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公开(公告)号：CN119008395A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411099886.X
申请日：2024-08-12
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
Abstract: 本公开提出了一种铁电晶体管的栅极退火方法，包括：在衬底上形成N/P阱层、源极和漏极，其中，源极和漏极形成于N/P阱层的两端；在源极区域和漏极区域沉积形成激光反射层；通过原子层沉积工艺，在栅极区域沉积铁电材料，形成铁电层，对铁电层进行表面富氮处理，以在铁电层的表面形成界面氮吸附层；在形成有界面氮吸附层的铁电层上沉积氮化钛作为盖帽层，以保证铁电层的相稳定，通过激光退火处理，诱导铁电层产生铁电相；在盖帽层上沉积导电金属，以形成栅金属叠层。本公开还提出了基于前述栅极退火方法得到的栅极结构以及铁电晶体管。
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公开(公告)号：CN118412326A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410490451.1
申请日：2024-04-23
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: H01L21/8238 , H01L27/02 , H01L27/092
Abstract: 本公开提供了一种半导体器件的制备方法和半导体器件。该制备方法包括：对第一基底的第一表面进行氧化和淀积，得到复合介电层。在复合介电层上进行金属薄膜沉积，得到第一金属层。对位于第一顶面上的第一金属层，和位于第二顶面上的第一金属层进行刻蚀，并暴露出复合介电层，得到第一侧墙金属层。在第一侧墙金属层、位于第一顶面上的复合介电层和位于第二顶面上的复合介电层上进行金属薄膜沉积，得到第二金属层。在第二金属层上进行金属薄膜沉积，得到第三金属层。对第三金属层和第二金属层进行光刻刻蚀，得到栅极。以及在与栅极的第二侧面相邻的第一顶面，和与栅极的第三侧面相邻的第二顶面上进行掺杂，分别得到第一源漏区和第二源漏区。
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公开(公告)号：CN119815828A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411721894.3
申请日：2024-11-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: H10B12/00
Abstract: 本申请公开了一种半导体器件及其制备方法，该半导体器件包括衬底和位线结构，位线结构形成于衬底上，位线结构包括第一部分和第二部分，第二部分位于第一部分背离衬底的一侧，第一部分包括硅化物和碳掺杂物，第二部分包括硅。本申请提供的该半导体器件的位线结构受热后不易退化，热稳定性大大提升，从而使得半导体器件的性能得到显著提升。
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公开(公告)号：CN118738101A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410895508.6
申请日：2024-07-05
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: H01L29/423 , H01L29/51 , H01L21/28 , H01L29/78
Abstract: 本公开提供了一种铁电栅极叠层、铁电场效应晶体管和铁电栅极叠层的制备方法，可以应用于微电子技术领域。该铁电栅极叠层包括：自下而上依次设置的栅氧层、主铁电层、辅助铁电层和其他栅介质层；其中，辅助铁电层的厚度小于主铁电层的厚度，辅助铁电层用于在主铁电层之前接收载流子的注入。
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公开(公告)号：CN117979808A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410080823.3
申请日：2024-01-19
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造技术领域，尤其是涉及一种双钉扎层STT‑MRAM存储单元及其制备方法、磁性随机存储器和电子设备，包括自下而上依次设置在第一钉扎层、第一参考层、势垒层、自由层、间隔层、第二参考层和第二钉扎层；所述第一钉扎层和所述第二钉扎层均为由多层Co/Pt堆叠构成的pMTJ结反铁磁钉扎层；所述第一参考层和所述第二参考层的磁化方向相反。本发明基于上下双钉扎参考层的MTJ存储单元，不仅可提供双向自旋转移力矩作用，而且不会对TMR值造成影响，有效解决了STT‑MRAM高低阻态写入电流过大导致势垒层易击穿，从而使存储单元MTJ(磁性隧道结)擦写次数受限，极大影响MRAM使用寿命的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116092940A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202211514669.3
申请日：2022-11-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/324
Abstract: 本发明提供一种MOS器件的制备方法，包括：提供衬底，衬底上形成有栅区、源/漏区，并在衬底上的介质层中形成有通孔，通孔暴露出源/漏区的表面；对源/漏区进行掺杂；对掺杂后的源/漏区进行氢气烘烤处理，以使源/漏区表面平整化；在平整化的源/漏区表面形成金属硅化物。本发明能够降低源漏接触电阻。
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公开(公告)号：CN118969627A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411035721.6
申请日：2024-07-30
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
Abstract: 本公开提供一种二维材料晶圆级无损转移方法及晶体管器件，无损转移方法包括：操作S1：在衬底上生长单层二维半导体材料层；操作S2：在所述二维半导体材料层上蒸镀金属锑；操作S3：在金属锑表面旋涂PMMA；操作S4：通过PMMA辅助湿法转移将镀有金属锑和二维半导体材料层的叠层转移到新的衬底上；操作S5：在PMMA上开窗口以暴露出下面的金属锑，使金属锑与空气接触；操作S6：在空气中加热，使暴露的金属锑氧化为具有高介电常数的三氧化二锑；操作S7：在三氧化二锑上制备栅极；以及操作S8：去除PMMA得到晶体管器件，完成二维材料晶圆级无损转移。
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公开(公告)号：CN118398623A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410346192.5
申请日：2024-03-25
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 本申请公开了一种晶体管及其制备方法，晶体管包括衬底、半导体层和第一导电层，半导体层形成于衬底一侧，包括多个源区、多个漏区和多个沟道区，源区和漏区沿虚拟环形交替排布，沟道区位于相邻源区与漏区之间；第一导电层形成于沟道区背离衬底一侧以及衬底一侧，包括控制电极，控制电极与沟道区一一对应。该晶体管中的每个量子点均容易操控，可降低不同量子点的差异，提升晶体管的性能。
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公开(公告)号：CN117895334A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202311767602.5
申请日：2023-12-20
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: H01S5/34
Abstract: 本发明涉及一种GeSn/SiGe量子阱激光器及其制作方法。GeSn/SiGe量子阱激光器，其包括由下至上堆叠的：衬底，锗硅缓冲层，P型掺杂锗硅层，P型掺杂锗硅层中硅的摩尔百分比为5％～20％；量子阱，量子阱由锗锡层和锗硅层交替堆叠多次而成，并且多个锗锡层中的锡含量由下至上逐层递增，锗锡层中锡质量百分比为6.5％～10％；N型掺杂锗硅层，N型掺杂锗硅层中硅的摩尔百分比为5％～20％；氮化硅层。本发明可以明显减少激光器达到粒子反转所需的载流子数目，加强有源区受激辐射，同时弥补单层Ge光增益不高的缺点，有效提升激光器的输出功率。
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公开(公告)号：CN116544270A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310440684.6
申请日：2023-04-23
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: H01L29/51 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及一种铁电栅极叠层和铁电场效应晶体管及其制备方法，属于微电子技术领域，用以解决现有中铁电场效应晶体管易出现积累翻转问题。所述铁电栅极叠层自下而上包括依次叠加设置的栅氧层、介质薄层、其他栅介质层；其中，所述介质薄层和所述栅氧层之间还设置有铁电层，所述介质薄层与所述其他栅介质层之间还设置有阻变层；或所述介质薄层和所述栅氧层之间还设置有阻变层，所述介质薄层与所述其他栅介质层之间还设置有铁电层，本发明通过在铁电栅极叠层中加入阻变层，使得铁电栅极叠层上的电压小于翻转电压时，不易受周围串扰而积累翻转，达到期望的矫顽电压后，正常开启，削弱积累翻转效应。
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