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公开(公告)号：CN119363054B
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202411921126.2
申请日：2024-12-25
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H03F1/56
Abstract: 本申请提供了一种输出匹配电路和放大器，所述输出匹配电路包括T型的人工表面等离激元结构；所述T型的人工表面等离激元结构包括一个滤波段、两个传输段；所述滤波段设置有第一滤波单元，所述第一滤波单元包括：第一凹槽和第一电容器；以及所述第一电容器的两端分别连接所述第一凹槽的两个侧面。本申请提供的技术方案解决现有技术中谐波抑制电路高功耗、不能灵活应对各种频率谐波的问题，从而提高了谐波抑制效率。
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公开(公告)号：CN119921678A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202411873014.4
申请日：2024-12-18
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H03B5/12
Abstract: 本申请提供了一种逆F类和三点式双模操作的压控振荡器，所述振荡器为单核振荡器，包括：有源负阻晶体管对、无源电感器组、频率调节模块、第一开关组和第二开关组；所述无源电感器组和频率调节模块形成无源谐振腔；所述第一开关组闭合且第二开关组断开时，所述有源负阻晶体管对以差分的形式与所述无源电感器组连接，构成逆F类振荡器；以及所述第一开关组断开且第二开关组闭合时，所述有源负阻晶体管对以共模并联的形式与所述无源电感器组连接，构成三点式振荡器。本申请提供的技术方案避免了现有多核振荡器中核心之间的不匹配导致谐振腔阻抗峰偏离预设值的问题，在低相位噪声的基础上，进一步拓宽了单核振荡器的频率调节范围。
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公开(公告)号：CN119787980A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411659615.5
申请日：2024-11-19
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
Abstract: 本发明公开一种宽频率调节范围的压控振荡器，涉及射频技术领域，以解决现有技术中振荡器的输出频率调谐范围窄、不连续的问题。压控振荡器，包括：无源拓扑模块、有源负阻模块、频率调节模块和模式切换模块；无源拓扑模块包括多个相互耦合的电感；多个电感共同耦合并提供所需的阻抗峰；多个电感包括1个八字型电感线圈、第一环形电感线圈和第二环形电感线圈；八字型电感线圈包括第一电感线圈、第二电感二线圈和公共电感线圈；频率调节模块用于调节阻抗峰的对应频率；有源负阻模块用于为无源拓扑模块提供信号增益，以满足振荡条件，模式切换模块用于切换振荡器的工作模式。本发明的振荡器具有4个连续的工作频段，输出频率调谐范围更宽。
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公开(公告)号：CN112052637B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202010892877.1
申请日：2020-08-31
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G06F30/3308
Abstract: 本发明公开了一种基于BSIMIMG的FDSOI MOSFET模型生成方法及装置，应用于集成电路设计领域，包括：BSIMIMG背沟道器件模型和BSIMIMG正沟道器件模型，BSIMIMG背沟道器件模型以受控源形式合并至BSIMIMG正沟道器件模型；其中，BSIMIMG正沟道器件模型是基于新的BSIMIMG标准模型和从FDSOI MOSFET器件提取的正沟道器件模型参数生成，BSIMIMG背沟道器件模型是基于新的BSIMIMG标准模型和从FDSOI MOSFET器件提取的背沟道器件模型参数生成，新的BSIMIMG标准模型是修改BSIMIMG标准模型的Verilog‑a代码所得到。通过本发明提高了背沟道开启情况下的器件模型精度。
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公开(公告)号：CN118446150A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202310055099.4
申请日：2023-02-03
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G06F30/367 , H01L21/66
Abstract: 本发明公开了一种Pseudo‑MOS开启电压的确定方法，采用瞬态测试方法从非平衡体电势数据提取Pseudo‑MOS结构的第一阈值电压与第一平带电压，相较于现有传统的采用Y函数方法从漏极电流和栅极电压准静态关系曲线提取Pseudo‑MOS结构的第二阈值电压、第二平带电压的方法，大幅提高了测试速度，适用于大批量、快速、无损的辐照前后样品的测试。采用本发明方法得到Pseudo‑MOS仿真模型的阈值电压、平带电压与采用Y函数方法处理准静态漏极电流和栅极电压关系曲线数据提取的阈值电压、平带电压结果拟合良好，提供了基于非平衡体电势拐点提取阈值电压与平带电压的可行性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109860098B
