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公开(公告)号：CN113739919B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202010464915.3
申请日：2020-05-27
申请人： 中国科学院微电子研究所
摘要： 一种反射式近场光学偏振光谱仪，包括：入射光发生模块、探针扫描显微模块和出射光检测模块，其中，探测光在入射光发生模块中经过整形和调制，发出不同偏振状态的探测光，入射光束聚焦至探针扫描显微模块的探针针尖上，探测光与探针针尖和样品表面构成的微纳空间结构相互作用，偏振状态发生变化，然后该光束的反射光/散射光由出射光检测模块收集后进行整形聚焦。本发明能够实现纳米级的超高横向空间分辨率，满足半导体关键器件对纳米级尺寸精确测量需求；可避免因使用透镜元件产生色差而造成的离焦问题；同时可通过保偏结构保证探测光经调制后的偏振态在经反射元件反射后到达探针时保持不变；并且具有与样品非接触、对样品无破坏性等优点。
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公开(公告)号：CN113739920A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202010464978.9
申请日：2020-05-27
申请人： 中国科学院微电子研究所
摘要： 一种近场光学偏振光谱仪，包括入射光发生模块，探针扫描显微模块和出射光检测模块，其中，入射光发生模块发出不同偏振状态的探测光，入射光束入射至探针扫描显微模块的探针针尖上，探测光与探针针尖和样品表面构成的微纳空间结构相互作用，偏振状态发生变化，然后该光束的散射光、透射光或反射光由出射光检测模块收集，通过对出射光偏振状态的解调获得相互作用中偏振态产生的变化信息，对该信息进行反演计算，就能够获得被测样品的相关信息。本发明能够实现纳米级的超高横向空间分辨率，满足半导体关键器件对纳米级尺寸精确测量需求，同时具有与样品非接触、对样品无破坏性等优点。
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公开(公告)号：CN113739919A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202010464915.3
申请日：2020-05-27
申请人： 中国科学院微电子研究所
摘要： 一种反射式近场光学偏振光谱仪，包括：入射光发生模块、探针扫描显微模块和出射光检测模块，其中，探测光在入射光发生模块中经过整形和调制，发出不同偏振状态的探测光，入射光束聚焦至探针扫描显微模块的探针针尖上，探测光与探针针尖和样品表面构成的微纳空间结构相互作用，偏振状态发生变化，然后该光束的反射光/散射光由出射光检测模块收集后进行整形聚焦。本发明能够实现纳米级的超高横向空间分辨率，满足半导体关键器件对纳米级尺寸精确测量需求；可避免因使用透镜元件产生色差而造成的离焦问题；同时可通过保偏结构保证探测光经调制后的偏振态在经反射元件反射后到达探针时保持不变；并且具有与样品非接触、对样品无破坏性等优点。
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公开(公告)号：CN117353688A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202210754055.6
申请日：2022-06-28
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H03H3/02
摘要： 本发明公开了一种高阶模态的石英晶体谐振器加工方法及装置，涉及石英晶体谐振器加工领域。所述方法包括：在石英晶片上下表面沉积第一预设厚度范围的第一金属、第二预设厚度范围的第二金属；获得下层电极；去除下层电极表面的光刻胶，在上下表面第三预设厚度范围的绝缘材料构成绝缘层；对石英晶片进行光刻；石英晶片上下表面沉积第四预设厚度范围的第一金属、第五预设厚度范围的第二金属；获得初级石英谐振器；对其进行第六预设厚度范围的第二金属蒸镀，完成石英晶体谐振器装置的加工。解决了现有技术中存在针对高阶模态的石英晶体谐振器的电势分布复杂，导致难以布置电极，进而造成在单一平面内交错电路无法布局的技术问题。
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公开(公告)号：CN113620236A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202010375402.5
申请日：2020-05-06
申请人： 中国科学院微电子研究所
摘要： 本发明公开了一种有机半导体材料的阵列制备方法，根据预设阵列形式，制备获得包括硅柱阵列的硅片；对所述硅柱的表面进行化学修饰，使所述硅柱的表面达到超疏水状态；在真空条件下对有机半导体材料进行热蒸发，使所述有机半导体材料的有机分子在处于超疏水状态的所述硅柱顶部表面结晶，在所述硅柱顶部表面形成预设厚度的有机半导体材料样品；将所述硅片的形成所述有机半导体材料样品转移到所述基底上，在所述基底上获得具有所述预设阵列形式的有机半导体材料阵列。一方面，由于采用热蒸镀的方法，因此，特别适用于难以液相微纳加工的有机半导体材料；另一方面，采用超疏水处理的硅柱表面结晶并平行转移的方式，保证阵列的微纳加工质量。
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公开(公告)号：CN113452335A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202010224337.6
申请日：2020-03-26
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H03H3/007
摘要： 本公开提供了一种石英晶体谐振器的加工方法，包括：S1，在石英晶片的第一表面和第二表面依次沉积多层金属并在最外侧表面涂覆光刻胶，其中，第一表面和第二表面为石英晶片上相对的两表面；S2，对步骤S1得到的第一表面和第二表面进行光刻，以形成第一表面电极和第二表面电极的光刻胶图形；S3，刻蚀第一表面和第二表面的金属层，生成第一表面电极和第二表面电极；S4，激光切割步骤S3得到的结构，以得到至少一个初级石英晶体谐振器；S5，蒸镀初级石英晶体谐振器的其他两表面，以生成石英晶体谐振器的侧壁电极。解决了湿法刻蚀加工石英晶片所带来的横向刻蚀、侧壁垂直度及粗糙度较差等问题，提高了加工精度、降低了加工成本。
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