公开(公告)号：CN117979808A

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202410080823.3

申请日：2024-01-19

Applicant: 中国科学院微电子研究所 ,  广东省大湾区集成电路与系统应用研究院

Inventor： 崔岩 ,  杨承昌 ,  罗军 ,  邹思楠 ,  薛源

IPC: H10N50/10 ,  H10N50/01 ,  H10B61/00

Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造技术领域，尤其是涉及一种双钉扎层STT‑MRAM存储单元及其制备方法、磁性随机存储器和电子设备，包括自下而上依次设置在第一钉扎层、第一参考层、势垒层、自由层、间隔层、第二参考层和第二钉扎层；所述第一钉扎层和所述第二钉扎层均为由多层Co/Pt堆叠构成的pMTJ结反铁磁钉扎层；所述第一参考层和所述第二参考层的磁化方向相反。本发明基于上下双钉扎参考层的MTJ存储单元，不仅可提供双向自旋转移力矩作用，而且不会对TMR值造成影响，有效解决了STT‑MRAM高低阻态写入电流过大导致势垒层易击穿，从而使存储单元MTJ(磁性隧道结)擦写次数受限，极大影响MRAM使用寿命的问题。

公开(公告)号：CN118201368A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202410350062.9

申请日：2024-03-26

Applicant: 中国科学院微电子研究所 ,  北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司

Inventor： 崔岩 ,  杨承昌 ,  罗军 ,  邹思楠 ,  薛源

IPC: H10B61/00 ,  H10N50/10 ,  H10N50/01

Abstract: 本公开提供了一种磁阻随机访问存储单元及其制备方法，存储单元包括：依次堆叠的基板、选通晶体管层、第一绝缘层、N个MTJ单元层，相邻MTJ单元层之间具有层间绝缘层；每个MTJ单元层至少包括底部金属层、磁性隧道结层、顶部金属层和位线金属层，第n个MTJ单元层的位线金属层与第n+1个MTJ单元的底部金属层同层设置并相互绝缘；与选通晶体管层相邻的第1个底部金属层通过贯穿第一绝缘层的第一过孔与选通晶体管层的金属电极电连接，相邻MTJ单元层的底部金属层之间通过贯穿层间绝缘层的层间过孔电连接。本公开在选通晶体管垂直方向集成多个MTJ单元，提高了MTJ单元的集成密度，实现MRAM存储器件高密度三维集成。