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201910011406.2
申请日：2019-01-07
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/762 , H01L21/48 , H01L23/498 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种SOI器件结构及其制备方法，该SOI器件结构，包括：第一绝缘层；位于所述第一绝缘层上方的器件层，所述器件层用于制备多个MOS器件；在所述第一绝缘层下方正对每个MOS器件沟道区均有第一背衬底层；在每个所述第一背衬底层的表面以及相邻的第一背衬底层之间隔离有第二绝缘层；正对每个所述第一背衬底层下方有连通所述第二绝缘层的接触孔；每个接触孔内填充有导电材料；在所述第二绝缘层表面形成每个接触孔的导电结构，将每个器件沟道区正对的第一背衬底层相互隔离，形成单独的第一背衬底层底部连接外部的导电结构，极大地减小芯片的设计和制造成本，简化了工艺，同时还可以提高器件抗辐照性能。
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公开(公告)号：CN109860098A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201910011406.2
申请日：2019-01-07
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/762 , H01L21/48 , H01L23/498 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种SOI器件结构及其制备方法，该SOI器件结构，包括：第一绝缘层；位于所述第一绝缘层上方的器件层，所述器件层用于制备多个MOS器件；在所述第一绝缘层下方正对每个MOS器件沟道区均有第一背衬底层；在每个所述第一背衬底层的表面以及相邻的第一背衬底层之间隔离有第二绝缘层；正对每个所述第一背衬底层下方有连通所述第二绝缘层的接触孔；每个接触孔内填充有导电材料；在所述第二绝缘层表面形成每个接触孔的导电结构，将每个器件沟道区正对的第一背衬底层相互隔离，形成单独的第一背衬底层底部连接外部的导电结构，极大地减小芯片的设计和制造成本，简化了工艺，同时还可以提高器件抗辐照性能。
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公开(公告)号：CN109742085A
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201811456986.8
申请日：2018-11-30
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L27/12 , H01L21/20 , H01L21/762 , H01L21/84
Abstract: 本发明涉及抗辐照技术领域，尤其涉及SOI器件及其制作方法，包括：第一氧化埋层位于衬底中；加热电阻位于第一氧化埋层的上方，加热电阻的两端具有裸露于器件表面的电阻端口；两个第一隔离区位于第一氧化埋层的上方且位于加热电阻两端的外侧；第二氧化埋层位于加热电阻的上方；源极、栅极和漏极位于第二氧化埋层的上方；一个第二隔离区设置于源极和靠近源极的电阻端口之间，另一个第二隔离区设置于漏极和靠近漏极的电阻端口之间。本发明利用加热电阻能够实现动态地对SOI器件的抗总剂量能力进行调节的技术效果，利用第一隔离区能够避免施加在加热电阻上的电压对器件造成影响。
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公开(公告)号：CN106093744B
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201610632860.6
申请日：2016-08-04
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明属于半导体可靠性技术领域，公开了一种热阻获取方法，包括：在MOS器件所在的硅膜上制作有源区扩散电阻；获取所述电阻的电阻温度特性；获取所述MOS器件工作时的电阻的阻值；依据所述电阻温度特性,得到所述电阻的温度；获取所述电阻的在所述MOS器件工作前后的温差ΔT,以及MOS器件的热耗散功率ΔP；依据公式Rth＝ΔT/ΔP计算热阻Rth。本发明提供了一种可靠性和精度更高热阻获取方法。
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公开(公告)号：CN112052636B
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202010892603.2
申请日：2020-08-31
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G06F30/3308
Abstract: 本发明公开了一种基于BSIMSOI的FDSOI MOSFET器件建模方法及装置，应用于集成电路设计领域，包括：根据FDSOI MOSFET器件提取正沟道模型参数和背沟道模型参数；基于正沟道模型参数和BSIMSOI标准模型生成BSIMSOI正沟道器件模型，以及基于背沟道模型参数和BSIMSOI标准模型生成BSIMSOI背沟道器件模型；将BSIMSOI背沟道器件模型以受控源形式与BSIMSOI正沟道器件模型进行连接，以得到目标FDSOI MOSFET器件模型。通过本发明大幅度提高了背沟道开启情况下的器件模型精度。
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