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公开(公告)号：CN102082249A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN201010556174.8
申请日：2010-11-22
Applicant: 索尼公司
CPC classification number: H01M2/145 , B82Y30/00 , C23C14/081 , C23C14/083 , C23C14/087 , C23C14/32 , C23C14/34 , C23C16/403 , C23C16/405 , C23C16/408 , C23C16/448 , C23C16/505 , H01M2/1646 , H01M2/1653 , H01M2/1686
Abstract: 本发明涉及隔膜及其制造方法、电池、微孔膜及其制造方法，具体地，提供了一种隔膜，包括：多孔体；和颗粒膜，该颗粒膜形成在该多孔体的至少一个主表面上、由无机颗粒制成并且该颗粒膜内具有由无机颗粒形成的孔隙，其中该颗粒膜具有在其厚度方向上非均匀的孔隙率。本发明能够实现强度的改善同时保持离子渗透性。
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公开(公告)号：CN101715602A
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200880018745.3
申请日：2008-06-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 国立大学法人东北大学
IPC: H01L21/285 , H01L21/28 , H01L21/768 , C23C16/18 , C23C16/44
CPC classification number: C23C16/045 , C23C16/18 , C23C16/40 , C23C16/408 , C23C16/45525 , C23C16/45531 , C23C16/56 , H01L21/28562 , H01L21/76831 , H01L21/76843 , H01L21/76844 , H01L21/76855 , H01L21/76864 , H01L21/76867 , H01L21/76873 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种成膜方法和成膜装置。使用含Mn原料气体(或含Mn原料气体和含Cu原料气体)和含氧气体(例如水蒸气)作为处理气体，通过热处理(CVD或ALD)在被处理体的表面形成含Mn薄膜或含CuMn合金膜薄膜。由此，能够在形成于被处理体表面的微细凹部内以高阶梯覆盖形成含Mn薄膜或含CuMn合金膜薄膜。
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公开(公告)号：CN1395261A
公开(公告)日：2003-02-05
申请号：CN02127243.3
申请日：2002-06-20
CPC classification number: C23C28/322 , C23C12/00 , C23C16/408 , C23C16/545 , C23C26/00 , C23C28/321 , C23C28/325 , C23C28/345 , C23C28/3455 , H01L39/2438 , H01L39/2461 , Y10S428/93
Abstract: 本发明的目的在于，提供具有优异的强度和超导特性的氧化物超导导体及其制造方法。本发明为了达到上述目的，提供一种氧化物超导导体，其特征在于：是在具备在含有Ag的基材或在其他金属母材的至少一面形成的具有轧制织构的Ag层的氧化物超导体形成用基材上，通过使氧化物超导体的原料气体发生化学反应在所述基材上成膜的方法得到的氧化物超导体层的氧化物超导导体，在所述基材的氧化物超导体层测的表层部形成在Ag中扩散了Cu的扩散层，在该扩散层上形成所述的氧化物超导体层；以及提供一种氧化物超导导体，其特征在于：是在具备在Ag基材或在其他金属母材的至少一面形成的具有轧制织构的Ag层的氧化物超导体形成用基材的Ag层上，通过CVD法顺次生成多层含有Cu的氧化物超导体的氧化物超导导体，在所述多层的氧化物超导体层中，基材之上的所述氧化物超导体层的Cu含量比其他所述氧化物超导体层的Cu含量浓度更高。
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公开(公告)号：CN105420684A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201510968214.2
申请日：2015-12-21
Applicant: 东北大学
IPC: C23C16/40 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/408 , C23C16/45512 , C23C16/45565 , C23C16/45572
Abstract: 一种基于MOCVD技术制备REBCO超导材料的装置，包括真空室、金属有机源输送管路、喷淋器、冷却器、衬底、加热器及氧气引入机构，金属有机源输送管路位于真空室顶部，喷淋器位于真空室内部并与金属有机源输送管路相连，冷却器位于喷淋器下方，氧气引入机构位于冷却器下方，衬底通过弧形板安装在真空室下部，加热器位于衬底及弧形板下方，衬底与氧气引入机构之间留有反应气体输送空间；氧气引入机构与衬底之间距离可调；氧气引入机构包括氧气入口和进气通道，氧气入口与进气通道相连通，进气通道上密布有若干喷淋孔；进气通道采用环状结构；喷淋孔的氧气喷射方向与喷淋器的金属有机源喷射方向平行且相反；在靠近喷淋器一侧的氧气引入机构上设置有隔热机构。
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公开(公告)号：CN101715602B
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN200880018745.3
申请日：2008-06-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 国立大学法人东北大学
IPC: H01L21/285 , H01L21/28 , H01L21/768 , C23C16/18 , C23C16/44
