公开(公告)号：CN113625379B

公开(公告)日：2023-09-26

申请号：CN202010374021.5

申请日：2020-05-06

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 高雅增 ,  卢维尔 ,  文庆涛 ,  夏洋 ,  李楠 ,  赵丽莉

IPC分类号： G02B5/18 ,  G02B27/00

摘要： 本发明涉及光学器件技术领域，具体涉及一种菲涅尔波带片的设计方法、制作方法和设计装置。该方法包括：对菲涅尔波带片进行结构建模，获得菲涅尔波带片模型；计算菲涅尔波带片模型在空间内的第一光强分布；确定焦点中心位置；获得菲涅尔波带片模型的衍射效率；判断菲涅尔波带片模型的衍射效率是否满足设计要求；若否，则更新设定结构参数，并重复以上步骤；若是，则将设定结构参数作为优化后的设定结构参数。本发明创新地使用时域有限差分法来搭建真实的菲涅尔波带片模型，模拟出真实的菲涅尔波带片的工作环境，从而仿真出菲涅尔波带片的缺陷对其衍射现象的影响，通过反复的参数调整更新，进而获得了符合设计要求的菲涅耳波带片。

公开(公告)号：CN115707792A

公开(公告)日：2023-02-21

申请号：CN202110950479.5

申请日：2021-08-18

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 屈芙蓉 ,  唐陈丰 ,  仵思笛 ,  夏洋 ,  范天庆 ,  张雨萌 ,  刘涛 ,  卢维尔 ,  李楠

IPC分类号： C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  C23C16/02

摘要： 本发明提供了一种在石墨烯表面沉积高质量Al2O3薄膜的制备方法，其中，方法包括：将石墨烯衬底进行清洗后放入原子层沉积腔室；往所述原子层沉积腔室通入H2O分子进行预处理；分别通入铝前驱体和氧前驱体，进行原子层沉积过程，通过控制不同循环数，得到所需要的薄膜厚度；沉积完成后，将所述原子层沉积腔室的温度降为室温，取出Al2O3薄膜样品。解决了现有技术预处理手段都会对石墨烯表面造成一定的物理破坏或者引入不需要的种子层、官能团以及其他杂质，从而使得石墨烯基器件达不到人们所期望的效果的技术问题。

公开(公告)号：CN113699506B

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202010432624.6

申请日：2020-05-20

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 明帅强 ,  李楠 ,  赵丽莉 ,  何萌 ,  卢维尔 ,  夏洋 ,  文庆涛 ,  高雅增 ,  冷兴龙 ,  李培源 ,  屈芙蓉 ,  刘涛

IPC分类号： C23C16/30 ,  C23C16/455 ,  C23C16/448 ,  C23C16/52

摘要： 本申请公开了一种碘化亚铜薄膜的制备方法，涉及半导体器件技术领域，所述方法包括:在原子层沉积反应腔室中放置衬底，将所述反应腔室抽真空并开始进行加热处理，其中，加热对象包括基底、反应腔室、管路、反应源；所述衬底包括硅、蓝宝石、玻璃中的一种；待所述加热对象稳定在特定温度时，往所述原子层沉积反应腔室内通入铜源0.001‑5s，吹扫1‑180s，通入碘源0.001‑5s，吹扫1‑180s，在所述反应腔室中进行原子层沉积，获得碘化亚铜薄膜；沉积完所述碘化亚铜薄膜后，让所述基底在真空中自然冷却到室温后取出；得到均匀的碘化亚铜薄膜置于真空干燥箱中备用。

公开(公告)号：CN110581095B

公开(公告)日：2021-12-24

申请号：CN201910924228.2

申请日：2019-09-27

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 张永奎 ,  朱慧珑 ,  卢维尔 ,  夏洋 ,  李琳 ,  郭晓龙 ,  尹晓艮 ,  文庆涛

