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公开(公告)号：CN113830725A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202010515854.9
申请日：2020-06-08
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 中国科学院理化技术研究所
摘要： 本发明公开了基于柔性衬底的有机半导体阵列转移方法，根据预设阵列形式，制备获得包括硅柱阵列的硅片；对所述硅柱进行表面处理，使所述硅柱的表面顶端亲水且侧壁疏水；在表面处理后的所述硅柱的顶端表面覆盖有机半导体溶液；将中间衬底镀有金属薄膜的表面与覆盖有机半导体溶液的所述顶端表面贴合后进行处理，使所述有机半导体溶液自组装在所述金属薄膜的表面，在所述金属薄膜的表面形成半导体阵列；然后，将所述半导体阵列转移到柔性衬底上。该方法通过中间衬底上的金属薄膜为中间媒介，解决了柔性衬底不耐高温不能直接作为衬底制备有机微纳阵列的问题，从而提供了一种新的有机半导体阵列制备方法。
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公开(公告)号：CN112824560A
公开(公告)日：2021-05-21
申请号：CN201911138095.2
申请日：2019-11-20
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/458
摘要： 本发明公开了一种制备薄膜材料的样品台和方法，通过本体；第一硅片，所述第一硅片为第一尺寸的圆形硅片，且所述第一硅片设置在所述本体的上表面；第二硅片，所述第二硅片设置在所述第一硅片的下方，且所述第二硅片为第二尺寸的圆形硅片，其中，所述第二硅片与所述第一硅片属于嵌套结构，在所述第二硅片的圆弧四周分别具有一矩形孔；限位条，所述限位条穿过所述本体与所述矩形孔相匹配，解决了现有技术中缺乏有效的原位实时监测手段，样品难以固定以配合设备运动，导致样品存在移位可能性的技术问题，达到了样品台适用于多种尺寸的样品，对不同尺寸的样品起到良好的限位和固定作用，样品能够随设备升降及旋转，实现设备的原位监测功能的技术效果。
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公开(公告)号：CN104752633A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201310753312.5
申请日：2013-12-31
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H01L51/56
CPC分类号： H01L51/56 , C23C16/44 , C23C16/513 , H01L51/5256
摘要： 本发明涉及一种薄膜封装方法，包括如下步骤：通过PECVD方法沉积有机功能层；通过PECVD方法沉积无机功能层；通过ALD方法沉积无机功能层；沉积包括若干有机功能层和若干无机功能层结构的薄膜。该方法同时采用PECVD方法和ALD方法，使本发明兼具PECVD方法可快速沉积的优势以及ALD方法可沉积高质量薄膜的优势，实现了快速沉积较高质量的薄膜。
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公开(公告)号：CN117353688A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202210754055.6
申请日：2022-06-28
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H03H3/02
摘要： 本发明公开了一种高阶模态的石英晶体谐振器加工方法及装置，涉及石英晶体谐振器加工领域。所述方法包括：在石英晶片上下表面沉积第一预设厚度范围的第一金属、第二预设厚度范围的第二金属；获得下层电极；去除下层电极表面的光刻胶，在上下表面第三预设厚度范围的绝缘材料构成绝缘层；对石英晶片进行光刻；石英晶片上下表面沉积第四预设厚度范围的第一金属、第五预设厚度范围的第二金属；获得初级石英谐振器；对其进行第六预设厚度范围的第二金属蒸镀，完成石英晶体谐振器装置的加工。解决了现有技术中存在针对高阶模态的石英晶体谐振器的电势分布复杂，导致难以布置电极，进而造成在单一平面内交错电路无法布局的技术问题。
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公开(公告)号：CN113739918B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202010464914.9
申请日：2020-05-27
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： G01J3/447 , G01J3/45 , G01J3/02 , G01N21/359 , G01N21/21
摘要： 一种保偏反射式近红外傅里叶变换偏振光谱仪，包括：激光干涉子系统及其探测单元、白光干涉子系统及其探测单元；所述激光干涉子系统及其探测单元，包括激光器、动镜、保偏反射聚焦模块、分束器和激光探测器；所述白光干涉子系统及其探测单元，包括白光光源、滤波片、斩波器、第一聚焦元件、第一偏振器、动镜、第二聚焦元件、分束器、第二偏振器、保偏反射聚焦模块、探测器、锁相放大器。本发明采用的曲面反射元件具有光焦度，不会产生色差，同时可在较宽光谱范围内保证高反射率。
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公开(公告)号：CN115704910A
