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公开(公告)号：CN118053901A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202311667149.0
申请日：2023-12-06
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/778 , H01L23/552 , H01L21/335
Abstract: 本发明提供了一种宽禁带半导体器件及制备方法，该宽禁带半导体器件包括：衬底；位于衬底一侧的外延层；位于衬底与外延层之间的P型层；其中，P型层中具有空穴，当单粒子入射到该宽禁带半导体器件中后，外延层中会产生大量的非平衡载流子，从而产生极高的电流脉冲，P型层中的空穴会消耗外延层产生的非平衡载流子，从而降低电流脉冲的强度，进一步的抑制单粒子烧毁效应的发生。
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公开(公告)号：CN117497385A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202210881272.1
申请日：2022-07-26
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明实施例提供了一种场发射单光子源及其制备方法，其中，制备方法包括：在预制衬底表面涂覆电子束敏感材料，并基于预设平面蚀刻参数对电子束敏感材料进行蚀刻形成图案层，接着，在除图案层之外的区域电沉积金属形成掩膜层，这样就能够根据预设三维蚀刻参数，在除掩膜层之外的区域蚀刻预制衬底，形成一个或多个凸起结构，并通过在一个或多个凸起结构表面贴附二维材料形成阴极。另一方面，利用二维材料和六方氮化硼形成与一个或多个凸起结构相对且间隔的集电极，从而制备得到场发射单光子源。得益于二维材料的逸出功较低、容易发射电子的特性，能够用电驱动代替光驱动，解决了超宽带隙下光驱动难以集成的问题。
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公开(公告)号：CN114577727A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210249155.3
申请日：2022-03-14
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供了一种二次谐波表征光学系统及基于二次谐波表征的检测装置，该二次谐波表征光学系统通过在起偏器与第一物镜之间的光路上增加光束整形模块，将高斯光束的偏振基频光整形为平顶光束的偏振基频光，再经过第一物镜聚焦为符合测试要求的基频光，并将基频光入射到待检测样品。与现有技术中入射到晶圆表面的基频光为高斯光束的方式相比，本申请使入射到待检测样品表面的基频光的光斑内部光强均匀，从而使光斑内部可以均匀的产生二次谐波信号，进而提高二次谐波表征待检测样品缺陷的精度。
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公开(公告)号：CN114577726A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210249154.9
申请日：2022-03-14
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供了一种二次谐波表征方法、基于其的表征光学系统及检测装置，该二次谐波表征方法在待检测样品表面选取扫描点位之后，通过调谐基频光的波长从第一设定波长连续调谐至第二设定波长，且在每次调谐基频光的波长之后，均向扫描点位入射波长调谐后的基频光，并收集根据波长调谐后的基频光产生的二次谐波信号；然后根据收集的二次谐波信号，绘制二次谐波信号非线性光谱。通过二次谐波信号非线性光谱，能够得出该扫描点位在此扫描过程中的不同缺陷类型、不同缺陷类型的缺陷能级、以及不同缺陷类型所对应的基频光波长。并利用二次谐波对较低缺陷密度进行有效表征，且能够有针对性的提取待检测样品的相关参数，缩短提取器件相关参数耗时。
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公开(公告)号：CN114577725A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210249114.4
申请日：2022-03-14
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供了一种二次谐波表征光学系统和基于二次谐波表征的检测装置，该二次谐波表征光学系统通过增加Z向随动模块和Z向测高模块，由Z向测高模块获取待检测样品表面不同位置处的高度信息；在XY面运动模块带动待检测样品在XY面扫描的过程中，Z向随动模块根据待检测样品表面不同位置处的高度信息，Z向调节样品台，以使基频光始终聚焦在待检测样品表面。从而克服由于待检测样品表面由于微观上呈凸凹不平的波动曲面，而导致的基频光不能始终聚焦在待检测样品表面的现象；提高SHG出射信号所携带的缺陷信息的准确性，从而提高基于二次谐波表征方法对待检测样品检测的表征精度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114577727B