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/02

摘要： 本发明公开了一种刻蚀装置，包括：氧化修饰单元、刻蚀单元、清洁单元、传输单元和控制单元；其中，氧化修饰单元包括：第一腔室，设置在第一腔室内的第一监控组件，以及由第一监控组件进行监控的第一供给组件，第一供给组件与第一腔室连通；氧化修饰单元用于对晶片进行氧化处理；传输单元用于将晶片在第一腔室、第二腔室和第三腔室之间进行转移；控制单元分别与第一监控组件、第二监控组件、第三监控组件和传输单元连接，用于控制第一监控组件、第二监控组件和第三监控组件的工作状态，以及控制传输单元转移晶片。本刻蚀装置可批量进行各种数字化湿法刻蚀，以及能够对不同材料进行高选择性精细化刻蚀。同时，本发明还提供了一种刻蚀方法。

公开(公告)号：CN113699505A

公开(公告)日：2021-11-26

申请号：CN202010431946.9

申请日：2020-05-20

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 明帅强 ,  赵丽莉 ,  李楠 ,  何萌 ,  卢维尔 ,  夏洋 ,  高雅增 ,  文庆涛 ,  李培源 ,  冷兴龙 ,  刘涛 ,  屈芙蓉

IPC分类号： C23C16/30 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52

摘要： 本申请公开了一种掺杂的碘化亚铜薄膜的制备方法，包括:在原子层沉积反应腔室中放置衬底，将所述反应腔室抽真空并开始进行加热处理，其中，加热对象包括基底、反应腔室、管路、反应源；所述衬底包括硅、蓝宝石、玻璃中的一种；待所述加热对象稳定在特定温度时，往所述原子层沉积反应腔室内通入铜源0.001‑5s，吹扫1‑180s，通入碘源0.001‑5s，吹扫1‑180s，往所述反应腔室内通入所述铜源0.001‑5s，吹扫1‑180s，通入掺杂源0.001‑5s，吹扫1‑180s，在反应腔室中进行原子层沉积，获得掺杂的碘化亚铜薄膜，其中，所述杂质源包括氯源、溴源中的一种；沉积完所述掺杂的碘化亚铜薄膜后，让所述基底在真空中自然冷却到室温后取出；得到均匀的掺杂的碘化亚铜薄膜置于真空干燥箱中备用。

公开(公告)号：CN112899646A

公开(公告)日：2021-06-04

申请号：CN201911137327.2

申请日：2019-11-19

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 卢维尔 ,  明帅强 ,  夏洋

IPC分类号： C23C16/30 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52 ,  C23C16/02

摘要： 本发明公开了一种基于乙酰丙酮银制备Ag2S薄膜的方法，通过将硅衬底放置于原子层沉积的反应腔室中，将所述反应腔室抽真空；将乙酰丙酮银与硫粉分别装入原子层沉积设备的固态源加热源瓶内，分别加热所述固态源加热源瓶至第一温度与第二温度，获得乙酰丙酮银蒸汽和硫粉蒸汽；根据第一脉冲时间将乙酰丙酮银蒸汽通入所述反应腔室，用氮气以第一清洗时间清洗所述反应腔室；根据第二脉冲时间将硫粉蒸汽通入所述反应腔室，用所述氮气以第二清洗时间清洗所述反应腔室；所述乙酰丙酮银蒸汽与所述硫粉蒸汽在所述反应腔室中进行原子层沉积，获得第一厚度的硫化银薄膜。达到了硫化银薄膜厚度在单原子层量级的精确可控，能够适合大规模生产的技术效果。

公开(公告)号：CN112558205A

公开(公告)日：2021-03-26

申请号：CN201910921077.5

申请日：2019-09-26

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 文庆涛 ,  卢维尔 ,  夏洋 ,  李楠 ,  赵丽莉 ,  冷兴龙 ,  何萌

