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公开(公告)号：CN114764192B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202110033950.4
申请日：2021-01-11
申请人： 中国科学院微电子研究所
摘要： 本发明公开了一种多层膜菲涅尔波带片的设计方法及系统，获得第一光源能量信息；获得所述多层膜菲涅尔波带片的应用焦距；获得所述多层膜菲涅尔波带片的分辨率信息；确定菲涅尔波带片的最外环宽度；确定多层膜菲涅尔波带片的半径；确定所述多层膜菲涅尔波带片的环带宽度；获得所述第一光源下菲涅尔波带片衍射效率，根据所述菲涅尔波带片衍射效率确定第一材料和第一厚度范围；根据所述第一材料、第一厚度范围、多层膜菲涅尔波带片的半径、多层膜菲涅尔波带片的环带宽度，构建多层膜菲涅尔波带片的模型。解决了现有技术中对于高分辨率的多层膜菲涅尔波带片的设计方法仍然不够完善，缺少高分辨率多层膜菲涅尔波带片设计方法的技术问题。
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公开(公告)号：CN116313212A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310283475.5
申请日：2023-03-22
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： G21K1/06 , B26F1/31 , C23C16/455 , C23C16/40 , C23C16/30
摘要： 本公开提出了一种X射线膜型波带片的制备方法，包括：在圆柱状的中心衬底的表面使用原子层沉积技术和分子层沉积技术在中心衬底的表面交替沉积第一薄膜材料和第二薄膜材料，形成厚度逐层递减的薄膜环带；使用聚焦离子束切割法对环带进行切割抛光，得到X射线膜型波带片；其中，第一薄膜材料包括明环薄膜材料，第二薄膜材料包括暗环薄膜材料，第一薄膜材料还包括明环掺杂材料和/或第二薄膜材料还包括暗环掺杂材料。本公开还提出了一种X射线膜型波带片结构，包括中心衬底、薄膜环带。
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公开(公告)号：CN116288738A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310270065.7
申请日：2023-03-15
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： C30B35/00
摘要： 本发明公开了一种制作大面积有机单晶阵列的装置，涉及半导体技术领域，装置包括：腔体，腔体具有一腔内空间；置样组件设于腔内空间预设高度；观样组件穿过腔体的第一预设位置设于置样组件的一侧；计算机控制组件和观样组件以及置样组件连接；真空度控制组件和腔体连通；电源控制组件，电源控制组件与置样组件电连接；通过计算机控制组件观察观样组件的样品状态，以及控制置样组件；通过真空度控制组件控制腔内空间的真空度；通过电源控制组件为置样组件提供电能。本发明解决了现有技术中存在通过有机半导体制备工艺所获有机半导体单晶阵列的均匀性较差的技术问题，达到了提高有机半导体单晶阵列制备均匀性的技术效果。
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公开(公告)号：CN116262970A
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202111531697.1
申请日：2021-12-15
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/14 , C23C16/52 , C23C16/56 , C23C16/30
摘要： 本发明公开了一种ALD‑CVD两步法生长二碲化钨薄膜的方法，其中，所述方法包括：用无水乙醇超声清洗蓝宝石衬底，氮气吹干；以六氟化钨和乙硅烷作为前驱体，在所述蓝宝石衬底上采用原子层沉积法生长钨薄膜；切割并用无水乙醇超声清洗长有钨膜的所述蓝宝石衬底，烘干；以钨粉为原料，采用化学气相沉积法对所述钨膜进行碲化，完成二碲化钨薄膜的生长。解决了现有技术中在制备钨薄膜过程中，无法准确控制制备厚度的技术问题。
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公开(公告)号：CN112899646B
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN201911137327.2
申请日：2019-11-19
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： C23C16/30 , C23C16/455 , C23C16/52 , C23C16/02
摘要： 本发明公开了一种基于乙酰丙酮银制备Ag2S薄膜的方法，通过将硅衬底放置于原子层沉积的反应腔室中，将所述反应腔室抽真空；将乙酰丙酮银与硫粉分别装入原子层沉积设备的固态源加热源瓶内，分别加热所述固态源加热源瓶至第一温度与第二温度，获得乙酰丙酮银蒸汽和硫粉蒸汽；根据第一脉冲时间将乙酰丙酮银蒸汽通入所述反应腔室，用氮气以第一清洗时间清洗所述反应腔室；根据第二脉冲时间将硫粉蒸汽通入所述反应腔室，用所述氮气以第二清洗时间清洗所述反应腔室；所述乙酰丙酮银蒸汽与所述硫粉蒸汽在所述反应腔室中进行原子层沉积，获得第一厚度的硫化银薄膜。达到了硫化银薄膜厚度在单原子层量级的精确可控，能够适合大规模生产的技术效果。
