公开(公告)号：CN119815828A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202411721894.3

申请日：2024-11-28

Applicant: 中国科学院微电子研究所 ,  广东省大湾区集成电路与系统应用研究院

Inventor： 罗军 ,  何燕萍 ,  许静 ,  陈旭 ,  刘畅 ,  叶甜春

IPC: H10B12/00

Abstract: 本申请公开了一种半导体器件及其制备方法，该半导体器件包括衬底和位线结构，位线结构形成于衬底上，位线结构包括第一部分和第二部分，第二部分位于第一部分背离衬底的一侧，第一部分包括硅化物和碳掺杂物，第二部分包括硅。本申请提供的该半导体器件的位线结构受热后不易退化，热稳定性大大提升，从而使得半导体器件的性能得到显著提升。

公开(公告)号：CN119361533A

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN202411260999.3

申请日：2024-09-10

Applicant: 中国科学院微电子研究所 ,  广东省大湾区集成电路与系统应用研究院

Inventor： 罗军 ,  陈旭 ,  许静 ,  刘畅 ,  何燕萍

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/538 ,  H10D64/23 ,  H10D64/01 ,  H10D30/60

Abstract: 本申请提出一种提高源漏接触热稳定性的工艺方法及MOS器件，其方法包括：提供衬底，衬底上形成有栅区和源/漏区，衬底上还形成具有通孔的介质层，通孔使得源/漏区的表面暴露；对源/漏区进行掺杂；沉积第一金属层，第一金属层覆盖通孔的底部和侧壁以及介质层表面，第一金属层采用高功函数金属；沉积第二金属层，第二金属层覆盖第一金属层；在源/漏区表面形成金属硅化物。本申请提出的工艺方法，保持了源漏接触在不同退火温度下的热稳定性，并使得源漏接触的比接触电阻率降低。