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公开(公告)号：CN113830725A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202010515854.9
申请日：2020-06-08
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 中国科学院理化技术研究所
摘要： 本发明公开了基于柔性衬底的有机半导体阵列转移方法，根据预设阵列形式，制备获得包括硅柱阵列的硅片；对所述硅柱进行表面处理，使所述硅柱的表面顶端亲水且侧壁疏水；在表面处理后的所述硅柱的顶端表面覆盖有机半导体溶液；将中间衬底镀有金属薄膜的表面与覆盖有机半导体溶液的所述顶端表面贴合后进行处理，使所述有机半导体溶液自组装在所述金属薄膜的表面，在所述金属薄膜的表面形成半导体阵列；然后，将所述半导体阵列转移到柔性衬底上。该方法通过中间衬底上的金属薄膜为中间媒介，解决了柔性衬底不耐高温不能直接作为衬底制备有机微纳阵列的问题，从而提供了一种新的有机半导体阵列制备方法。
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公开(公告)号：CN113804646B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202010540000.6
申请日：2020-06-12
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： G01N21/359 , G01J3/447 , G01J3/02
摘要： 一种近红外傅里叶变换偏振光谱仪，包括：激光干涉子系统及其探测单元、白光干涉子系统及其探测单元；所述激光干涉子系统及其探测单元包括激光器、分束器、动镜、探测器和传感器；所述白光干涉子系统及其探测单元包括光源、滤波片、斩波器、光阑、偏振器、补偿器、曲面反射镜、聚焦组件和锁相放大器。本发明使用偏振器，进行各向异性特征样品的红外光谱测量。在光路中加入精密针孔，限制光斑尺寸，滤去杂散光，探测光再经聚焦于探测器时可获得高对比度干涉图。
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公开(公告)号：CN113625379B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202010374021.5
申请日：2020-05-06
申请人： 中国科学院微电子研究所
摘要： 本发明涉及光学器件技术领域，具体涉及一种菲涅尔波带片的设计方法、制作方法和设计装置。该方法包括：对菲涅尔波带片进行结构建模，获得菲涅尔波带片模型；计算菲涅尔波带片模型在空间内的第一光强分布；确定焦点中心位置；获得菲涅尔波带片模型的衍射效率；判断菲涅尔波带片模型的衍射效率是否满足设计要求；若否，则更新设定结构参数，并重复以上步骤；若是，则将设定结构参数作为优化后的设定结构参数。本发明创新地使用时域有限差分法来搭建真实的菲涅尔波带片模型，模拟出真实的菲涅尔波带片的工作环境，从而仿真出菲涅尔波带片的缺陷对其衍射现象的影响，通过反复的参数调整更新，进而获得了符合设计要求的菲涅耳波带片。
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公开(公告)号：CN113699506B
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202010432624.6
申请日：2020-05-20
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： C23C16/30 , C23C16/455 , C23C16/448 , C23C16/52
摘要： 本申请公开了一种碘化亚铜薄膜的制备方法，涉及半导体器件技术领域，所述方法包括:在原子层沉积反应腔室中放置衬底，将所述反应腔室抽真空并开始进行加热处理，其中，加热对象包括基底、反应腔室、管路、反应源；所述衬底包括硅、蓝宝石、玻璃中的一种；待所述加热对象稳定在特定温度时，往所述原子层沉积反应腔室内通入铜源0.001‑5s，吹扫1‑180s，通入碘源0.001‑5s，吹扫1‑180s，在所述反应腔室中进行原子层沉积，获得碘化亚铜薄膜；沉积完所述碘化亚铜薄膜后，让所述基底在真空中自然冷却到室温后取出；得到均匀的碘化亚铜薄膜置于真空干燥箱中备用。
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公开(公告)号：CN113699505A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202010431946.9
申请日：2020-05-20
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： C23C16/30 , C23C16/455 , C23C16/52
摘要： 本申请公开了一种掺杂的碘化亚铜薄膜的制备方法，包括:在原子层沉积反应腔室中放置衬底，将所述反应腔室抽真空并开始进行加热处理，其中，加热对象包括基底、反应腔室、管路、反应源；所述衬底包括硅、蓝宝石、玻璃中的一种；待所述加热对象稳定在特定温度时，往所述原子层沉积反应腔室内通入铜源0.001‑5s，吹扫1‑180s，通入碘源0.001‑5s，吹扫1‑180s，往所述反应腔室内通入所述铜源0.001‑5s，吹扫1‑180s，通入掺杂源0.001‑5s，吹扫1‑180s，在反应腔室中进行原子层沉积，获得掺杂的碘化亚铜薄膜，其中，所述杂质源包括氯源、溴源中的一种；沉积完所述掺杂的碘化亚铜薄膜后，让所述基底在真空中自然冷却到室温后取出；得到均匀的掺杂的碘化亚铜薄膜置于真空干燥箱中备用。