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公开(公告)号：CN115201585A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202110390536.9
申请日：2021-04-12
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： G01R29/12
摘要： 本发明公开了一种MEMS谐振式电场传感器灵敏度漂移补偿方法，通过改变外部电场，测定在第一工作频率下所述MEMS谐振式电场传感器的输出信息；根据所述外部电场值、所述第一输出信息，计算获得灵敏度系数；设定外部电场为零时，测定不同工作条件下所述MEMS谐振式电场传感器的输出信息，获得第二输出信息；根据所述灵敏度系数、所述第二输出信息，计算获得交流串扰噪声电压、内部静电场强度；利用所述灵敏度系数、交流串扰噪声电压、内部静电场强度进行同步修正补偿，获得外部电场强度，解决了现有技术中存在MEMS谐振式电场传感器受到其他因素影响导致灵敏度发生漂移的技术问题。
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公开(公告)号：CN113699505B
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202010431946.9
申请日：2020-05-20
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： C23C16/30 , C23C16/455 , C23C16/52
摘要： 本申请公开了一种掺杂的碘化亚铜薄膜的制备方法，包括:在原子层沉积反应腔室中放置衬底，将所述反应腔室抽真空并开始进行加热处理，其中，加热对象包括基底、反应腔室、管路、反应源；所述衬底包括硅、蓝宝石、玻璃中的一种；待所述加热对象稳定在特定温度时，往所述原子层沉积反应腔室内通入铜源0.001‑5s，吹扫1‑180s，通入碘源0.001‑5s，吹扫1‑180s，往所述反应腔室内通入所述铜源0.001‑5s，吹扫1‑180s，通入掺杂源0.001‑5s，吹扫1‑180s，在反应腔室中进行原子层沉积，获得掺杂的碘化亚铜薄膜，其中，所述杂质源包括氯源、溴源中的一种；沉积完所述掺杂的碘化亚铜薄膜后，让所述基底在真空中自然冷却到室温后取出；得到均匀的掺杂的碘化亚铜薄膜置于真空干燥箱中备用。
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公开(公告)号：CN113772620A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202010525014.0
申请日：2020-06-10
申请人： 中国科学院微电子研究所
摘要： 本申请公开了一种图案化有机半导体的制备方法及形变拉伸测试方法，通过制备图案化硅柱以及镀铜膜的硅片；对所述图案化硅柱侧壁化学修饰，使所述图案化硅柱达到侧壁疏水顶端亲水状态；退浸润过程发生，毛细液桥自组织装使图案化微纳阵列结构生长在铜膜上；利用化学反应去除所述铜膜，将图案转移到柔性衬底上，获得图案化有机半导体。利用毛细液桥制备的图案化阵列高质量且长程有序，并且这种转移方法操作简单，在柔性衬底上具有优异的拉伸形变，为可穿戴领域的发展提供了新的应用前景。
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公开(公告)号：CN113699506A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202010432624.6
申请日：2020-05-20
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： C23C16/30 , C23C16/455 , C23C16/448 , C23C16/52
摘要： 本申请公开了一种碘化亚铜薄膜的制备方法，涉及半导体器件技术领域，所述方法包括:在原子层沉积反应腔室中放置衬底，将所述反应腔室抽真空并开始进行加热处理，其中，加热对象包括基底、反应腔室、管路、反应源；所述衬底包括硅、蓝宝石、玻璃中的一种；待所述加热对象稳定在特定温度时，往所述原子层沉积反应腔室内通入铜源0.001‑5s，吹扫1‑180s，通入碘源0.001‑5s，吹扫1‑180s，在所述反应腔室中进行原子层沉积，获得碘化亚铜薄膜；沉积完所述碘化亚铜薄膜后，让所述基底在真空中自然冷却到室温后取出；得到均匀的碘化亚铜薄膜置于真空干燥箱中备用。
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公开(公告)号：CN113029070A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN201911352194.0
申请日：2019-12-25
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： G01B21/08 , C23C16/455
摘要： 本发明公开了一种监测原子层沉积薄膜生长厚度的方法，涉及半导体技术领域，通过将称重模块放置在衬底的下方，测量所述衬底的原始质量和所述衬底的原始表面积；将第一前驱体通入所述真空腔室反应结束，测量所述衬底的第一质量，用第一惰性气体吹扫所述真空腔室测量所述衬底的第二质量；将第二前驱体通入所述真空腔室反应结束，测量所述衬底的第三质量，用所述第一惰性气体吹扫所述真空腔室获得原子层沉积薄膜，测量所述衬底的第四质量；根据所述原子层沉积薄膜的密度计算所述原子层沉积薄膜的第一厚度，达到了采用在线测量衬底质量变化，更精确的测出衬底各处的薄膜厚度，保证器件整体具有良好包覆性的技术效果。
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