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202210249155.3
申请日：2022-03-14
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供了一种二次谐波表征光学系统及基于二次谐波表征的检测装置，该二次谐波表征光学系统通过在起偏器与第一物镜之间的光路上增加光束整形模块，将高斯光束的偏振基频光整形为平顶光束的偏振基频光，再经过第一物镜聚焦为符合测试要求的基频光，并将基频光入射到待检测样品。与现有技术中入射到晶圆表面的基频光为高斯光束的方式相比，本申请使入射到待检测样品表面的基频光的光斑内部光强均匀，从而使光斑内部可以均匀的产生二次谐波信号，进而提高二次谐波表征待检测样品缺陷的精度。
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公开(公告)号：CN119447116A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202310943662.1
申请日：2023-07-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本申请提供了一种静电放电防护器件及静电放电防护电路，该静电放电防护器件，包括：第一电极；位于所述第一电极一侧表面的功能层，所述功能层在电压的作用下，能在高阻态和低阻态之间转换；第二电极，位于所述功能层背离所述第一电极的一侧表面。该静电放电防护器件通常与主电路并联连接，由于静电放电防护器件中的相变或阻变结构，在主电路正常工作时，电阻较高，不会影响主电路的正常功能。在主电路受到ESD脉冲时，该半导体器件中相变或阻变结构的电阻会迅速下降，从而将主电路中的ESD脉冲泄放掉，从而降低了对主电路中的器件的损伤。
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公开(公告)号：CN114577728A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210249176.5
申请日：2022-03-14
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供了一种二次谐波表征光学系统和基于二次谐波表征的检测装置，该二次谐波表征光学系统通过使起偏器和检偏器均定轴旋转，分别驱动起偏器和检偏器进行多次旋转，在每次旋转过程中，起偏器被旋转到Ai位置以改变基频光的偏振态的同时，检偏器被旋转到与Ai位置对应的Bi位置，使依赖于Ai位置起偏器形成的基频光，经待检测样品产生的二次谐波信号能够收集于探测器内，获得Ai位置起偏器对应偏振依赖的二次谐波信号。在检测待检测样品的晶型和晶向时，可以通过多次旋转起偏器的过程中使检偏器配合联动，获取偏振依赖的二次谐波信号的周期，利用偏振依赖的二次谐波信号直接判断待检测样品的晶向和晶型，简化设备结构，降低成本。
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公开(公告)号：CN116825735A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310900074.X
申请日：2023-07-20
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L23/467 , H01L23/473 , H01L23/00 , H01L23/373 , H01L21/48 , H01L21/18 , H01L21/50
Abstract: 本发明公开一种半导体衬底结构、异质集成封装结构及其制造方法，涉及半导体技术领域，以解决异质晶圆和半导体衬底键合时容易产生缺陷、气泡和破裂的问题。所述导体衬底结构包括衬底，衬底的上表面设置有用于释放键合应力的上微流道结构，衬底的下表面设置有用于液冷的下微流道结构。所述异质集成封装结构包括上述方案所提的半导体衬底结构。所述异质集成封装结构的制造方法包括上述方案所提的异质集成封装结构。
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公开(公告)号：CN114577729A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210249196.2
申请日：2022-03-14
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供了一种二次谐波表征光学系统和基于二次谐波表征的检测装置，该二次谐波表征光学系统通过增加耦合联动机构，入射臂在圆弧导轨上滑动时，能够同步带动出射臂在圆弧导轨上耦合联动，使出射臂同步粗调到二次谐波信号的传输光路上，使至少部分的二次谐波信号入射到探测器内。通过增加的反馈调整模块，能够通过观察采样信号是否移动到目标点处，了解到出射光路系统中的探测器是否正好位于二次谐波信号的传输光路上，了解到二次谐波信号是否能全部入射到探测器的探测窗口内，便于后续微调出射臂，将探测器正好调节到二次谐波信号的传输光路上，使二次谐波信号尽量多的被探测器接收，从而提高二次谐波表征精度。
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