公开(公告)号：CN102605344B

公开(公告)日：2014-10-29

申请号：CN201210015269.8

申请日：2012-01-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  中央硝子株式会社

Inventor： 军司勋男 ,  井泽友策 ,  伊藤仁 ,  梅崎智典 ,  武田雄太 ,  毛利勇

IPC: C23C16/44 ,  B08B7/00

CPC classification number: C23C16/4405

Abstract: 本发明提供一种能够比以往高效地进行干式清洁的基板处理装置的干式清洁方法。该基板处理装置的干式清洁方法通过下述工序除去附着在基板处理装置的处理腔室内的金属膜，即，氧化金属膜而形成金属氧化物的工序、使金属氧化物与β-二酮反应而形成络合物的工序、和使络合物升华的工序，边将处理腔室内加热，边向处理腔室内供给含有氧和β-二酮的清洁气体，且将清洁气体中的氧相对于β-二酮的流量比设为金属氧化物的产生速度不超过络合物的产生速度的范围。

公开(公告)号：CN102605344A

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN201210015269.8

申请日：2012-01-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  中央硝子株式会社

Inventor： 军司勋男 ,  井泽友策 ,  伊藤仁 ,  梅崎智典 ,  武田雄太 ,  毛利勇

IPC: C23C16/44 ,  B08B7/00

CPC classification number: C23C16/4405

Abstract: 本发明提供一种能够比以往高效地进行干式清洁的基板处理装置的干式清洁方法。该基板处理装置的干式清洁方法通过下述工序除去附着在基板处理装置的处理腔室内的金属膜，即，氧化金属膜而形成金属氧化物的工序、使金属氧化物与β-二酮反应而形成络合物的工序、和使络合物升华的工序，边将处理腔室内加热，边向处理腔室内供给含有氧和β-二酮的清洁气体，且将清洁气体中的氧相对于β-二酮的流量比设为金属氧化物的产生速度不超过络合物的产生速度的范围。

公开(公告)号：CN101765680B

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN200880101144.9

申请日：2008-08-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 松本贤治 ,  伊藤仁

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/02

CPC classification number: C23C16/448 ,  C23C16/45561 ,  Y10T137/7837 ,  Y10T137/8593

Abstract: 本发明提供处理气体供给系统及处理装置。处理气体供给系统(2)向气体使用系统(4)供给利用稀释气体稀释后的处理气体。处理气体供给系统(2)包括：处理气体罐(10)、稀释气体罐(12)、连接处理气体罐(10)和气体使用系统(4)的主气体通道(14)、将稀释气体罐(12)与主气体通道连接的稀释气体通道。在主气体通道(14)及稀释气体通道上，分别设置有流量控制器(FC1、FC2、FC5)。稀释气体通道在多个流量控制器当中的除最下游侧的流量控制器以外的流量控制器所紧邻的下游侧与主气体通道连接。还设有剩余气体排出通道(24)，其在流量控制器当中的除最上游侧的流量控制器以外的流量控制器所紧邻的上游侧与主气体通道连接，排出剩余的稀释后的处理气体。

公开(公告)号：CN102460653A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN201080026564.2

申请日：2010-06-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 松本贤治 ,  伊藤仁 ,  三好秀典 ,  保坂重敏 ,  佐藤浩 ,  根石浩司 ,  小池淳一

IPC: H01L21/28 ,  C23C16/02 ,  C23C16/20 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/76814 ,  C23C16/02 ,  C23C16/40 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76867

Abstract: 本发明在于提供一种对具有凹部(2)的在表面形成有由low-k膜构成的绝缘层(122)的被处理体(W)形成含Mn的薄膜的成膜方法，其包括：在绝缘层的表面实施亲水化处理而形成亲水性表面的亲水化工序；通过在进行过亲水化处理的绝缘层的表面使用含Mn原料实施成膜处理形成含Mn的薄膜的薄膜形成工序。由此，在相对电容率低的由low-k膜构成的绝缘层的表面高效地形成含Mn的薄膜，例如MnOx膜。

公开(公告)号：CN102421237A

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN201110221979.1

申请日：2011-07-29

Applicant: 国立大学法人名古屋大学 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 堀胜 ,  丰田浩孝 ,  关根诚 ,  伊藤仁 ,  三好秀典

IPC: H05H1/46 ,  H01J37/32

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32229 ,  H01J37/3244 ,  H05H2001/4622

Abstract: 一种既能尽量降低微波的损失又能高效地生成高密度等离子体的等离子体生成装置(100)。具备：微波发生装置(21)，产生微波；中空状的矩形波导管(22)，与所述微波发生装置(21)连接，在微波的传送方向形成为细长状，与该传送方向正交的方向的截面形成矩形；气体供给装置(23)，与矩形波导管(22)连接并朝其内部供给处理气体；天线部(40)，是所述矩形波导管(22)的一部分，将在内部生成的等离子体朝外部放出。天线部(40)在其截面构成为短边的壁(40a)上具有1或多条隙缝孔(41)，由微波使供给至大气压状态的矩形波导管(22)内的处理气体等离子体化，进而从隙缝孔(41)朝外部的被处理体放出。

