发明公开
- 专利标题: 一种转移金属基底上石墨烯薄膜的方法
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申请号: CN201910913667.3申请日: 2019-09-25
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公开(公告)号: CN112551517A公开(公告)日: 2021-03-26
- 发明人: 节喜 , 卢维尔 , 李楠 , 夏洋
- 申请人: 中国科学院微电子研究所
- 申请人地址: 北京市朝阳区北土城西路3号
- 专利权人: 中国科学院微电子研究所
- 当前专利权人: 中国科学院微电子研究所
- 当前专利权人地址: 北京市朝阳区北土城西路3号
- 代理机构: 北京华沛德权律师事务所
- 代理商 房德权
- 主分类号: C01B32/194
- IPC分类号: C01B32/194
摘要:
本发明公开了一种转移金属基底上石墨烯薄膜的方法,通过将带有所述石墨烯薄膜的所述金属基底放置在水槽中的刻蚀液中,对所述金属基底进行完全刻蚀;将所述水槽内的刻蚀液用注射器抽出,并向所述水槽中注入清洗液,对所述石墨烯薄膜和所述保护膜进行多次清洗;将所述清洗液抽出,石墨烯薄膜和保护膜附着转移至目标衬底上,取出目标衬底且对所述目标衬底第一次加热干燥;将加热干燥后的所述目标衬底放在所述水槽的底面,将丙酮溶液注入所述水槽中溶解所述保护膜,将丙酮溶液抽出;取出目标衬底且对所述目标衬底第二次加热干燥,完成所述石墨烯薄膜的转移,实现大面积转移金属基底的石墨烯,降低石墨烯薄膜在转移过程中的破裂的技术效果。