IPC分类号： G02B5/18

摘要： 本发明实施例提供的一种菲涅耳波带片的中心结构的制作方法及波带片，所述方法包括：剥除原料光纤外表的涂覆层，获得预备光纤；对所述预备光纤进行拉伸，使所述预备光纤上剥除所述涂覆层的部分的直径达到目标直径范围，获得拉锥结构；基于所述拉锥结构的直径均匀度，在所述拉锥结构上确定至少两个切割位置，对所述切割位置进行切割获得用于制备菲涅耳波带片的中心结构。本发明通过采用原料光纤进行拉伸制备，并在拉伸获得的拉锥结构上基于直径均匀度切割获得中心结构，由此所获得的中心结构表面圆度好、直径均匀、尺寸可控，避免了采用拉模、液体灌注的制作方式容易出现模具内表面磨损、中心结构的尺寸难以控制的问题。

公开(公告)号：CN112551517A

公开(公告)日：2021-03-26

申请号：CN201910913667.3

申请日：2019-09-25

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 节喜 ,  卢维尔 ,  李楠 ,  夏洋

IPC分类号： C01B32/194

摘要： 本发明公开了一种转移金属基底上石墨烯薄膜的方法，通过将带有所述石墨烯薄膜的所述金属基底放置在水槽中的刻蚀液中，对所述金属基底进行完全刻蚀；将所述水槽内的刻蚀液用注射器抽出，并向所述水槽中注入清洗液，对所述石墨烯薄膜和所述保护膜进行多次清洗；将所述清洗液抽出，石墨烯薄膜和保护膜附着转移至目标衬底上，取出目标衬底且对所述目标衬底第一次加热干燥；将加热干燥后的所述目标衬底放在所述水槽的底面，将丙酮溶液注入所述水槽中溶解所述保护膜，将丙酮溶液抽出；取出目标衬底且对所述目标衬底第二次加热干燥，完成所述石墨烯薄膜的转移，实现大面积转移金属基底的石墨烯，降低石墨烯薄膜在转移过程中的破裂的技术效果。

公开(公告)号：CN106783560A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201611229355.3

申请日：2016-12-27

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 卢维尔 ,  夏洋 ,  程嵩 ,  张庆钊 ,  王欢 ,  李楠

IPC分类号： H01L21/04 ,  C01B32/194 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/16

CPC分类号： H01L21/0405 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/1606

摘要： 本发明属于石墨烯修饰技术领域，公开了一种石墨烯化学修饰方法，包括对石墨烯及基底采用脉冲激光直写进行图形化的光化学修饰；对光化学修饰后的石墨烯及基底进行原子层选择性沉积。本发明解决了现有技术不能既对石墨烯进行结构和性能调试，又能直接制备出石墨烯器件的问题。本发明提供的石墨烯化学修饰方法制备工艺简单，能根据需求调制石墨烯的性能和结构，且能更加便捷地制备石墨烯器件，减少了通常石墨烯器件制备中曝光、沉积、刻蚀等复杂的工艺对石墨烯带来的污染和缺陷。

公开(公告)号：CN106756886A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201611227769.2

申请日：2016-12-27

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 卢维尔 ,  夏洋 ,  程嵩 ,  李楠 ,  李超波

IPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/52

CPC分类号： C23C16/45544 ,  C23C16/45557

摘要： 本发明属于原子层沉积技术领域，公开了一种变电场原子层沉积系统的控制方法，包括：上电极板和下电极板、直流电源、控制箱；通过调节直流电源，实现电场大小的切换；控制箱包含继电器、电容、电感、电阻，通过控制继电器端口的断开与相连，实现电场极性的切换；直流电源与控制箱连接，控制箱与上电极板、下电极板连接。解决了现有技术中对原子层沉积进行电场的快速自动化调节研究匮乏的问题。达到了在原子层沉积设备中实现电场极性和大小的快速任意切换，从而提高原子层沉积吸附反应的饱和度、优化薄膜的结晶和掺杂特性的技术效果。