公开(公告)号：CN101652501A

公开(公告)日：2010-02-17

申请号：CN200880011143.5

申请日：2008-03-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 伊藤仁

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/205 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/4481 ,  C23C16/18 ,  C23C16/448 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45593 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76877

Abstract: 本发明提供成膜方法、成膜装置和存储介质。该成膜方法，在向基板供给使固体原料升华而得到的金属原料络合物例如醋酸铜的气体作为原料气体，通过该原料气体的化学反应在基板上形成金属铜的膜时，能够大幅抑制原料气体的消耗量。向处理容器内供给使固体原料升华而得到的原料气体，使原料作为固体吸附在处理容器内的吸附脱离部件上。接着停止原料气体的供给和排气，使处理容器为密闭空间。之后，对基板进行加热，并且使原料从吸附脱离部件脱离，使该原料在基板上进行化学反应，在基板上形成薄膜。

公开(公告)号：CN101911266B

公开(公告)日：2012-03-07

申请号：CN200980101621.6

申请日：2009-02-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐藤浩 ,  伊藤仁 ,  松本贤治

IPC: H01L21/3205 ,  C23C14/02 ,  C23C16/40 ,  H01L21/314 ,  H01L21/316 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/67207 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76858 ,  H01L21/76861 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，其特征在于，含有如下工序：在形成于基板表面的层间绝缘膜，形成用于嵌入与下层侧导电路电连接的以铜作为主成分的上层侧导电路的凹部的工序；供给含有锰的有机化合物的气体，以覆盖层间绝缘膜的露出面的方式，形成用于抑制铜向所述层间绝缘膜扩散的由锰化合物构成的屏蔽层的工序；在形成所述屏蔽层后，为了提高构成屏蔽层的锰化合物中的锰的比率而向该屏蔽层供给有机酸的工序；在有机酸供给工序之后，在所述屏蔽层的表面形成以铜作为主成分的种子层的工序；在种子层形成工序之后，为了使屏蔽层的表面或层中的锰向种子层的表面析出而将所述基板加热处理的工序；为了除去因加热而在种子层的表面析出的锰而向该种子层供给清洗液的工序；在清洗液供给工序之后，在所述凹部内形成以铜作为主成分的上层侧导电路的工序。

公开(公告)号：CN101715602A

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200880018745.3

申请日：2008-06-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 松本贤治 ,  伊藤仁 ,  根石浩司 ,  小池淳一

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  C23C16/18 ,  C23C16/44

CPC classification number: C23C16/045 ,  C23C16/18 ,  C23C16/40 ,  C23C16/408 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/56 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76873 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种成膜方法和成膜装置。使用含Mn原料气体(或含Mn原料气体和含Cu原料气体)和含氧气体(例如水蒸气)作为处理气体，通过热处理(CVD或ALD)在被处理体的表面形成含Mn薄膜或含CuMn合金膜薄膜。由此，能够在形成于被处理体表面的微细凹部内以高阶梯覆盖形成含Mn薄膜或含CuMn合金膜薄膜。

公开(公告)号：CN103392387A

公开(公告)日：2013-11-13

申请号：CN201280010392.9

申请日：2012-02-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 清水正裕 ,  伊藤仁

IPC: H05K3/22 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H05K3/10 ,  H01L21/288

CPC classification number: B05D7/02 ,  H01B19/04 ,  H01L21/02 ,  H01L21/2686 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/6776 ,  H01L51/0026 ,  H01L51/0097 ,  H05K3/10 ,  H05K3/1283 ,  H05K2203/102 ,  Y02E10/549

Abstract: 在塑料基板上涂布包含膜成分的涂布组合物而形成涂布膜，对该涂布膜照射电磁波而将涂布膜干燥和/或改性，形成膜。作为膜，可以举出导电体膜、半导体膜、电介质膜，在形成导电体膜时使用包含金属纳米颗粒的涂布组合物，在形成半导体膜时使用有机半导体材料作为涂布组合物，在形成电介质膜时使用有机电介质材料作为涂布组合物。

公开(公告)号：CN101652501B

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：CN200880011143.5

申请日：2008-03-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 伊藤仁

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/205 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/4481 ,  C23C16/18 ,  C23C16/448 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45593 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76877

Abstract: 本发明提供成膜方法、成膜装置和存储介质。该成膜方法，在向基板供给使固体原料升华而得到的金属原料络合物例如醋酸铜的气体作为原料气体，通过该原料气体的化学反应在基板上形成金属铜的膜时，能够大幅抑制原料气体的消耗量。向处理容器内供给使固体原料升华而得到的原料气体，使原料作为固体吸附在处理容器内的吸附脱离部件上。接着停止原料气体的供给和排气，使处理容器为密闭空间。之后，对基板进行加热，并且使原料从吸附脱离部件脱离，使该原料在基板上进行化学反应，在基板上形成薄膜。