-
公开(公告)号：CN119964629A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202510045648.9
申请日：2025-01-13
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开一种SRAM芯片中存储单元的位置检测系统和位置检测方法，涉及半导体技术领域。位置检测系统包括：电动位移台、光学激发模块、微波激发模块、雪崩光电探测器、信号分析装置和控制模块；电动位移台用于放置待检测SRAM芯片，光学激发模块包括激光器、二向色镜、物镜和光纤探针；光纤探针的尖端设置有包含NV色心的金刚石颗粒；光纤探针用于对待检测SRAM芯片进行逐点扫描；微波激发模块用于施加微波信号；控制模块用于写入预设频率的方波信号；雪崩光电探测器用于转换得到电压信号；信号分析装置分析电压信号以确定目标存储单元的位置。该系统解决了现有技术中SRAM芯片中存储单元的侵入式检测、位置检测精度低和位置检测效率低的问题。
-
公开(公告)号：CN114577727B
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202210249155.3
申请日：2022-03-14
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供了一种二次谐波表征光学系统及基于二次谐波表征的检测装置，该二次谐波表征光学系统通过在起偏器与第一物镜之间的光路上增加光束整形模块，将高斯光束的偏振基频光整形为平顶光束的偏振基频光，再经过第一物镜聚焦为符合测试要求的基频光，并将基频光入射到待检测样品。与现有技术中入射到晶圆表面的基频光为高斯光束的方式相比，本申请使入射到待检测样品表面的基频光的光斑内部光强均匀，从而使光斑内部可以均匀的产生二次谐波信号，进而提高二次谐波表征待检测样品缺陷的精度。
-
公开(公告)号：CN119447116A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202310943662.1
申请日：2023-07-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本申请提供了一种静电放电防护器件及静电放电防护电路，该静电放电防护器件，包括：第一电极；位于所述第一电极一侧表面的功能层，所述功能层在电压的作用下，能在高阻态和低阻态之间转换；第二电极，位于所述功能层背离所述第一电极的一侧表面。该静电放电防护器件通常与主电路并联连接，由于静电放电防护器件中的相变或阻变结构，在主电路正常工作时，电阻较高，不会影响主电路的正常功能。在主电路受到ESD脉冲时，该半导体器件中相变或阻变结构的电阻会迅速下降，从而将主电路中的ESD脉冲泄放掉，从而降低了对主电路中的器件的损伤。
-
公开(公告)号：CN118919532A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202310512209.5
申请日：2023-05-08
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L27/02
Abstract: 本申请提供了一种静电放电防护结构及静电放电防护电路，位于衬底一侧的中间半导体层；中间半导体层包括第一阱区和分别位于第一阱区两端的第一N型重掺杂区和第一P型重掺杂区，第一N型重掺杂区用于连接电源负极，第一P型重掺杂区用于连接电源正极；位于中间半导体层远离衬底一侧的第一埋氧层；位于第一埋氧层远离衬底一侧的顶层半导体层；顶层半导体层包括第二阱区和分别位于第二阱区两端的第二重掺杂区；第二重掺杂区分别用于连接电源负极和电源正极；位于顶层半导体层的第二阱区远离衬底一侧的半导体材料层。通过金属‑氧化物半导体场效应晶体管和二极管的并联，在相同芯片面积的情况下，可增加电流泄放能力，提升该器件结构静电放电鲁棒性。
-
公开(公告)号：CN118824891A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202310409107.0
申请日：2023-04-17
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本申请提供了一种半导体器件的固定装置和抗单粒子测试系统，该半导体器件的固定装置包括：第一基板；可拆卸的固定在所述第一基板上的第二基板，所述第二基板与所述第一基板之间设置有加热模块；可拆卸的固定在所述第二基板上的第三基板，所述第三基板和所述第二基板之间用于放置半导体器件；所述半导体器件通过所述第二基板与所述加热模块热接触。通过第一基板与第二基板将加热模块固定，通过第二基板与第三基板固定半导体器件，此时加热模块和半导体器件通过第二基板实现热接触，通过加热模块对半导体器件进行加热，从而实现在不同温度下对半导体器件进行的单粒子实验。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118228647A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410346454.8
