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公开(公告)号：CN119486291A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411472616.9
申请日：2024-10-21
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H10F30/298 , H10F77/14 , G01T1/02
Abstract: 本发明公开一种双埋氧绝缘体上硅总剂量辐照探测器，涉及电力电子技术领域，用于解决现有技术中辐照探测器的探测线性范围受到限制，且剂量计器件与电路的集成度较低的问题。包括：硅衬底；形成于硅衬底上的第二埋氧层；形成于第二埋氧层上的配置层；以及形成于配置层上的第一埋氧层；配置层由电极引出，且配置层的引出电极在正面；第一埋氧层作为剂量计器件的栅氧化层，配置层作为剂量计器件的栅极。本发明能够将剂量计器件集成到电路中。且剂量计器件使用的厚栅氧不再需要改变器件工艺制造，很好地与电路工艺兼容；使用偏置循环控制测量技术将剂量计器件的阈值电压偏移保持在线性变化区，不让阈值电压变化饱和，能够大幅拓宽探测的剂量范围。
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公开(公告)号：CN119471769A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411471973.3
申请日：2024-10-21
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开一种总剂量辐照剂量计读出电路，涉及电力电子技术领域，用于解决现有技术中剂量计的探测范围小、输出无法直接读取的辐照剂量的问题。包括剂量计器件、剂量计读出电路、模数转换电路、偏置循环控制电路和剂量输出电路；剂量计器件的漏极接入剂量计读出电路，剂量计读出电路与模数转换电路以及偏置循环控制电路相连，模数转换电路与剂量输出电路相连；剂量计读出电路在读出操作时为剂量计器件提供偏置电压和接入剂量计器件栅极的电源；剂量计读出电路将读出的信号输入到模数转换电路进行处理；模数转换电路将处理后的信号传输到剂量输出电路进行输出操作。本发明能够大幅拓宽探测的剂量范围，输出能够直接读取的辐照剂量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118983283A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202411068069.8
申请日：2024-08-05
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L23/367 , H01L21/48
Abstract: 本申请公开一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域，以解决现有半导体器件的散热能力差的问题。半导体器件包括：半导体结构，半导体结构包括第一基底、以及设置在第一基底上的芯片；第一键合层，设置在第一基底背离芯片的一侧；第一键合层包括沿平行于第一基底表面方向交替分布的第一导热材料部和第一粘合材料部；第二基底，第二基底的热导率大于第一基底；第二基底具有键合面；以及第二键合层，设置在第二基底具有的键合面，第二基底和半导体结构分别通过第二键合层和第一键合层键合在一起。半导体器件的制造方法用于制造上述技术方案所提的半导体器件。本申请提供的半导体器件及其制造方法用于提高半导体器件经由第二基底的散热能力。
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公开(公告)号：CN118919532A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202310512209.5
申请日：2023-05-08
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L27/02
Abstract: 本申请提供了一种静电放电防护结构及静电放电防护电路，位于衬底一侧的中间半导体层；中间半导体层包括第一阱区和分别位于第一阱区两端的第一N型重掺杂区和第一P型重掺杂区，第一N型重掺杂区用于连接电源负极，第一P型重掺杂区用于连接电源正极；位于中间半导体层远离衬底一侧的第一埋氧层；位于第一埋氧层远离衬底一侧的顶层半导体层；顶层半导体层包括第二阱区和分别位于第二阱区两端的第二重掺杂区；第二重掺杂区分别用于连接电源负极和电源正极；位于顶层半导体层的第二阱区远离衬底一侧的半导体材料层。通过金属‑氧化物半导体场效应晶体管和二极管的并联，在相同芯片面积的情况下，可增加电流泄放能力，提升该器件结构静电放电鲁棒性。
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公开(公告)号：CN115686167A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211491255.3
申请日：2022-11-25
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种背栅电压控制电路、方法及芯片，涉及集成电路技术领域，所述控制电路包括：目标电路，所述背栅电压用于控制所述目标电路工作；检测电路，所述检测电路用于检测所述目标电路的输出值；调节电路，所述调节电路的输入端与所述检测电路的输出端连接，用于所述调节电路通过所述检测电路获取所述目标电路的输出值，所述调节电路根据所述输出值计算输出背栅电压，并输出背栅电压至目标电路的输入端，以控制所述目标电路正常工作。本申请可以针对温度、电压波动、辐照、老化等特殊环境，产生响应，恢复目标电路的工作状态。
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公开(公告)号：CN118465480A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410390284.3
申请日：2024-04-01
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开一种单粒子瞬态脉冲效应模拟系统，涉及半导体技术领域，用于解决现有技术中针对裸片级芯片的单粒子瞬态脉冲效应研究系统无法满足多金属接触板器件、电路单元裸片的测试需求的问题。包括：三维移动台、皮秒脉冲激光设备、示波器、探针以及金属接触板；待测裸片样品封装后与电路印刷板连接，均固定于三维移动台上；皮秒脉冲激光设备产生的激光经过相应光路调节和物镜聚焦后辐照待测裸片样品；金属接触板数量加倍，包括第一金属接触板以及第二金属接触板；第一金属接触板用于扎针，并结合示波器捕获瞬态脉冲；第二金属接触板通过封装后PCB板对不需捕获瞬态脉冲的端口施加工作电压。本发明可以进行多PAD裸片的激光模拟单粒子表征工作。
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公开(公告)号：CN118315287A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410370978.0
申请日：2024-03-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/56 , H01L21/683 , H01L21/48 , H01L23/31 , H01L23/367
Abstract: 本发明公开了一种芯片的制造方法，涉及芯片制造技术领域，用于通过优化封装结构的方式，使芯片内部的热量以更合理的方式传导。所述芯片的制造方法包括：由芯片的背面一侧，对芯片进行第一减薄处理。将经第一减薄处理后的芯片放置并粘接在第一载片晶圆开设的沟槽内。沟槽的深度大于经第一减薄处理后的芯片的厚度，且芯片的正面通过沟槽的槽口暴露在外。在第一载片晶圆对应沟槽槽口的一侧临时键合第二载片晶圆。由第一载片晶圆背离第二载片晶圆的一侧，对第一载片晶圆和芯片进行第二减薄处理。在第一载片晶圆和芯片背离第二载片晶圆的一侧键合散热基底。对第二载片晶圆进行解键合，并对键合有散热基底的第一载片晶圆和芯片进行划片处理。
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