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202110942190.9
申请日：2021-08-17
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： G01T3/08
摘要： 本发明公开了一种用于半导体中子探测器的微结构，其中，所述微结构包括：半导体衬底；若干个沟槽，所述若干个沟槽均匀排列在所述半导体衬底上，所述沟槽包括：若干立柱，所述若干立柱均匀分布在所述半导体衬底上，其中，每相邻两个所述立柱构成一个所述沟槽，且所述沟槽侧壁沿竖直方向依次排布多个曲面结构；中子反应材料，所述中子反应材料填充在所述沟槽中。通过增大中子反应材料的填充量，实现了提高半导体中子探测器的探测效率的技术效果。
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公开(公告)号：CN113621942A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202010375991.7
申请日：2020-05-06
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/40 , C23C16/52
摘要： 本发明公开了一种铝掺杂氧化镓膜的制备方法，通过在沉积腔室内的加热基片上采用原子层沉积技术进行复合沉积，获得铝掺杂氧化镓膜。首先设定满足对氧化镓掺铝的条件：沉积腔室内的温度为50‑400℃，压强为0.01‑0.5torr；在此基础上，在加热基片上，按照第一预设循环次数与第二预设循环次数，交替执行第一沉积过程和第二沉积过程，通过原子层单层循环生长时对镓源、铝源和氧源的通入时间的精确控制(镓源的通入时间为0.001‑5s，氧源的通入时间为1‑20s，铝源的通入时间为0.001‑5s)，可实现铝掺杂比例的精确控制，从而获得具有精确禁带宽度的铝掺杂氧化镓膜。
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公开(公告)号：CN112899653A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN201911136184.3
申请日：2019-11-19
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： C23C16/455
摘要： 本发明公开了一种高温原子层沉积装置和方法，通过腔室，所述腔室为柱状管式腔体结构；第一管路，所述第一管路与所述腔室的一端连通，且所述第一管路通入第一前驱体进入所述腔室；第二管路，所述第二管路与所述腔室的一端连通，且所述第二管路通入第二前驱体进入所述腔室；马弗炉，所述马弗炉设置在所述腔室的外侧；抽真空管路，所述抽真空管路的一端与所述腔室的另一端连通。解决现有技术中原子层沉积设备腔室为金属且腔体较大，对于腔室的升温和降温速度缓慢，不适宜活性较低的原子层沉积前驱体的技术问题，达到了前驱体气流的单向流动，缩短工艺吹扫时间，腔室快速升温与降温，实现控温沉积或高温退火，提高所沉积薄膜的结晶性的技术效果。
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公开(公告)号：CN114764192B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202110033950.4
申请日：2021-01-11
申请人： 中国科学院微电子研究所
摘要： 本发明公开了一种多层膜菲涅尔波带片的设计方法及系统，获得第一光源能量信息；获得所述多层膜菲涅尔波带片的应用焦距；获得所述多层膜菲涅尔波带片的分辨率信息；确定菲涅尔波带片的最外环宽度；确定多层膜菲涅尔波带片的半径；确定所述多层膜菲涅尔波带片的环带宽度；获得所述第一光源下菲涅尔波带片衍射效率，根据所述菲涅尔波带片衍射效率确定第一材料和第一厚度范围；根据所述第一材料、第一厚度范围、多层膜菲涅尔波带片的半径、多层膜菲涅尔波带片的环带宽度，构建多层膜菲涅尔波带片的模型。解决了现有技术中对于高分辨率的多层膜菲涅尔波带片的设计方法仍然不够完善，缺少高分辨率多层膜菲涅尔波带片设计方法的技术问题。
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公开(公告)号：CN113699505B
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202010431946.9
申请日：2020-05-20
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： C23C16/30 , C23C16/455 , C23C16/52
摘要： 本申请公开了一种掺杂的碘化亚铜薄膜的制备方法，包括:在原子层沉积反应腔室中放置衬底，将所述反应腔室抽真空并开始进行加热处理，其中，加热对象包括基底、反应腔室、管路、反应源；所述衬底包括硅、蓝宝石、玻璃中的一种；待所述加热对象稳定在特定温度时，往所述原子层沉积反应腔室内通入铜源0.001‑5s，吹扫1‑180s，通入碘源0.001‑5s，吹扫1‑180s，往所述反应腔室内通入所述铜源0.001‑5s，吹扫1‑180s，通入掺杂源0.001‑5s，吹扫1‑180s，在反应腔室中进行原子层沉积，获得掺杂的碘化亚铜薄膜，其中，所述杂质源包括氯源、溴源中的一种；沉积完所述掺杂的碘化亚铜薄膜后，让所述基底在真空中自然冷却到室温后取出；得到均匀的掺杂的碘化亚铜薄膜置于真空干燥箱中备用。
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