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公开(公告)号：CN113620236A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202010375402.5
申请日：2020-05-06
申请人： 中国科学院微电子研究所
摘要： 本发明公开了一种有机半导体材料的阵列制备方法，根据预设阵列形式，制备获得包括硅柱阵列的硅片；对所述硅柱的表面进行化学修饰，使所述硅柱的表面达到超疏水状态；在真空条件下对有机半导体材料进行热蒸发，使所述有机半导体材料的有机分子在处于超疏水状态的所述硅柱顶部表面结晶，在所述硅柱顶部表面形成预设厚度的有机半导体材料样品；将所述硅片的形成所述有机半导体材料样品转移到所述基底上，在所述基底上获得具有所述预设阵列形式的有机半导体材料阵列。一方面，由于采用热蒸镀的方法，因此，特别适用于难以液相微纳加工的有机半导体材料；另一方面，采用超疏水处理的硅柱表面结晶并平行转移的方式，保证阵列的微纳加工质量。
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公开(公告)号：CN113452335A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202010224337.6
申请日：2020-03-26
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H03H3/007
摘要： 本公开提供了一种石英晶体谐振器的加工方法，包括：S1，在石英晶片的第一表面和第二表面依次沉积多层金属并在最外侧表面涂覆光刻胶，其中，第一表面和第二表面为石英晶片上相对的两表面；S2，对步骤S1得到的第一表面和第二表面进行光刻，以形成第一表面电极和第二表面电极的光刻胶图形；S3，刻蚀第一表面和第二表面的金属层，生成第一表面电极和第二表面电极；S4，激光切割步骤S3得到的结构，以得到至少一个初级石英晶体谐振器；S5，蒸镀初级石英晶体谐振器的其他两表面，以生成石英晶体谐振器的侧壁电极。解决了湿法刻蚀加工石英晶片所带来的横向刻蚀、侧壁垂直度及粗糙度较差等问题，提高了加工精度、降低了加工成本。
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公开(公告)号：CN112558205A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN201910921077.5
申请日：2019-09-26
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： G02B5/18
摘要： 本发明实施例提供的一种菲涅耳波带片的中心结构的制作方法及波带片，所述方法包括：剥除原料光纤外表的涂覆层，获得预备光纤；对所述预备光纤进行拉伸，使所述预备光纤上剥除所述涂覆层的部分的直径达到目标直径范围，获得拉锥结构；基于所述拉锥结构的直径均匀度，在所述拉锥结构上确定至少两个切割位置，对所述切割位置进行切割获得用于制备菲涅耳波带片的中心结构。本发明通过采用原料光纤进行拉伸制备，并在拉伸获得的拉锥结构上基于直径均匀度切割获得中心结构，由此所获得的中心结构表面圆度好、直径均匀、尺寸可控，避免了采用拉模、液体灌注的制作方式容易出现模具内表面磨损、中心结构的尺寸难以控制的问题。
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公开(公告)号：CN101922046B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010269027.2
申请日：2010-09-01
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H05H1/02
摘要： 本发明涉及半导体处理技术和设备领域，具体涉及一种等离子体浸没注入装置，包括气源、功率源、工作腔室、基片台和真空系统，所述基片台上方设有栅电极。本发明通过在现有装置中增加栅电极，使基片台上方特别是基片上方的电场分布变成了两个平行板之间的电场分布；当栅电极接地时，基片上方的偏压电场分布垂直于基片表面，平行且均匀，使得穿过栅电极的离子在电场加速下垂直注入到基片中，而不存在注入离子聚焦效应，从而可以使离子注入均匀。
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公开(公告)号：CN101798682A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200910077627.6
申请日：2009-02-09
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： C23C16/44
摘要： 本发明公开了一种采用非自限制生长机理沉积纳米叠层复合薄膜的方法，该方法包括：步骤1、向反应室中引入第一类前驱物，以非自限制的方式沉积第一层薄膜；步骤2、排空第一类前驱物；步骤3、向反应室中引入第二类前驱物，以非自限制的方式沉积第二层薄膜；步骤4、排空第二类前驱物；步骤5、向反应室中引入第三类前驱物，以非自限制的方式沉积第三层薄膜；步骤6、排空第三类前驱物；步骤7、继续以上步骤，依次沉积第四层至第N层薄膜，直到薄膜生长完成为止，N为自然数。本发明采用脉冲控制的非自限制生长原理生长纳米叠层复合薄膜，生长速度快，台阶覆盖能力强，且对多层薄膜组分的控制能力强，可用于多层叠层纳米复合薄膜的快速生长。
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