所述三维运动平台与所述光斑形貌检测仪连接；所述三维运动平台能带动所述光斑形貌检测仪上升至晶圆加工时所处的第一平面，并带动所述光斑形貌检测仪在所述第一平面内沿所述退火加工路径与所述激光束同步运动。本发明能够准确的测量激光退火加工过程，从而准确的获得光斑参数。
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公开(公告)号：CN109738975B
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN201811590005.9
申请日：2018-12-25
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供一种完美吸收体的制备方法及完美吸收体，所述方法包括：选择二氧化硅作为衬底，然后制备第一金属层；在第一金属层上制备出介质层；在介质层上覆盖聚甲基丙烯酸甲酯光刻胶；按照预设的周期性超表面阵列结构对烘烤后的光刻胶进行曝光，对曝光后的光刻胶进行显影，并对显影后的结构顶层喷涂金属材料形成具有预设的周期性超表面阵列结构的第二金属层，以使第一金属层、介质层、第二金属层形成具有相干相消效果的完美吸收体。本发明能够合理优化超表面阵列结构参数，使得在所述预设的周期性超表面阵列结构内相邻的结构单元产生振幅相等、相位相反的模式分布，最终在远场获得相干相消效果。
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