申请日：2024-03-25
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G06F30/33 , G06F30/337
Abstract: 本发明公开一种CAN总线控制器芯片的验证系统、方法及介质，应用于芯片验证领域，CAN总线控制器芯片的验证系统，包括：模拟处理模块，用于根据激励信号以及CAN总线的输出规则，获得模拟数据，模拟数据用于作为CAN总线控制器芯片处理激励信号的模拟输出，激励信号基于CAN总线控制器芯片的节点类型确定，节点类型包括发送节点和接收节点；接口配置模块，用于获取激励信号，并将激励信号发送至芯片处理模块；芯片处理模块，用于配置CAN总线控制器芯片，通过CAN总线控制器芯片对激励信号进行处理，获得CAN总线控制器芯片的真实输出；对比模块，用于根据模拟输出和真实输出，确定CAN总线控制器芯片的验证结果。
-
公开(公告)号：CN118228646A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410345302.6
申请日：2024-03-25
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G06F30/33 , G06F30/337
Abstract: 本发明公开一种PIN结构光电探测器响应度优化方法、装置及设备，涉及半导体器件技术领域，用于解决现有技术中只考虑I层区域的影响，导致响应度准确性较低的问题。包括：获取PIN结构光电探测器中P区域、I区域以及N区域的厚度以及掺杂浓度；将三个区域的厚度以及掺杂浓度作为变量，对PIN结构光电探测器进行几何结构模型构建，得到目标几何结构模型；采用目标几何结构模型进行仿真，得到仿真结果；基于仿真结果计算响应度，并确定响应度最大值。本发明考虑了P区域、I区域以及N区域的厚度和掺杂浓度等参数对响应度的影响，构建了自动化表征响应度的计算方法，通过关键参量的优化算法，提高了响应度计算的准确性。
-
公开(公告)号：CN118039516A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202211417232.8
申请日：2022-11-14
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/66 , G01R31/265
Abstract: 本发明公开了一种基于二次谐波的表征设备，包括：入射组件，入射组件包括入射臂、分束器和反射镜，分束器和反射镜设置在入射臂内；入射臂设有入口、第一出口和第二出口；基波发射组件，连接至入口；出射组件，连接至第一出口；二次谐波接收组件，连接在出射组件的出口侧；样品台；在表征设备工作时，基波发射组件发出的入射基波进入入射臂，在分束器的反射作用下产生的反射基波从第二出口射出，垂直照射至样品台上的待测样品，以使待测样品产生二次谐波；二次谐波在分束器的透过作用下产生透过二次谐波，透过二次谐波经过反射镜反射后进入二次谐波接收组件。本表征设备能够实现基波垂直入射、SHG信号垂直出射的光路设计。
-
公开(公告)号：CN114839168A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202110139360.X
申请日：2021-02-01
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本申请公开一种二次谐波测量方法及测量仪器，方法包括：获取第一光信号，所述第一光信号通过滤掉经过待测样品反射回来的反射基波光信号获得；获取第二光信号，所述第二光信号包括经过所述待测样品反射回来的反射基波光信号；根据所述第二光信号，提取膜厚信息光信号，所述膜厚信息光信号包括带有所述待测样品对应位置处的膜厚信息的光信号；将所述第一光信号去除掉所述膜厚信息光信号，得到所述待测样品对应位置处的缺陷二次谐波信号；对所述缺陷二次谐波信号进行缺陷参数提取，得到所述待测样品对应位置处的缺陷参数。能够解决膜厚的波动会影响二次谐波，从而影响二次谐波对于样品缺陷的表征，降低缺陷参数提取的精度的问题。
-
公开(公告)号：CN114724937A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202110008867.1
申请日：2021-01-05
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/268 , H01S5/00
Abstract: 本发明公开了一种处理半导体激光器的方法，该方法包括：在半导体激光器的制备过程中，利用预设辐照源对半导体激光器进行辐照处理，以提高所述半导体激光器的调制带宽，其中，所述辐照源为粒子辐照源。通过在半导体激光器的制备过程中，利用预设辐照源对半导体激光器进行辐照处理，从而实现在不影响半导体激光器其他性能的情况下，以更为简单和低成本的方法，提高半导体激光器的调制带宽，有利于优化半导体激光器的动态性能。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
98
records
(took 0.04 seconds)