CPC classification number: C23C16/045 , C23C16/18 , C23C16/40 , C23C16/408 , C23C16/45525 , C23C16/45531 , C23C16/56 , H01L21/28562 , H01L21/76831 , H01L21/76843 , H01L21/76844 , H01L21/76855 , H01L21/76864 , H01L21/76867 , H01L21/76873 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种成膜方法和成膜装置。使用含Mn原料气体(或含Mn原料气体和含Cu原料气体)和含氧气体(例如水蒸气)作为处理气体，通过热处理(CVD或ALD)在被处理体的表面形成含Mn薄膜或含CuMn合金膜薄膜。由此，能够在形成于被处理体表面的微细凹部内以高阶梯覆盖形成含Mn薄膜或含CuMn合金膜薄膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100450646C
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200480015467.8
申请日：2004-05-25
Applicant: 美国超能公司
CPC classification number: H01L39/2448 , C23C14/087 , C23C14/22 , C23C14/28 , C23C16/408 , C23C16/486 , H01L39/2441
Abstract: 将离子源照射在将要进行涂布的基材上，从而提高用于制造超导材料的MOCVD、PVD或其它方法。
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公开(公告)号：CN1334962A
公开(公告)日：2002-02-06
申请号：CN99816072.5
申请日：1999-12-08
Applicant: 因芬尼昂技术股份公司 , 先进技术材料公司
Inventor： F·S·欣特迈尔 , J·F·雷德 , B·C·亨德里克斯 , D·A·德斯罗切尔斯 , T·H·鲍姆
IPC: H01L21/316
CPC classification number: C04B35/495 , C04B35/497 , C04B35/62222 , C04B2235/3251 , C04B2235/3296 , C04B2235/76 , C23C16/40 , C23C16/408 , C23C16/56 , H01L21/02197 , H01L21/02271 , H01L21/02356 , H01L21/31691
Abstract: 通过特别选择组分和/或淀积参数,减少过量移动物质从金属氧化物陶瓷的扩散。在金属氧化物陶瓷层之下提供与过量移动物质反应的阻挡层,防止或减少过量移动物质穿过下电极扩散到衬底中。
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公开(公告)号：CN109654754A
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201811520276.7
申请日：2018-12-12
Applicant: 佛山单常科技有限公司
Inventor： 不公告发明人
IPC: F24S40/40 , F24S40/70 , F24S70/12 , F24S70/20 , F24S70/30 , C23C14/04 , C23C14/16 , C23C14/24 , C23C14/35 , C23C16/40 , C23C28/00 , C25D9/08 , B05D1/18 , B05D3/02 , B05D7/24
CPC classification number: C23C14/35 , B05D1/185 , B05D3/0254 , B05D7/24 , C23C14/042 , C23C14/16 , C23C14/165 , C23C14/24 , C23C16/408 , C23C28/322 , C23C28/345 , C25D9/08
Abstract: 本申请涉及一种带有防冻防水层的太阳能集热器，该太阳能集热器包括一上基板、一下基板、一吸热层、一边框支架和多个支撑物，其中，该下基板为一集热基板，采用导热性好的金属材料制成，该下基板表面包覆有一层基于微纳结构的防冻防水层，该防冻防水层利用微纳结构层构建了一种超疏水结构，利用超疏水原理阻隔了下基板与水汽等的接触，能够有效起到防冻防水的效果，同时对下基板防腐蚀效果明显。
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公开(公告)号：CN104470892A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201380035400.X
申请日：2013-10-21
Applicant: 株式会社艾迪科
IPC: C07C251/08 , C23C16/16 , C23C16/40 , H01L21/28 , H01L21/285 , C07F1/08 , C07F15/04 , C07F15/06
CPC classification number: C07F15/065 , C07C251/04 , C07C251/08 , C07F1/08 , C07F7/28 , C07F15/045 , C23C16/18 , C23C16/406 , C23C16/408
Abstract: 本发明提供一种具有适合作为CVD法中的薄膜形成用原料的物性的金属醇盐化合物，特别是具有适合作为金属铜薄膜形成用原料的物性的金属醇盐化合物。具体地说，提供一种由下述通式(I)表示的金属醇盐化合物以及含有该金属醇盐化合物的薄膜形成用原料。通式(I)中，R1表示甲基或乙基，R2表示氢原子或甲基，R3表示碳原子数为1～3的直链或分支状的烷基，M表示金属原子或硅原子，n表示金属原子或硅原子的价数。
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公开(公告)号：CN102082249B
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201010556174.8
申请日：2010-11-22
Applicant: 索尼公司
CPC classification number: H01M2/145 , B82Y30/00 , C23C14/081 , C23C14/083 , C23C14/087 , C23C14/32 , C23C14/34 , C23C16/403 , C23C16/405 , C23C16/408 , C23C16/448 , C23C16/505 , H01M2/1646 , H01M2/1653 , H01M2/1686
Abstract: 本发明涉及隔膜及其制造方法、电池、微孔膜及其制造方法，具体地，提供了一种隔膜，包括：多孔体；和颗粒膜，该颗粒膜形成在该多孔体的至少一个主表面上、由无机颗粒制成并且该颗粒膜内具有由无机颗粒形成的孔隙，其中该颗粒膜具有在其厚度方向上非均匀的孔隙率。本发明能够实现强度的改善同时保持离子渗透性。
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